SU622196A1 - Одновибратор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к импульсной технике и предназначено дл  формировани  импульсов стабильной длительности и амплитуды .

Известен одновибратор с базовыми врем задающими цеп ми, который, однако, имеет недостаточную стабильность длительности выходного импульса 1.

Наиболее близким техническим решением к изобретению  вл етс  одновибратор, содержащий транзисторы одного типа проводимости , эмиттер первого из которых соединен с общей щиной коллектор - с эмиттером и коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с шиной источника питани , а через конденсатор- с базой третьего транзистора, котора  через резистор соединена с щиной источника иитани , коллектор этого транзистора соединен через один резистор с щиной источника питани , а через другой резистор- с базой первого транзистора .

Однако и этот одновибратор имеет недостаточную термостабильность длительности выходного импульса, поскольку во врем  формировани  импульса разр д конденсатора протекает через коллекторно-эмиттерный переход транзистора, падение напр жени  на котором имеет температурный

дрейф, вследствие чего возможно изменение длительности импульса.

Целью изобретени   вл етс  повышени  термостабильности длительности выходного

имнульса.

Дл  этого в одновибратор, содержащий транзисторы одного типа нроводимости, эмиттер первого из которых соединен с общ ,ей щиной, коллектор - с эмиттером п

коллектором второго транзистора, база которого соединена через резистор с щиной источника питани , а через конденсатор - с базой третьего транзистора, котора  через резистор соединена с щиной источника питани , коллектор этого транзистора соединен через один резистор с шиной источника нитани , а через другой резистор-с базой первого транзистора, введены резистор и транзистор, коллекторно-эмиттерный нереход которого соединен соответственно с эмиттером третьего транзистора и общей щиной источника питани , а база через резистор соединена с щиной источника питани .

На чертел е приведена электрическа  схема одновибратора.

Одновибратор содержит транзисторы 1 - 4, конденсатор 5, резисторы 6-10 и шины И -14, соответственно входную, выходную

и питани . Шина 11 соединена с базой транзистора 1, а через резистор 8 - с коллектором транзистора 3 и шиной 12. Эмиттеры транзисторов 1 и 4, соединены шиной 14, а коллекторы - соответственно с эмиттерами транзисторов 2 и 3, базы которых соединены между собой через конденсатор 5, а с шиной 13 - соответственно через резисторы 9 и 6. Шина 13 соединена через резисторы 7 и 10 соответственно с базой транзистора 4 и коллектором транзистора 3, а эмиттер и коллектор транзистора 2 объединены .

Одновибратор работает следующим образом .

В исходном состо нии транзистор 1 закрыт , а транзисторы 3 и 4 открыты и насыщены . Конденсатор 5 зар жен через резистор 9, базоэмиттерный переход транзистора 3 и коллекторно-эмиттерный переход транзистора 4 до напр жени , .примерно равного напр жению питани . При подаче на вход запускающего импульса транзистор 1 открываетс , транзистор 3 закрываетс , а конденсатор 5 разр жаетс  через резнетор 6 и транзисторы 2 и 1 до напр жени , равного потенциалу отпирани  транзистора 3. В это врем  происходит формирование выходного импульса.

При увеличении температуры увеличиваетс  начальное напр жение на конденсаторе 5 вследствие температурного уменьшени  падени  напр жени  на транзисторе4. Одновременно уменьшаетс  падение напр жени  на транзисторе 1, и, следовательно,

разр д конденсатора 5 будет происходить с меньшей посто нной времени. Таким образом , благодар  транзистору 4 компенсируетс  температурный дрейф транзистора 1.

Claims (2)

1.Яковлев В. Н. Импульсные генераторы на транзисторах. Киев, «Техника, 1968, с. 77-98.

2.Патент США № 3854058, кл. 307-273, опубл. 1974.

Влод

И