SU676911A1 - Apparatus for thermovacuum testing - Google Patents

Apparatus for thermovacuum testing

Info

Publication number
SU676911A1
SU676911A1 SU762330513A SU2330513A SU676911A1 SU 676911 A1 SU676911 A1 SU 676911A1 SU 762330513 A SU762330513 A SU 762330513A SU 2330513 A SU2330513 A SU 2330513A SU 676911 A1 SU676911 A1 SU 676911A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
holders
thermovacuum
testing
protective
quartz glass
Prior art date
Application number
SU762330513A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Иосиф Майорович Грач
Григорий Семенович Мельникер
Геннадий Петрович Кончук
Георгий Александрович Качурин
Борис Дмитриевич Строганов
Original Assignee
Фрунзенский политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фрунзенский политехнический институт filed Critical Фрунзенский политехнический институт
Priority to SU762330513A priority Critical patent/SU676911A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU676911A1 publication Critical patent/SU676911A1/en

Links

Description

лом и держател ми токопровод щие проклад ,ки, концы которых выступают на поверхность защитного стекла н имеют овальную форму, а держатели выполнены в виде токапрОБОд щих зажимов и соединены с источником высоковольтного напр жени .scrap and holders of conductive pads, ki, the ends of which protrude to the surface of the protective glass and have an oval shape, and the holders are made in the form of current-carrying clamps and connected to a source of high voltage.

На чергелге показана ириниипиальна  схема .предлагаемого устройства дл  проведени  высокотемпературных испытаний в вакуумной среде,The chergelg shows an iriniipia diagram of the proposed device for conducting high-temperature tests in a vacuum environment.

Устройство содержит металлографический микроскоп I, вакуумную камеру 2 со смотровым стеклом 3. В вакумной камере 2 размещены исследуемый образец 4, защитна  щторка 5 и защитное кварцевое стекло 6. Защитное кварцевое стекло 6 с двух сторон зажато держател ми 7, выполненными в виде токопровод щих зажимов, подключенных к источнику высокого напр жени . Между поверхностью защитного кварцевого стекла 6 и держател ми 7 помещены токопровод щие прокладки 8, выполненные , например, из аллюминиевой фольги .The device contains a metallographic microscope I, a vacuum chamber 2 with a viewing glass 3. Test sample 4, protective curtain 5 and protective quartz glass 6 are placed in the vacuum chamber 2. Protective quartz glass 6 is clamped on both sides by holders 7 made in the form of conductive clamps connected to a high voltage source. Conductive pads 8, made, for example, of aluminum foil, are placed between the surface of the protective quartz glass 6 and the holders 7.

Часть токопрсзод щих прокладок 5 выступает ,иа поверхность защитного кварцевого стекла 6 из-под держателей 7 и имеет овальную форму.Part of the current strips 5 protrudes, and the surface of the protective quartz glass 6 from under the holders 7 and has an oval shape.

При проведении исследований частицы, испарившиес  с поверхности исследуемого образца 4, через отверстие в шторке 5, попадают на защитное кварцевое стекло 6, образу  токопровод щую пленку. Одновременно на токопровод щую прокладку 8 через держатель 7, выполненный в виде токопровод щих контактов, подают от высоковольтного генератора напр жение.When conducting research, particles evaporated from the surface of sample 4, through a hole in shutter 5, fall on protective quartz glass 6, forming a conductive film. At the same time, a conductive strip 8 through the holder 7, made in the form of conductive contacts, is supplied with a voltage from a high voltage generator.

Таким образом, к держател м 7 подвод т ток высокой частоты 3-4 кГц, при которой процесс очистки защитного кварцевого стёкла 6 идет с максимальным выделением тепловой энергии в пленке.Thus, a high-frequency current of 3-4 kHz is supplied to the holders 7, at which the cleaning process of the protective quartz glass 6 proceeds with the maximum release of thermal energy in the film.

Тонка  токопровод ща  плеака 8 из алюминиевой фольги служит дл  создани  направленного протекани  разр дного тока через Осевшую при испарении пленку, а овальный конец фольги - дл  выравнивани  разр дного тока по ширине пленки. ПоThe thin conductive puller 8 made of aluminum foil serves to create a directional flow of discharge current through the film deposited during evaporation, and the oval end of the foil is used to equalize the discharge current across the width of the film. By

мере напылени  частиц п образовани  провод щей пленки создаетс  возможность дл  протекани  тока между держател ми 7. При протекании высокочаютотного тока частицы сублимата отлетают с поверхности защитного кварцевого стекла за счет  влени  термического расширени  и магнитного взаимодействи .As sputtering particles form a conductive film, it is possible for current to flow between the holders 7. When high-current flows through, the sublimate particles fly away from the surface of protective quartz glass due to the appearance of thermal expansion and magnetic interaction.

Применение предлагаемого устройстваApplication of the proposed device

дл  проведени  высокотемпературных испытаний в вакуумной среде позвол ют значительно упростить существующую установку и пра,ктически мгновенно очистить поBepxHoicTb защитного кварцевого стекла отfor conducting high-temperature tests in a vacuum environment, it is possible to significantly simplify the existing installation and to instantly clean the protective silica glass from BepsHoicTb

пленок из осевших частиц сублимата, толщина снимаемой пленки при этом колеблетс  от 30 до 2000 А.films of deposited sublimate particles, the thickness of the film removed in this case ranges from 30 to 2000 A.

Claims (3)

1.Авторское свидетельство СССР Alb 129864, кл. G 01 N 33/20, 1963.1. Author's certificate of the USSR Alb. 129864, cl. G 01 N 33/20, 1963. 2.Слуцка  В. Б. «Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот, 1962.2. Slutsk V. B. “Thin films in microwave technology, 1962. 3. «Техническое описание и инструкци  по эксплуатации установки ИМАШ-5Ц, 69 - завод контрольно-измерительных приборов , г. Фрунзе, 1960.3. "Technical description and operating instructions of the IMASH-5TS installation, 69 - the plant of instrumentation, Frunze, 1960. LnyLny jF jF A ИA and
SU762330513A 1976-02-20 1976-02-20 Apparatus for thermovacuum testing SU676911A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762330513A SU676911A1 (en) 1976-02-20 1976-02-20 Apparatus for thermovacuum testing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762330513A SU676911A1 (en) 1976-02-20 1976-02-20 Apparatus for thermovacuum testing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU676911A1 true SU676911A1 (en) 1979-07-30

Family

ID=20650934

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762330513A SU676911A1 (en) 1976-02-20 1976-02-20 Apparatus for thermovacuum testing

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU676911A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2521744C2 (en) * 2011-08-05 2014-07-10 Общество с ограниченной ответственностью Торговый дом "СХМ" Device for high-temperature test of metals and alloys

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2521744C2 (en) * 2011-08-05 2014-07-10 Общество с ограниченной ответственностью Торговый дом "СХМ" Device for high-temperature test of metals and alloys

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Marton et al. Electron beam interferometer
Sherman et al. Cathode spot motion in high current vacuum arcs on copper electrodes
Welch A simple microscope attachment for observing high-temperature phenomena
FR2433781A1 (en) DEVELOPMENT METHOD WITH TRANSFER OF THE DEVELOPING AGENT BY ELECTRIC POLARIZATION FIELD AND APPARATUS FOR CARRYING OUT SAID METHOD
SU676911A1 (en) Apparatus for thermovacuum testing
JPS55124053A (en) Heat conductivity measuring apparatus of liquid
Higham et al. The expansion of gaseous spark channels
Brown et al. A simple diffractometer heating stage
US3193912A (en) Electro-static particle collecting device
Korff et al. Temperature Coefficients in Self‐Quenching Counters
Uozumi et al. Internal friction of vacuum‐deposited silver films
US2883901A (en) Means for making spectral analysis on pulverized material
GB600257A (en) Improvements in or relating to the manufacture of grids for use in electron discharge devices
Frings et al. A simple method of producing visible patterns of tape-recorded sounds
SU343324A1 (en) Device for securing semiconductor substrates
JPS587974Y2 (en) ion source
Holland Evaporation from an electric arc in vacuum
Carson et al. Preparation of disk foils for transmission electron microscopy
Cassidy et al. Time-Resolved Emission and Absorption Studies of Exploding Wire Spectra
Timmermans The Minimum of Melting Point in Homologous Series
JPS62145144A (en) Method for measuring crystallization process of amorphous metal
JPS52127770A (en) Spatter etching method
Burr Specimen Holder for Powder Diffraction Samples
SU796708A1 (en) Apparatus for forming temperature gradient in specimen
Bostick Simulation of solar prominence in the laboratory