SU649994A1

SU649994A1 - Sensor for measuring gas media humidity

Info

Publication number: SU649994A1
Application number: SU731976185A
Authority: SU
Inventors: Софья Ароновна Зайдман; Валерий Алексеевич Петров
Priority date: 1973-12-13
Filing date: 1973-12-13
Publication date: 1979-02-28

Description

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

При помещении датчика в газовую среду, влажность которой надо определить, на электродах 2 и 3 возникает ЭДС, котора регистрируетс микроамперметром. Изменение влажности вызывает изменение внутреннего сопротивлени источника тока, которым вл етс сам датчик. Это приводит к изменению тока во внешней электрической цепи. Сила тока в цепи пропорциональна количеству влаги, котора воздействует на торец стекл нной пластины 1. Услови смачиваемости различны на торце пластины 1 и со стороны ее горизонтальных участков. Расположение электродов на противоположных концах горизонтальных участков стекл нной пластины 1, а не с ее торцов, вли ет на инерционность датчика, котора зависит от коэффициента смачиваемости и в данном варианте вл етс минимальной.When the sensor is placed in a gaseous environment, the humidity of which must be determined, an electromotive force is generated on electrodes 2 and 3, which is recorded by a microammeter. A change in humidity causes a change in the internal resistance of the current source, which is the sensor itself. This leads to a change in the current in the external electrical circuit. The current in the circuit is proportional to the amount of moisture that affects the end of the glass plate 1. The wettability conditions are different at the end of plate 1 and on the side of its horizontal sections. The location of the electrodes at opposite ends of the horizontal portions of the glass plate 1, and not from its ends, affects the inertia of the sensor, which depends on the wettability coefficient and in this embodiment is minimal.

Многочисленные эксперименты показали, что в случае смачиваемости датчика со стороны торцов, инерционность не превышает 1 сек. Если же плоские электроды нанесены на одну поверхность пластины, то инерционность повышаетс до 30-50 сек. В обоих случа х использовалась стекл нна пластина и исследовалось оптимальное расположение электродов. Кроме того, установлено , что расположение электродов, материал пластины и услови смачиваемости также оказывают большое вли ние на чувствительность датчика к влажности.Numerous experiments have shown that in the case of sensor wettability by the ends, the inertia does not exceed 1 sec. If the flat electrodes are applied on one surface of the plate, then the inertia rises to 30-50 seconds. In both cases, a glass plate was used and the optimum arrangement of the electrodes was investigated. In addition, it has been found that the location of the electrodes, the material of the plate and the wettability conditions also have a great influence on the sensitivity of the sensor to humidity.

Так величина ЭДС в случар смачиваемости со стороньг торцов (электроды на -противоположных гран х) равна 0,4-0,6 в, в то врем как дл электродов на одной поверхности пластины она составл ет 0,025- 0,06 в, т. е. меньше почти на пор док. Величина тока отличаетс более чем на два-три пор дка в случае смачиваемости со стороны торца.So, the emf value in case of wettability from the side ends (electrodes on the opposite faces) is 0.4-0.6 V, while for electrodes on one surface of the plate it is 0.025-0.06 v, i.e. . less almost by the way. The magnitude of the current differs by more than two to three orders in the case of wettability on the side of the end face.

Предлагаемый датчик имеет большую чувствительность по току и малую - по напр жению. Так при изменении влажности от 30 до 100% ток датчика измен етс на шесть пор дков (от 10 до ), вThe proposed sensor has a high current sensitivity and a low voltage sensitivity. So, when the humidity changes from 30 to 100%, the sensor current changes by six orders of magnitude (from 10 to), in

то врем как ЭДС измен етс всего в полтора-два раза (от 0,3 до 0,5 в).While the EMF varies only one and a half to two times (from 0.3 to 0.5 V).

Claims

1. USSR author's certificate No. 258666, cl. G ORS 31/06, 1968.

2. US patent number 3540278, cl. 73-336.5, 11/17/1970.