Г -.; Электронный ключ предназначен дл использовани в электронных устройствах различного назначени , в ч(астности в интегральных монолитных схемах. Известны электрические ключи с регулируемой степенью насыщени ключевого . Транзистора, содержащие резисторы и диоды в цепи, ограничени степени насыщени l. Общим недостатком этих устройств вл етс нестабильность степени насыщени ключевого транзистора, что снижает нагрузочную способность. Известен также электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе п-р -Пнгипа проводимости, эмиттер которого соединен с первым выводом первого резистора, ключевой транзистор И-р -и -типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шино, а через второй резистор - с базой wpro транзистора, и цепь ограничени насыщени ключевого транзистора, состо щую из транзистора - Tfina прюодимрств ксшлектор ксфофго соединен с общей ШН° ной, база - с к ншектором ключевого транзистора, Ш)Хходом ключа и нагрузкой, а эмиттер транзисторар-п-р -типа проводимости соединен с первьои диодом, который включен в пр мом направлении. Недостатками этого устройства вл ютс , низкие нагрузочна способность и КПД, Цель изобретени - увеличение нагрузочной способности и КПД. Дл достижени этого в электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе п-р-п-типа проходимости, эмиттер которого соединен с первым выводом первого резистора, ключевой транзистор.n-js-n -flHna проводимости , эмиттер которого соединен с общей шиной, а через второй резистор С базой этого транзистора, и цепь ограничени насыщени ключевого транзистора ,- состо щую иа транзистора р-п-р-ч-ипа проводимости, коллектор которого соединен с общей шкной, база - с коллекто -. рШ1 кпдачбЕюгЬ T : aH3KctopaV вь ходом электронного ключа и нагруэкой, a sis/fHt тер транзистора р-п-| -типа проводимости соединёнс первым диодом, который вкдю чей в пр мом Направлении, дополнительно введены управл ющий транзистор П-р -П-типа проводимости, второй диод и третий резистор, который включен между эмиттером и базой управл ющего траи- Шст6ра7 эмиттер управл ющёго транзистора соединен с базой ключевого транзистора, коллектор с шиной источника питани , а база -со вторым выво дом первого резистора, второй чен между базой транзйстора exoilirbru эмиттерного повторител и первым диодом и имеет одинаковую с последним пол р- нбсть Е1ключени . На чертеже представлена пр11нцйпиальна схема электронного ключа, Он содержит входную шину 1, тран зистор 2 входного эмиттерного повторител , база которого соединена с шиной 1 шину 3 источника питани , управл ющий транзистор 4, коллектор которого соединен с шино 3, резистор 5, включенный между эмиттером транзистора 2 и базой транзистора 4, резистор 6, вкп10ченнь1й между базой и эмиттером транзистора 4, выходную шину 7, общую шину 8, ключевой транзистор 9, коллектор которого соединен с шиной 7, эмйттё р - с ш 8,а база - с эмиттером транзистора 4,. резистор 10, включенный между базой и эмиттером транзистора 9, транзистор 11 база которого соединена с шиной 7, а коллектор - с шиной 8, два соединенных последовательно диода 12, 13, включенных между шиной 1 и эмиттером транзистора 11. Электронный ключ работает следующим образом. , ..,. , -. . , I, -, гйЧ. ;-ч x- ;LЦ-r - :- ; i, . При подаче на входную шину 1 управл ющего сигнала трка отпирающей пол рности открываютс транзисторы 2, 4.л 9,причем потенциал коллектора транзистора 9 уменьшаетс по абсолютной величине . Когда разность потёЕЩиал61в между базой транзистора 2 и коллектором тран зистора 9 окажетс достаточной, открываютс транзистор 11 и диоды 12, при этом часть входного тока ответвл етс . через транзистор. 11 и диоды 12 в общую шину 8, а ток базы транзистора 2 Ьграничив1аетс . Напр жение ни ксйшёктор но-базовом переходе транзистора 9 в момент насыщени определ етс pasHHv цей между суммой падений напр экешг на открытых диодах 12 и- эмиттерно-ба«
6756(51 зовом переходе транзистора 11с суммой падений напр жений на резисторе 5 и открытых эмиттерно-базовых переходах Транзисторов 2 и 4. Таким образом, степень насыщени ключевого транзистора 9 удаетс регулировать выбором соотношени величин сопротивлени резисторов 5 и 6. Иаменение величины тока базы ключевого транзистора 9 при изменении тока нагрузки приводит к изменению тока через транзистор 4, не мен практически величин падений напр жений на резисторах В и б, поэтому оказываетс возможным задать максимальный ток через резисторы 5 и 6 меньшей величины, что приводит к увеличению КПД устройства при заданной нагрузочной способности. Ф- о р м у л а изо р е. т е н и Электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе л -р - гт-типа проводимости, эмиттер которого соединен с первым выходом первого резистора, ключевой транзистор «-р-П-типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а через второй резистор - с базой этого транзистора , и цепь ограничени насыщени : ключевого транзистора, состо щую из транзистора р -п -р проводимости,, коллектор которого соединен с общей щиной, база - с коллектором ключевого транзистора, выходом электронного ключа и нагрузкой, а эмиттер транзистора р-П-р-типа проводимости соединен с первым диодом, который включен в пр -. мом направлении, отличающий - с тем, что, с целью увеличени нагрузочной способности и КПД, дополнительно введены управл ющий транзистор n-p-rt- ипа проводимости, второй диод и третий резистор, который включен между эмиттером и базой управл ющего транзистора , причем эмиттер управл ющего тран- зистора соединен с базой ключевого - с шиной источиика питани , а база - со вторым вывоДОМ первого резистора, второй диод включен между базой транзистора входного эмиттерного повторител и первым диодом и имеет одинаковую с последним псшйрнрсть включени . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Каталог WattОti аС &е mtconductof Ltaeap Tntefmtect tifcuitn.HewHofk 1973, p. 3-7.