SU618457A1 - Method of manufacturing fine-structure metal mesh - Google Patents
Method of manufacturing fine-structure metal meshInfo
- Publication number
- SU618457A1 SU618457A1 SU762356387A SU2356387A SU618457A1 SU 618457 A1 SU618457 A1 SU 618457A1 SU 762356387 A SU762356387 A SU 762356387A SU 2356387 A SU2356387 A SU 2356387A SU 618457 A1 SU618457 A1 SU 618457A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- matrix
- metal
- layer
- metal mesh
- mesh
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ МЕЛКОСТРУКТУРНЫХ СЕТОК(54) METHOD OF MANUFACTURING METAL SMALL-STRUCTURED GRIDS
Изобретение относитс к гальванопластическому изготовлению металлических мелкоструктурных сеток.This invention relates to the electroforming of metal fine mesh.
Известен способ изготовлени металлических сеток, включающий создание на мета л лической матрице сетчатого рельефа,изол цию поверхности матрицы между углублени ми, нанесение разделительного сло , электроосаждение сло металла и удаление матрицы механическим путем или химическим растворением 1. A known method of making metal grids includes creating a mesh relief on a metal matrix, isolating the surface of the matrix between depressions, applying a separating layer, electroplating a metal layer and removing the matrix by mechanical means or chemical dissolution 1.
Наиболее близким к изобретению вл етс способ получени металлических мелкоструктурных сеток путем электролитического осаждени сло металла на сетчатую матрицу, материал которой не образует химических соединений с осаждаемым металлом, и последующего удалени матрицы выплавлением 2.Closest to the invention is a method of producing metallic fine-grained meshes by electrolytic deposition of a metal layer on a mesh matrix, the material of which does not form chemical compounds with the deposited metal, and the subsequent removal of the matrix by smelting 2.
Однако известые способы не позвол ют получать мелкоструктурные сетки из тугоплавких металлов с размером чеек 1-3 мкм и плотностью отверстий до 10 на см .However, the known methods do not allow obtaining fine-grained nets of refractory metals with a mesh size of 1-3 µm and a hole density of up to 10 per cm.
Предложе1шый способ устран ет этот недостаток за счет того, что при электролитическом осаждении металла на сетчатую матрицу, материал которой не образует химических соединений с осаждаемым металлом, последний осаждают послойно при толщине сло 1-2 мкм и провод т промежуточный отжиг в вакууме или инертной атмосфере при температуре равной 1,1-1,2 температуры плавлени матрицы дл ее удалени .The proposed method eliminates this disadvantage due to the fact that during electrolytic deposition of metal on a grid matrix, the material of which does not form chemical compounds with the deposited metal, the latter is precipitated layer by layer at a layer thickness of 1-2 µm and intermediate annealing is carried out in vacuum or inert atmosphere at a temperature of 1.1-1.2 of the matrix melting point for its removal.
При отжиге происходит диффузи и испарение материала матрицы через слой тугоплавкого металла.During annealing, diffusion and evaporation of the matrix material occurs through a layer of refractory metal.
При этом уплотн етс структура сетки и снижаютс внутренние напр жени в электролитически осажденном металле.This compresses the grid structure and reduces the internal stresses in the electrolytically deposited metal.
В соответствии с предложенным способом в качестве исходной матрицы используют металлическую сетку, напримф медную, с размером чеек 7-г-15,мкм и шагом 10-20 мкм. На обезжиренную матрицу электролитически осаждают слой тугоплавкого металла. Осаждение металла происходит с двух сторон. После наращивани сло в 1-2 мкм матрицу с покрытием отжигают в вакууме или инертной среде щти температуре равной 1,1-1,2 температуры плавлени материала матрицы, в результате че10 материал матрицы удал етс испарением чеj )ej слой ту1оплавкОго металла. МногократнымIn accordance with the proposed method, a metal grid, for example copper, with a cell size of 7-g-15, μm and a step of 10-20 μm, is used as the initial matrix. A layer of refractory metal is electrolytically deposited on the defatted matrix. Metal deposition occurs from two sides. After a layer of 1-2 µm is grown, the coated matrix is annealed in vacuum or inert media of a temperature equal to 1.1-1.2 of the melting point of the matrix material, as a result of which 10 the matrix material is removed by evaporating j) ej layer of melted metal. Multiple
повторением операции осаждени и отжига материал матрицы полностью удал ют,- а размф чеек сетки довод т до 1-3 мкм с получением плотности отверстий до 10 на 1 см.by repeating the deposition and annealing operation, the matrix material is completely removed, and the grid cell size is adjusted to 1–3 µm to obtain a hole density of 10 per 1 cm.
Пример. Дл получени рениевой сетки использовали трубчатую матрицу из медной сетки с размером чеек 7-15 мкм и шагом 10-20 мкм.Example. To obtain a rhenium mesh, a tubular matrix of copper mesh with a mesh size of 7-15 µm and a step of 10-20 µm was used.
На очищенную матрицу осаждали рений из электролита состава, г/л:On the purified matrix precipitated rhenium from the electrolyte composition, g / l:
Пфренат аммони 9Ammonium Pfrenat 9
Серна кислота25Sulfuric Acid25
Сульфат аммони 50Ammonium sulfate 50
цри температуре 50° С и плотности тока 20 а/дм с наложением ультразвуковых колебаний истотой 16 кг при использовании двух анодов в результате чего осаждение рени происходило с двух сторон. После осаждени сло толщиной 2 мкм проводили отжиг матрицы с покрытием в среце вод(ода при температуре 1200°С в течение 15 мкн. При зтом атомы меди диффундируют на поверхность осажденного металла и испар ютс , а осажденный слой металла уплотн етс и происходит сн тие внутренних напр жений .At a temperature of 50 ° C and a current density of 20 a / dm with the superposition of ultrasonic vibrations of 16 kg with the use of two anodes, as a result of which the deposition of rhenium occurred on both sides. After deposition of a layer with a thickness of 2 microns, the matrix was annealed in a water slice (water at 1200 ° C for 15 microns). At this, copper atoms diffuse onto the surface of the deposited metal and evaporate, and the deposited stress
Операции осаждени металла и отжига повтор ли до получени трубчатой рениевой сетки с размером чеек 2-3 мкм при плотности 10 на см и площадью сечени 10 мкм, причем примеси меди не превышали 0,3%.The operations of metal deposition and annealing were repeated until a tubular rhenium grid with a mesh size of 2-3 µm was obtained at a density of 10 per cm and a cross-sectional area of 10 µm, with no copper impurities exceeding 0.3%.
Таким образом предложенный способ в отличие от известных позвол ет получать мелкоструктурные сетки из тугоплавких металлов с размером чеек 1-3 мкм и плотностью отверстий до 10 на см, которые мотут примен тьс в радиоэлектронщсе и других област х техники .Thus, the proposed method, in contrast to the known ones, makes it possible to obtain fine-mesh nets of refractory metals with a mesh size of 1-3 µm and a hole density of up to 10 cm, which can be used in radio electronics and other engineering fields.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762356387A SU618457A1 (en) | 1976-03-15 | 1976-03-15 | Method of manufacturing fine-structure metal mesh |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762356387A SU618457A1 (en) | 1976-03-15 | 1976-03-15 | Method of manufacturing fine-structure metal mesh |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU618457A1 true SU618457A1 (en) | 1978-08-05 |
Family
ID=20660003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762356387A SU618457A1 (en) | 1976-03-15 | 1976-03-15 | Method of manufacturing fine-structure metal mesh |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU618457A1 (en) |
-
1976
- 1976-03-15 SU SU762356387A patent/SU618457A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102007055019B4 (en) | Method for producing a nanoporous layer | |
DE4433097C2 (en) | Method for producing a light-absorbing layer of a solar cell | |
US20090229989A1 (en) | Method for the preparation of nanostructures and nanowires | |
US2646396A (en) | Method of making electroformed articles | |
JPH0253518B2 (en) | ||
US3130487A (en) | Method of making fine mesh dome-shaped grids | |
US20130270121A1 (en) | Method for fabricating copper nanowire with high density twins | |
JPH04311594A (en) | Method of forming reticulate material having low internal stress and reticulate material obtained | |
Vaughan et al. | The structure of electrodeposited copper—II: The nucleation of copper electrodeposits on copper substrates | |
SU618457A1 (en) | Method of manufacturing fine-structure metal mesh | |
US6875324B2 (en) | Sputtering target material | |
US3196089A (en) | Method of making honeycomb structures | |
US1787139A (en) | Process of forming iron foils | |
US3316158A (en) | Foam metal construction and a method for making it | |
Gündiler et al. | Fundamental studies of the structure and growth of electrodeposited nickel | |
Tinker et al. | Transmission electron microscopy of transverse sections through oxide scales on metals | |
Stoebe et al. | Transmission electron-microscope observations of the structure of electrolytically deposited copper and its annealing behaviour | |
KR950013775B1 (en) | Aluminium foil for electrolytic capacitor | |
Sard et al. | Structure of electrodeposited copper single crystals—I. Before plastic deformation | |
JP2633606B2 (en) | Method for forming conductive film on aluminum or aluminum alloy member | |
Inal et al. | Growth characteristics of copper of tungsten grown through cementation, vapor deposition and electroplating | |
DE1916293A1 (en) | Process for the production of a niobium layer by melt-flow electrolytic deposition on a copper carrier | |
KR101292863B1 (en) | Epitaxial growth and single crystal thin film fabrication using electrodeposition | |
JPH04162707A (en) | Material of electrode for electrolytic capacitor and manufacture thereof | |
SU454280A1 (en) | Electrolyte to precipitate platinum-palladium alloy |