(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ i 6 ЙДП-гранзистор последовательно соедн ненный с транзЕ;ст:ораг.ш первого вух-гактноа/с усил:к1елЯ; причем затвор его подключен к шине питани ,- а сток -- к выходу первого двухтактного усилител На чертеже лана принципиальна электрическа схема формировател пульсов на. Mflr} -Tpaii3HCTOpax. ®opMKpOBaTejEb иг-шульсов на МДП-транзисторах ссщерж первый двук™ тактныа усилитель л вь юлненный „на транзисторах 2 3 второй двухтактны усилитель 4, вкполненнкй на транзисторах 5 и б. трвгий двухтактный усилитель 7, выполненный на траизисгора 8 и 9f инвертор 10 с токостабилизиpj-iomefi нагрузкой, выполненный на транзисторах 11 12 н 13 и конденсатора 14 обратной св зк S ьнвертор 15J выполненный на транзисторах 16 и 17/ конденсатор 18 обратной св зи дополкктельпый МДП-транзнстор 19, блокировочный МДП-транзистор 20, БХО ную шину 21 р ш ну 22 и обдую ..шину 23. Нейнвертир пс/щий вход усилител 1 подключен к эахзору транзистора 12, Инвертирующие входьа усилителей 1 и 4 и инвертора 10 подключены к шине 21. Выход усилител 7 через конденсатор 18 сое,пинен с его неинвертирузощим ВХОДОМ; с ,OiVi усилител 1 и с неинвертирующим входом усилител 4/ Инвертирующий вход усилител 7 подключей к выходу инвертора 15 и к ст ку транзистора 13 затвор icoTOpoi-o подключен к входу игпзертора 15 -д к выходу усилител 4, а его нсток - к выходу инвертора 10, Транзистор 20, сток KOTOPOJ.-O подключен к выходу уси лител 1,, затвор - к шине 22, а исто К стоку 3;p6iH3HCTOpa 3 1 Пред1лагаег, формирователь работа следуюи.им образом. В исходном состо нии на входную ишну 21 подан высокий уровень н.апр ж ни: . Транвнсторы 3, б и 13 открыты вьюо1:им входным напр жением. На выхо де усилител 4 - низкий уровень капр жеик , которым эа-срыты транзисторы 1 и 19. Па HCTOice транзистора 16 - Efa™ пр жение,. бл шкое к величине Е , где F - напр жение источника питаНИЯг UQ,- пороговое наир.чжение транзисторе 16 , Этим напр жением транзисто 9 Таким образом, кон,цансатор 18 .обеими обкладками иодключен к шине 2 а конденсатор 14 через транзистор 11 Зар жен до напр жени E-UO . Этим нап жевием открыт транзистор 12, В- начальньп момент после иодачи н шину 21 нулевого потенциала запирают с транзисторы 3, б и 13. Происходит нарастание напр жени на затворах тр зисторов 2, 5 и 8 и с некоторой временвой задержкой на выходе усилител , По мере нарастани выходного напр жени происходит отпирание инвертора 15, что,- в свою очередьf приводит к заииранию транзистора 9, управл емого выходньм напр жением инвертора 15. В течение этого времени едка об- . кладка конденсатора 18, подсоединенна к выходу третьего усилител 1, остаетс подключенной к обшей шине 23, тогда как втора обкладка подключаетс , к шине 22 через транзистор 8 TaixHM образом, на первой стадии формировани фронта происходит зар д конденсатора 18 до напр жени питани . По мере нарастани сигнала на эыходе усилител 4 происходит отпирание транзисторов 17 и 19 и запирание транзисторов 2 и 9. Затвор транзистора 5 оказываетс отключенным как от I мины 23f так и от шиньа 22. Конденсааор 18, предварительно зар женный на первом этапе формировани фронта до напр жени питани , подключаетс через транзистор 8 к шине 22, Происходит удвоение напр жени питани на выходе первого усилител 1 и на затворе транзистора 5,который полностью отпираетс , и напр жение на выходе второго усилител 4 становитс .равным напр жению питани . Напр жение на истоке транзистора .20 нарастает до величины E-UQ Известна зависимость обратного Пробивного напр жени р-п -перехода от напр жени , приложенного к затвору, имеюща вид . Up-ti mU.const, где , - обратное пробивное напр жение р-л-перехода, ш -- коэффициент пропорциональности , причем m 1 в широком диапазоне U;. , - напр жение на затворе, г1аиболее опасным режимом вл етс такой, ко.гда на р-п-переходе стока МДП-транзистора высокое напр жение, а на его затворе - низкое. Смещение напр жени на затворе МДП-транзистора ( U ) приводит к увеличению значени пробивного напр жени Р - ft -перехода стока примерно на такую же величину Up..U const. С другой стороны, напр жение пробо диэлектрика затвора определ етс технологическими и геометрическими параметрами МЛП-транзистора, и при напр -. жении на затворе до некоторой величины равным нулво ( и 0) , равно Увеличение напр жени на затворе до некоторой величины () приводит к уменьшению на такую же величину падение напр жени на диэлектрике зат .вора в месте его перекрыти с областью стока,