SU656192A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к автоматике и вычислительной технике и предназначено дл  нодачи тока в нагрузку при одном определенном сочетании логических сигналов на входах и обеспечени  регулируемого потенциала на выходе дл  всех остальных комбинаций логических сигналов на входе. Оно может быть, в частности , использовано дл  выбора строки в матрице пам ти ОЗУ и установлени  потенциала хранени  дл   чеек матрицы.

Известен формирователь импульсов, в котором вход соединен с эмиттером входного транзистора, база которого через резистор подключена к положительному полюсу источника питани , а коллектор соединен с базой переключающего транзистора . Коллектор переключающего тра№зистора через резистор св зан с нагрузкой и эмиттером повторительного транзистора . Эмиттер переключающего транзистора соединен с базой управл ющего транзистора и через резистор - с его эмиттером, с отрицательным полюсом ис-

точника питани  и с нагрузкой. Коллектор управл ющего транзистора св зан с базой повторительного транзистора, с коллектором ускор ющего транзистора и через резистор - с положительным полюсом источника питани . Коллектор повторительного транзистора соединен с базой ускор ющего транзистора, эмиттер которого подключен к положительному полюсу источника питани  ij.

Недостатком данного формировател   вл етс  относительна  сложность построени  и, как следствие, пониженна  надежность и невысока  степень интеграции его в интегральном исполнении.

Наиболее близким к данному изобретению  вл етс  двухвходовый формирователь импульсов, содержащий переключающий транзистор, управл ющий и повторительный транзисторы, соединенные таким образом, что эмиттер переключающего транзистора соединен с бадой управл ющего транзистора и через резистор - с его эмиттером, коллектор управл ющего тра зистора подключен к базе повторитепьного транзистора и через резистор к положительному полюсу источника питани , в то врем  как коллектор переключающего транзистора св зан с эмиттером повторительного транзистора . Недостатком формировател   вл ютс  относительно низкое быстродействие и /.ала  нагрузочна  способность. Целью изобретени   вл етс  повышен быстродействи  формировател  и увеличе ние его нагрузочной способности. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в формирователь импульсов, содержа щий N . входных цепей, два транзистора разной проводимости в тиристорном вклю чении и два резистора, введена N - 1 пара транзисторов разной проводимости в тиристорном включении, пр1гчем входы формировател  подключены к соединению коллектора р-п-р транзистора с базой П-р-п транзистора,, коллекторы fi-p-fi и баз р-П-р транзисторов соединены вместе, эмита еры п-р-п транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, а эмиттеры р-п-р транзисторов объединены и через первый резистор подключены к выходу -формировател , который через второй резистор соединен с шиной питани . Формирователь импульсов показан на чертежах. На фиг 1 изображен двухвходовый двухканапьный формирователь; на фиг. 2 отдельный sneivfeHx; на фиг. 3 - формиро ватель Импульсов дл  выборки строки в матрице пам ти ШУ, содержащий N вход ньгх цепей; на фиг. 4 - временные пиагрйммы прохождени  импульсных сигналов на входах и выходе устройства. Элемент, изображенный на фиг. 2, содержитп-р-п переключающий транзистор ир-л-р инжектирующий транзистор. Вход формировател  подключен к объединению базы переключающего и коллектора инжектирующего транзисторов, база инжектирующего транзистора - к коллектору переключающего, эмиттер кочхэрого соединен с общей шиной. Пвухвходовый двухканальный формирователь может осуществл ть выборку строки в матрице пам ти ОЗУ на 256 бит (организаци  матрицы 16 строк X 16 разр дов). Дл  выборки строки в матрице пам ти :На 1О24 бит (организаци  матрицы 32 стр ки х 32 разр да) к двухканальному фо1 мирователю подключаетс  еще один элемент (канал), показаннъ1й на фиг. 2. В результате получаетс  трехвходовый трехканальный формирователь. Дн  выборки строки в матрице пам ти ОЗУ с более высокой организацией т{ ебуетс  подключение соответствующего числа элементов (каналов), показанных на фиг. 2, Формирователь содержит в каждом канале п-р-п переключающий транзистор 1, база которого объединена с коллектором инжектирующего транзистора 2 К ним подключен вход формировател  3 , Коллектор транзистора 1 объединен с базой транзистора 2j . Эмиттер транзистора Ij подключен к общей шине. Эмиттеры транзисторов 2 j ,22 2 соединенъ и через резистор 4 подключены к выходу 5 формировател , к которому череЗ резистор 6 подключен источник питани  7, Базы транзисторов 2 и кол1 .. лекторы транзисторов объединены. Рассмотрим работу устройства на примере двухканального двухвходового формировател . Пусть ко входам 3 j, и 3 2 приложен высокий потенциал. Через переход базаэмиттер транзисторов 1 . и 1 протекает суммарный коллекторный ток инжектирующих транзисторов 2 и 2 обоих каналов и ток, текущий по соответствующему входу. Транзисторы 2, и 2 открываютс , и ток от источника питани  7 через резисторы 6 и 4, переход эмиттербаза транзисторов 2j и 2 , насыщенные транзисторы Ij и 1„ замыкаетс  на общую .шину. Уровень напр жени  на въкоде 5 формировател  равен падению напр жени  на резисторе 4, транзисторах 1j ,1 и2 . , 2. , и допускает регулирование изменением величины резистора 4. Если на вход 3 подать выссжий потенциал , а на вход 3 - низкий, то состо ние левого канала не измен етс . Ток от источника питани  7 протекает через резисторъ 6 и 4, транзисторы 1( и 2j левого канала на общую . щину. Инжектируемый транзистором 2 правого канала ток замыкаетс  на общую шину через открытую низким потенциалом входную цепь по входу 3 . На выходе 5 устройства устанавливаетс  уровень напр51жени  за счет тока, протекающего через о-герытый левый канал.

Состо ние выбора, при котором ток протекает в нагрузку, соответствует низкому уровню потенциалов на входах 31 и 3j, . Ток, инжектируемый транзисторами 2j левого и 2, правого каналов, замыкаетс  через входы 3| и 32 на общую шину. Низкий коэффиш1ент усилени  транзисторов 2j и 2 ограничивает ток, протекающий по цепи: резистор 4, транзисторы 2j и 2, и входы 3 , 3 на общую шину. Основной ток от источника питани  7 через резистор 6 протекает к нагрузке, подключенной к выходу .

Следовательно, только определенна  комбинаци  входнь1х сигналов {логически О на входах 3 ;j и 3j ) устройства обеспечивает передачу тока в нагрузку. Остальные сочетани  входных сигналов определ ют по вление на выходе устройства напр жени , соответствующего потенциалу хранени  в  чейках пам ти.

Таким образом, чтобы обеспечить протекание тока в нагрузку, необходимо лишь запереть транзисторы 1 ,1, ... 1 формировател . Так существенно повыщаетс  быстродействие устройства.

Устройство может быть использовано йе только как формирователь, но и как источник напр жени  хранени  дл   чеек пам ти матрицы, что расшир ет его функциональные возможности.

Интегральное испопнение устройства на и п-р-п транзисторах с совмещенными област ми позвол ет умень щить число элементов, межсоединений и количество контактных соединений, что способствует повышению надежности устройства . Выполнение активных элементов устройства в общей изолированной области приводит к повышению степени его интеграции на кристалле.

Использование резисторов в выходной цепи определ ет щирокий диапазон, нагрузочных токов формировател .

Claims (2)

1.Шагурин И. И. Транзисторно-транзисторные логические схемы, М Совврское радио, 1974, с. 42, рис. 1, 29а.

2.Авторское свидетельство СССР № 496885, кл. Н 03 К 5/О2.

Риг }

.2

тХГ Vf . . ,

: --Г//

;.;/.//

656192

л/

/ //

t