SU620911A1 - Diode twin bridge - Google Patents

Diode twin bridge

Info

Publication number
SU620911A1
SU620911A1 SU772466061A SU2466061A SU620911A1 SU 620911 A1 SU620911 A1 SU 620911A1 SU 772466061 A SU772466061 A SU 772466061A SU 2466061 A SU2466061 A SU 2466061A SU 620911 A1 SU620911 A1 SU 620911A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
capacitor
circuit
ratio
voltage
charged
Prior art date
Application number
SU772466061A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Морис Львович Гомберг
Владимир Васильевич Сокур
Original Assignee
Украинский Нии Целлюлозно-Бумажной Промышленности
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Украинский Нии Целлюлозно-Бумажной Промышленности filed Critical Украинский Нии Целлюлозно-Бумажной Промышленности
Priority to SU772466061A priority Critical patent/SU620911A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU620911A1 publication Critical patent/SU620911A1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

(54) ДВОЙНОЙ ДИОДНЫЙ МОСТ(54) DOUBLE DIODE BRIDGE

1one

Изобретение относитс  к электроизмерн . тельной технике и может использоватьс  при создании устройств дл  измереии  параметров электрических цепей.This invention relates to electrical measurements. technology and can be used to create devices for measuring the parameters of electrical circuits.

Известен резистивный двойной Т-образный мост, содержащий резисторы и емкости 1). Недостатками этого устройства  вл ютс  низка  чувствительность к изменени м параметров общего контрол  н узкополостность ,Known resistive double T-shaped bridge containing resistors and capacitances 1). The disadvantages of this device are low sensitivity to changes in the parameters of the total monitored narrowness,

Наиболее близок к предлагаемому изобретению двойной диодный мост, содержащий две параллельно включенные Т-образные цепи, кажда  из которых образована диодом, коиденсатором и резистором, причем диоды включены разнопол рно 2}. Недостатками этого устройства  вл ютс  низкий коэффициент преобразовани  приращени  емкости в электрический сигнал и узкополостиость .Closest to the proposed invention is a double diode bridge containing two parallel-connected T-shaped circuits, each of which is formed by a diode, a co-capacitor and a resistor, the diodes being connected in opposite polarity 2}. The disadvantages of this device are the low coefficient of conversion of the increment of the capacitance into an electrical signal and a narrow cavity.

Цель изобретени  - повышение коэффициента преобразовани  приращени  емкости в электрический сигнал и расширение полосы пропускани  в сторону низких частот ,The purpose of the invention is to increase the conversion ratio of the capacitance increment into an electrical signal and to expand the passband towards low frequencies,

Дл  этого в известном двойном диод ом мосту, содержащем две параллельные включенные Т-образные цепи, кажда  из которых образована диодом, конденсатором и . резнстором, причем дноды включены разнопол рно , в каждую нз Т-образных цепей 5 введен дополнительный днод, включенный в той же пол рности, что и основной, н дополнительный конденсатор, шунтирующий основной и дополнительный диоды.To do this, in a known double diode, a bridge containing two parallel connected T-shaped circuits, each of which is formed by a diode, a capacitor, and. Reznstorom, and the doda included oppositely polarity, in each nz T-shaped circuits 5 introduced an additional bottom, included in the same polarity as the main, n additional capacitor, shunt the main and additional diodes.

На чертеже даиа принципиальна  электрическа  схема предлагаемого устройства.In the drawing, daia is the electrical circuit of the proposed device.

Она содержит Т-образные цепи 1 и 2, включающие в себ  соответственно резисторы RI и RS, конденсаторы Ci и Cj, диоды DI н DS, дополнительные дноды Da н D« и шунтнрующие конденсаторы Cj н €4, 5 источники питани  Е, нагрузочный резистор R, и конденсатор фильтра в нагрузке С.It contains T-shaped circuits 1 and 2, which include respectively resistors RI and RS, capacitors Ci and Cj, diodes DI and DS, additional dades Da n D "and shunt capacitors Cj n € 4, 5 power sources E, load resistor R, and the filter capacitor in the load C.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

В отрнцательный полупериод питающего напр жени  конденсатор Ci зар жаетс  In the negative half-period of the supply voltage, the capacitor Ci is charged

Claims (2)

о по цепи - E-D,,- X--1- Е до напр жени  «-Е, а конденсатор С|, зар женный в предыдущем полупериоде до «4-Е, разр жаетс  на конденсатор €4 по цепи Cg- . Одновременно Ci и Сд зар жаютс  от генератора по цепи 4- E-Q -Cj-i- - Е, причем дл  Сд это зар ды одииаковой пол рности. В положительный полупериод конденсатор GI по цепи зар жаетс  до напр жени  «,+ Е, а конденсатор С разр жаетс  на Сз по цепи С,- ОгСз- - ц одновременно С и Cj зар жаютс  от генератора по цепи « + , причем дл  Cj это зар ды одинако бой пол рности. В оба полупериода происходит разр д Сз на С через Rt и Rj, но так как посто нна  врел:ени разр да на несколько пор дков больше посто нной времени зар да, на Сэ и Сд сохран ютс  остаточные зар ды разной пол рности; величина их зависит от соотношени  емкостей (), соотношени  посто нных времени цепей зар да Сз(С4) и частоты питающего напр жени . При равенстве Cj С г остаточные зар ды емкостей Са и С равны по величине и противоположны по знаку - и потенциал точки «А равен нулю (среднее значение). Если емкость С, получит приращение ДС, то есть GI Gj Ч- АС, то остаточный зарЯА емкости G станет больше зар да емкости С4 и потенциал точки А уже не будет равен О - на нагрузке по витс  посто нна  составл юща  напр жени . Величина ее при фиксированных значени х Е и AG зависит от соотношейн  GI/GS (Gj/G), соотношени  посто нных времени и частоты питающего напр жени . При Сз С IOGi, G, - G,; R.Ga RiG4 300 R.G,. где Rд - пр мое сопротивление диодов. Выходное напр жение предлагаемого моста и соответственно коэффициент преобразовани  в 2,0-3,0 раза выще, чем в схеме известного моста в равных услови х. Формула изобретени  Двойной диодный мост, содержащий две параллельно включенные Т-образные цепи, кажда  из которых образована диодом, крнденсатором и резистором, и диоды включены разнопол рно, отличающийс  тем, что, с целью повышени  коэффициента преобразовани  приращени  емкости в электрический сигнал и расширени  полосы пропускани  в сторону низких частот, в каждую из Т- образных цепей введен дополнительный диод, включенный в той же пол рности, что и основной , и дополнительный конденсатор, шунтирующий основной и дополнительный диоды. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Goлoвьeв А. Н. Измерительна  техника в проводной св зи, ч. П, М., «Gв зь, 1969, с. 285-286. The circuit voltage is E – D ,, –X – 1 – E to the voltage “–E, and the capacitor C |, charged in the previous half-period to“ 4-E, is discharged to the capacitor € 4 via the circuit Cg-. At the same time, Ci and Cd are charged from the generator along the 4-E-Q -Cj-i- -E circuit, and for Cd, these are charge of odium-polarity. In the positive half-period, the capacitor GI is charged along the circuit to the voltage ", + E, and the capacitor C is discharged by Cz along the circuit C, - OgS - - c simultaneously, C and Cj are charged from the generator along the circuit" +, and for Cj it is Charges are equally battlefield polarity. In both half-periods, Cz is discharged on C through Rt and Rj, but since the constant has been established: the discharge is several orders of magnitude longer than the constant charging time, residual charges of different polarity are preserved on Se and Cd; their magnitude depends on the ratio of capacitances (), the ratio of the constant time of the Cs (C4) charge circuits, and the frequency of the supply voltage. When Cj Cg is equal, the residual charges of Ca and C are equal in magnitude and opposite in sign — and the potential of point A is zero (average value). If capacitance C gains an increment in DC, i.e., GI Gj W-AC, then the residual charge of capacitor G will become greater than the charge of capacitance C4, and the potential of point A will no longer be equal to O — the load is constant at the load. Its value at fixed values of E and AG depends on the ratio of GI / GS (Gj / G), the ratio of the constant time and frequency of the supply voltage. When Sz C IOGi, G, - G ,; R.Ga RiG4 300 R.G ,. where Rd is the direct resistance of the diodes. The output voltage of the proposed bridge and, accordingly, the conversion factor is 2.0-3.0 times higher than in the scheme of the known bridge in equal conditions. Claims of the invention A double diode bridge comprising two parallel-connected T-shaped circuits, each of which is formed by a diode, a clamper and a resistor, and the diodes are connected in opposite directions, characterized in that in order to increase the capacitance conversion ratio of the electrical signal and bandwidth expansion in the direction of low frequencies, an additional diode is inserted in each of the T-shaped circuits, connected in the same polarity as the main one, and an additional capacitor, shunting the main and additional diodes s. Sources of information taken into account in the examination: 1. Golovyev A.N. Measuring equipment in a wired connection, ch. P, M., “Gz, 1969, p. 285-286. 2.Экспресс-информаци  - «Контрольно-измерительна  техника, 1975, № 7, с. 7- 16.2. Express information - “Testing and measuring equipment, 1975, No. 7, p. 7-16.
SU772466061A 1977-03-23 1977-03-23 Diode twin bridge SU620911A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772466061A SU620911A1 (en) 1977-03-23 1977-03-23 Diode twin bridge

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772466061A SU620911A1 (en) 1977-03-23 1977-03-23 Diode twin bridge

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU620911A1 true SU620911A1 (en) 1978-08-25

Family

ID=20700904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772466061A SU620911A1 (en) 1977-03-23 1977-03-23 Diode twin bridge

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU620911A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU620911A1 (en) Diode twin bridge
GB697879A (en) Improvements relating to electric peak voltage measuring circuits
SU1149169A2 (en) Method of determination of transient recovering voltage
SU756315A1 (en) Capacitive measuring device
JPS5769237A (en) Temperature and humidity sensing device
SU900217A1 (en) Digital resistance meter
SU587408A1 (en) Frequency differential meter
SU679171A3 (en) Transversal analogue filter
SU1201686A1 (en) Capacitance level meter
SU535840A1 (en) Digital megohmmeter
SU1161900A1 (en) Device for measuring relative deviation of capacitance of capacitor from nominal value
SU1576871A1 (en) Converter of parameters of three-element non-resonance passive two-terminal networks
SU111876A1 (en) Device for simultaneous measurement of two parameters
SU957131A1 (en) Device for checking electric circuit
SU603918A1 (en) Four-terminal standard capacitor
SU712770A1 (en) High-voltage pulsed voltmeter
SU364090A1 (en) ANALOG-DIGITAL CONVERTER
SU1033847A1 (en) Displacement to pulse relative duration converter
SU761939A1 (en) Apparatus for measuring direct-current circuit insulation resistance
SU868630A2 (en) Device for measuring capacitive and active conductivity
SU1132240A1 (en) Pulse voltmeter
SU920548A1 (en) Device for measuring ac voltage
SU444301A1 (en) Peak detector
SU1425560A1 (en) Device for measuring insulation resistence in a.c. electric mains
SU1698808A1 (en) Electronic voltmeter