SU624121A2 - Temperature sensor - Google Patents

Temperature sensor

Info

Publication number
SU624121A2
SU624121A2 SU772456056A SU2456056A SU624121A2 SU 624121 A2 SU624121 A2 SU 624121A2 SU 772456056 A SU772456056 A SU 772456056A SU 2456056 A SU2456056 A SU 2456056A SU 624121 A2 SU624121 A2 SU 624121A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
capacitor
voltage
temperature
additional
Prior art date
Application number
SU772456056A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Павлович Будянов
Анатолий Константинович Гребнев
Алерий Иванович Кривоносов
Николай Иосифович Казначеев
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6324
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6324 filed Critical Предприятие П/Я Р-6324
Priority to SU772456056A priority Critical patent/SU624121A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU624121A2 publication Critical patent/SU624121A2/en

Links

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

1one

Изобретение отгюситс  к области температурометрии.The invention will be adapted to the field of temperature measurement.

Известен датчик температуры., по авт.св. № 1,83430, содержащий термочувствительный элемент и транзисторный блокинг-генератор, преобразющий температуру в последовательность импульсов, частота которых пропорциональна температуре, при этом в качестве термочувствительного элемента применен варистор, включенный в цепь базы транзистора блокинг-генератора lKnown temperature sensor., On author.St. No. 1,83430, containing a temperature-sensitive element and a transistor blocking generator, which converts temperature into a sequence of pulses whose frequency is proportional to temperature, while a varistor connected to the base circuit of the blocking transistor generator l is used as the temperature-sensitive element.

Недостатком такого датчика  вл етс  невысока  точность преобразовани  температуры в частоту следовани  импульсов, св занна  с невысокой термостабильностью схемы.The disadvantage of such a sensor is the low accuracy of converting the temperature to the pulse frequency, which is associated with a low thermal stability of the circuit.

Целью изобретени   вл етс  повышение точности преобразовани  температуры в частоту следовани  импульсов.The aim of the invention is to improve the accuracy of converting temperature to pulse frequency.

Это достигаетс  тем, что в предгаемый датчик введены регулируемый делитель напр жени  на резисторах, включенный параллельно источнику питани , дополнительный конденсато и два дополнительных транзистора, причем первый дополнительный транзистор включен в цепь эмиттера ос2This is achieved by introducing an adjustable voltage divider on the resistors, connected in parallel to the power source, additional condensate and two additional transistors, the first additional transistor connected to the emitter circuit os2

новного транзистора, при этом его коллектор соединен с источником питаи 1 , 3tvBiTTep соединен с эмиттером основного транзистора, база соединена со средней точкой делител  напр жени , эьшттер второго дополнительного транзистора соединен с базой основного транзистора и обкладкой вре м задающего конденсатора, а база через дополнительный конденсатор соединена со второй обкладкой врем задающего конденсатора.The main transistor is connected to the emitter of the main transistor, the base is connected to the midpoint of the voltage divider, the second additional transistor is connected to the base of the main transistor and the timing plate of the master capacitor, and the base is connected via an additional capacitor The time of the master capacitor is connected to the second plate.

Принципиальна  схема описываемого датчика температуры представлена на A schematic diagram of the temperature sensor described is shown in

5 чертеже.5 drawing.

Датчик температуры содержит основной транзистор 1, дополнительные транзисторы 2,3,термочувствительный элемент - варистор 4, трансформатор The temperature sensor contains the main transistor 1, 2.3 additional transistors, the temperature-sensitive element - varistor 4, the transformer

0 5, делитель напр жени  на резисторах 6,7, врем задающий конденсатор 8, дополнительный конденсатор 9.0 5, voltage divider across resistors 6.7, time setting capacitor 8, additional capacitor 9.

Датчик температуры работает следующим образом.The temperature sensor works as follows.

5five

Claims (2)

При изменении температуры мен етс  сопротивление чувствительного элемента 4, Изменение сопротивлени  чувствительиогоэлемента вызывает изменение частоты следовани  импульсов блокинг-генератора. Эмиттерный переход трай истора 3 включен в пр мом направлении по цеп зар да конденсаторов 8,9. Кпагодар  этому дополнительный конденсатор 9 зар жаетс  практически до одного уровн  с конденсатором 8. При разр  де конденсатора 8 после запирани  .транзистора 1 эмиттерный переход транзистора 3 оказываетс  включенным в запирающем направлении и чере него протекает обратный ток 1 , который обеспечивает подзар д ос«овного конденсатора 8, Благодар  этому осуществл етс  вли ние компен сации тока 1 запертого; транзистора 1на разр д конденсатора 8. Дополни тельный транзистор 2 выполн ет функ цию стабилитрона с напр жением стабилизации , определ емым падением напр жени  на резисторе 7. Как вс кий стабилитрон данный транзистор 2обладает положительным температур ным коэффици ентом по напр жению (TKU). В тоже врем  TKU порога отпирани  основного транзистора 1 отрицателен. Дл  предложенного устройства период следовани  генерируемых пр моугольных импульсов определ етс  как , , (-1) где t - длительность импульса,сним емого с выходной обмотки импульсног трансформатора 5; tpaj врем  разр да конденсатор 8, определ емое в соответствии с за висимостью E-Ue-u где Т -базовое сопротивление транзи тора 1, С -емкость конденсатора 8, ЕП -натуральный логарифм, -напр жение зар да конденсато Е -напр жение .источника питани  UQ-порог отпирани  транзистора 1 при ненулевом напр жении на его коллекторе, и о Порог отпирани  транзистора 1 при нулевом напр жении -на его кол лекторе, и -напр жение стабилизации тран зистора When the temperature changes, the resistance of the sensing element 4 changes. A change in the resistance of the sensitive element causes a change in the pulse frequency of the blocking generator. The emitter junction of the tray 3 is connected in the forward direction along the charge circuit of capacitors 8.9. By this, additional capacitor 9 is charged almost to the same level as capacitor 8. When capacitor 8 is discharged after the transistor 1 is locked, the emitter junction of transistor 3 is turned on in the blocking direction and reverse current 1 flows through it, which provides the charge capacitor 8, This makes it possible to effect the compensation of the current 1 of the locked state; the transistor 1 is discharged by the capacitor 8. The auxiliary transistor 2 performs the Zener diode function with a stabilization voltage determined by the voltage drop across the resistor 7. Like a Zener diode, this transistor 2 has a positive temperature coefficient of voltage (TKU). At the same time, the TKU of the threshold for unlocking the main transistor 1 is negative. For the proposed device, the period of the generated rectangular pulses is defined as,, (-1) where t is the duration of the pulse removed from the output winding of the pulsed transformer 5; tpaj discharge time capacitor 8, determined in accordance with the dependence E-Ue-u where T is the base resistance of the transistor 1, C is the capacitance of the capacitor 8, EP is the natural logarithm, is the voltage of the condensate charge E is the voltage. power supply UQ-threshold unlock transistor 1 with a non-zero voltage on its collector, and about the threshold unlocked transistor 1 with zero voltage-on its collector, and-voltage stabilization of the transistor 2. Температурные коэффициенты по напр жению дл  электронно-дырочных переходов в пр мом включении и дл  стабилитронов противоположны и близки друг к другу. Благодар  этому изменение напр жений UQ,ui,U под вли нием изменени  температуры окружающей среды практически не вли ют на врем  разр да конденсатора 8. Термостабилизаци  схемы по обратному току IK запертого транзистора 1 и по его порогу отпирани  позвол ет значительно повысить точность преобразовани  измер емой температуры в частоту следовани  генерируемых импульсов. Предложенное изобретение позвол ет повысить точность преобразовани  температуры в частоту следовани  генерируемыхимпульсов, упростить системы контрол  измерени  температуры, так как устран етс  не 3бходимость разработки дополнительных устройств,обеспечивающих требуемую точность преобразовани . Формула изобретени  Датчик температуры по авт.св. №183430, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности преобразовани  температуры в частоту следовани  импульсов, в него введены регулируемый делитель напр жени  на резисторах,включенный параллельно источнику питани , дополнительный конденсатор и два дополнительных транзистора,; причем первый дополнительный транзистор включен в цепь эмиттера основного транзистора, при этом его коллектор соединен с источником питани , эмиттер соединен с эмиттером основного транзистора , база соединена со средней точкой делител  напр жени , эмиттер второго дополнительного транзистора соединен с базой основного транзистора и обкладкой Врем задающего конденсатора , а база через дополнительный конденсатор соединена со второй обкладкой врем задающего конденсатора . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1. Авторское свидетельство СССР № 183430, кл. С01 К 7/32, 1965.2. The temperature coefficients with respect to voltage for electron-hole transitions in direct switching and for zener diodes are opposite and close to each other. Due to this, the change in voltages UQ, ui, U under the influence of changes in the ambient temperature practically does not affect the discharge time of the capacitor 8. Thermal stabilization of the circuit based on the reverse current IK of the locked transistor 1 and on its threshold of unlocking allows to significantly improve the accuracy of conversion temperature in the frequency of the generated pulses. The proposed invention makes it possible to increase the accuracy of converting the temperature to the frequency of the generated pulses, to simplify the temperature measurement control systems, since it eliminates the need to develop additional devices that provide the required accuracy of the conversion. Claims of the temperature sensor according to auth.St. No. 183430, characterized in that, in order to increase the accuracy of temperature conversion to the pulse frequency, an adjustable voltage divider on the resistors, connected in parallel with the power supply, an additional capacitor, and two additional transistors are introduced; the first additional transistor is connected to the emitter circuit of the main transistor, its collector is connected to the power source, the emitter is connected to the emitter of the main transistor, the base is connected to the midpoint of the voltage divider, the emitter of the second additional transistor is connected to the base of the master capacitor and the base is connected to the second plate via an additional capacitor, the time of the master capacitor. Sources of information taken into account in the examination: 1. USSR Author's Certificate No. 183430, cl. C01 C 7/32, 1965.
SU772456056A 1977-01-20 1977-01-20 Temperature sensor SU624121A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772456056A SU624121A2 (en) 1977-01-20 1977-01-20 Temperature sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772456056A SU624121A2 (en) 1977-01-20 1977-01-20 Temperature sensor

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU183430 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU624121A2 true SU624121A2 (en) 1978-09-15

Family

ID=20696890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772456056A SU624121A2 (en) 1977-01-20 1977-01-20 Temperature sensor

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU624121A2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4347740A (en) Capacitive level sensing device
US4306807A (en) Light measuring system
SU624121A2 (en) Temperature sensor
SU773452A1 (en) Device for measuring temperature in electric apparatus
SU372540A1 (en) COMPARATOR-CONVERTER
SU877351A1 (en) Multi-point device for measuring temperature
SU600477A1 (en) Frequency resistance converter
SU1659745A1 (en) Digital thermometer
RU2025044C1 (en) Method of digital measurement of temperature and device for its realization
SU744387A1 (en) Apparatus for measuring characteristical resistance of tunnel diodes
SU645098A1 (en) Capacitance measuring method
RU2080570C1 (en) Temperature-sensitive element
RU2017087C1 (en) Temperature gauge with frequency output
KR790001827Y1 (en) Temperature measurement device
SU757994A1 (en) Device for measuring parameters of single shock pulses
SU859996A1 (en) Threshold device
SU376729A1 (en) CONDENSING FREQUENCY
SU1332162A1 (en) Temperature measuring device
RU2009613C1 (en) Voltage/frequency converter
SU705656A1 (en) Sawtooth voltage generator
SU661267A1 (en) Temperature-to-frequency transducer
SU504943A1 (en) Thermal sensor
SU561913A1 (en) Measuring Body for Power Line Resistance Measurement Device
SU711381A1 (en) Temperature-to-frequency converter
SU645253A1 (en) Generator of pulse train with exponentially-increasing frequency