SU403033A1 - Одновибратор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области импульсной техники и может быть использовано, в частности, при проектировании формирователей импульсов с большой величиной времени задержки в интегрально-гибридном исполнеНИИ .

Известен одновибратор, содержащий два основных транзистора и дополнительный транзистор другого типа проводимости, коллектор которого подключен к базе второго основного транзистора, а база к его коллектору, эмиттерные повторители на транзисторах, врем задающий конденсатор и две цепи положительной обратной св зи.

Однако известное устройство имеет ограниченную область применени  за счет ограничени  верхнего предела напр жени  источника питани  и низкую надежность работы.

С целью расширени  пределов питающих напр жений и повыщепие надежности в предлатаемом одновибраторе параллельно врем задающему конденсатору включена цепь, состо ща  из последовательно соединенных диода и конденсатора, между коллектором первого основного транзистора и врем задающим конденсатором включен другой диод, а в эмиттериую цепь траизистора эмиттерного повторител  второго основного транзистора подключен источник напр жени  смещени  через резисторный делитель, средн   точка

которого соединена с базой первого основного транзистора.

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема предложенного устройства .

Устройство содержит два основных транзистора 1, 2, дополнительный транзистор 3 и согласующие эмнттерные повторители на транзисторах 4-6, диоды 7-10, конденсаторы 11 -14 и резисторы 15-26.

Транзисторы 1 и 5, конденсатор 12, диоды 8 и транзисторы 2, 6 и 1 образуют первую, а транзистор 2, резистор 24, база-коллектор транзистора 3 и база транзистора 2-вторую цепь положительной обратной св зи.

При подаче на вход 27 отрицательного имнульса транзисторы 4 и 1 открываютс .

Конденсаторы 12 и 13, предварительио зар женные до коллекторного напр жени , подключаютс  через пр мое сопротивление диода 7 и открытый транзистор 1 к общей щине. При этом конденсатор 13, разр жа сь, запирает транзистор 2, подготавлива  вторую цепь лоложительиой обратной св зи к формированию основного импульса.

Одновременно за счет положительного импульса на диоде 9 формпруетс  мала  величина фронта нарастани  напр жени  на выходе 28. Этим напр жением открываетс  транзистор 6, в результате чего отрицательный по3

тенциад передаетс  на базу транзистора 1, поддержива  его в открытом состо нии в случае малой де тельности входного импульса. На выходе 28 присутствует отрицательны уровень нанр жени .

Конденсатор 12, разр жа сь, отпнрает днод 8 и транзистор 2. При этом на резисторе 23 создаетс  надение напр жени , открывающее ускор юндий транзистор 3, коллекторный ток которого, втека  в базовую цепь транзистора 2, увеличивает коллекторный ток. В результате этого пронсходит лавинообразны процесс во второй цепи положительной обратной св зи . Конденсатор 14 в момент отпирани  транзистора 3 зар жаетс , формиру  малую величину во времени спада напр жени  коллектор-эмиттер транзистора 2.

При открытом транзисторе 2 с делител  на резисторах 25, 26 положительный уровень напр жени  подаетс  через резистор 17 на базу транзистора 1, резко перезар жа  его база-эмиттерную емкость в положительцую область, в результате чего транзистор 1 быстро закрываетс .

Вслед за этим открываетс  транзистор 5, конденсаторы 12 и 13 зар жаютс , создава  уменьшенную величину времени готовности к нрнему следуюн.1его импульса. На выходе 28 после открывани  транзистора 2 формируетс  нулевой уровень.

Таким образом, эмиттерный повторитель на транзисторе 6 согласует по мощности логические элементы с выходным каскадом, осуществл ет положительную обратную св зь первой цепи и автоматически создает уровень зашиты входной цепи одновибратора от помех

с выхода логических элементов. Отсюда максимально допустимое обратное напр жение не превышает пр мого падени  напр жени  па диоде при худших услови х на переходе 5 база-эмпттер транзистора 2.

Одновременно напр жени  на переходе база-коллектор закрытого трапзистора 2 и на коллекторе-эмиттере закрытого транзистора 3 примерно равны величине Е, что позвол ет 0 использовать предлагаемое устройство на бескорпусных транзисторах в интегральном исИОЛНСН1П- при создании одновибраторов с большой величиной времени задержки.

Предмет изобретени 

Одновибратор, содержащий два основных транзистора и дополнительный транзистор другого типа проводимости, коллектор которого подключен к базе второго основного транзистора, а база - к его коллектору, эмиттерные повторители на транзисторах, врем задающий конденсатор и две цепи положительной обратной св зи, отличающийс  тем, что, с целью расширени  пределов питающих напр жений и повышени  надежности, параллельно врем задающему конденсатору включена цепь, состо ща  из последовательно соединенных диода и конденсатора, между коллектором первого основного транзистора и врем задающим конденсатором включен другой диод, а в эл иттерную цепь транзистора эмиттерного повторител  второго основного транзистора включен источник напр жени  смещени  через резисторный делитель, средн   точка которого соединена с базой первого основного транзистора.