SU615432A1 - Arrangement for testing microcircuit parameters - Google Patents

Arrangement for testing microcircuit parameters

Info

Publication number
SU615432A1
SU615432A1 SU752178913A SU2178913A SU615432A1 SU 615432 A1 SU615432 A1 SU 615432A1 SU 752178913 A SU752178913 A SU 752178913A SU 2178913 A SU2178913 A SU 2178913A SU 615432 A1 SU615432 A1 SU 615432A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
parameters
signal generator
switch
key
microcircuit
Prior art date
Application number
SU752178913A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Всеволодович Аратский
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8657
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8657 filed Critical Предприятие П/Я В-8657
Priority to SU752178913A priority Critical patent/SU615432A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU615432A1 publication Critical patent/SU615432A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

Изобретение относитс  к электронной технике и может быть использовано дл  контрол  параметров микросхем.The invention relates to electronic engineering and can be used to control the parameters of microcircuits.

Известны устройства дл  контрол  токовых параметров микросхем.Devices are known for monitoring current parameters of microcircuits.

Одно из известных устройств дл  KOISтрол  токовых параметров, микросхем содержит программный источник напр жени  с повторителем в цепи обратной св зи, коммутатор , нуль-индикатор, программируемый источник тока, измерительную линню, регистратор и генератор управл ющих сигналов 1|.One of the known devices for KOIS control of current parameters, the microcircuit contains a software voltage source with a repeater in the feedback circuit, a switch, a null indicator, a programmable current source, a measuring line, a recorder and a control signal generator 1 |.

Основным недостатком этого устройства  вл етс  наличие значительного тока утеч ки, создаваемого повторителем и пгрограммнруемым источником тока, включенным параллельно входу испытуемой микросхемы, RpoMe того, наличие этих элементов, снижает электропрочность измерительного тракта .The main disadvantage of this device is the presence of a significant leakage current generated by a repeater and a programmed current source connected in parallel to the input of the test chip, RpoMe, the presence of these elements reduces the electrical strength of the measuring path.

Другим недостатком устройства  вл етс  трудность технической реализации высокоточного генератора малых токов.Another disadvantage of the device is the difficulty of technical implementation of a high-precision low current generator.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению устройство дл  контрол  параметров викросхемы , содержащее программной  сточкик Нйпр жени , соединенный с генераторогй управл ющего Сигнала, регнстраторо1«, измерителем напр жени , коммутйтором, а также через токосъемный резистор, снабженный схемой унравле«й  с пам тью и иепосредствеино с коммутатором, соеднненвым через измерительную лин ю с испьггуемым лриборой j.The closest technical solution to the present invention is a device for monitoring the parameters of a vikroschema containing a software station, connected to a control signal generator, a registrator, a voltage meter, a commutator, as well as through a collector circuit equipped with a memory card and and via a switch connected via a measuring line with a shotgun j.

ОвовйЫй ие оствткой известного устройства  вл етс  пониженна  злектропрочйость измерительной л нии н значительный ток утечкм, зызвайкые валнчием повтор$ тел , который устанавливаетс  дл  уменьшени  емкости изиеритель.гого тракта с К€льй уэелйченн  быстродействи . Это создает огракйченн  дл  дакного устройствз в расширений диапазона измер емых параметроа микросхем.The core of the known device is the reduced electrical conductivity of the measuring line and a significant leakage current caused by the repetition of the shaft, which is set to reduce the capacitance of the remote path with a fast response rate. This creates limitations for such devices in the range of measurable parameter chips.

Целью H3€ JpeTeKHH  вл етс  расширение диапазона измер емых параметров микросхем .The goal of H3 € JpeTeKHH is to expand the range of measured parameters of the microcircuits.

Цель достигаетс  тем, что предлагаемое устройство содержит -енератор строб-сигналй , согласующий трансформатор н ключ, причем к генератору управл ющих сигналов «одй лг ены последовательно соединенйыс генератор строб-сигнала, согласующий tpaBcfu.pJSSTOp; ключ, подключенный параллельйО fOKOCXc mmy резистору.The goal is achieved by the fact that the proposed device contains a strobe signal generator, a matching transformer and a switch, and to the control signal generator, one can be connected in series with a strobe signal generator, matching tpaBcfu.pJSSTOp; key connected in parallel with the fOKOCXc mmy resistor.

Такое устро/icTBO позвол ет расширить диапазон контролируемых параметров микросхем ..This arrangement / icTBO allows you to expand the range of monitored parameters of microcircuits.

Это достигаетс  за счет того, что в данном устройстве собственный ток утечки и электропрочность измерительной линии военойном определ етс  характеристиками согласующего трансформатора.This is achieved due to the fact that in this device the intrinsic leakage current and electrical strength of the measurement line of the military is determined by the characteristics of the matching transformer.

Трансформатор, вы1юлненнь|й с примененнем современных изол ционных материалов, обеспечивает меньший ток утечки и значительно большую электропрочност|э, чем rioaторитель .The transformer, which is used with modern insulating materials, provides a lower leakage current and a much higher electrical resistance than the riotor.

Введение ключа, включенного параллельно токосъемному резистору, и генератора строб-сигнала позвол ет избежать уменьшени  быстродействи  устройства.The introduction of a key connected in parallel with the collector resistor and a strobe signal generator avoids a decrease in the device speed.

На чертеже представлена схема описываемого устройства дл  контрол  параметров микросхемы.The drawing shows the scheme of the described device for controlling the parameters of the chip.

Устройство содержит программный источник иапр жёни  I, служащий дл  заДани  необходимого режима на провер емом выводе микросхемы 2, а также на других выводах, определ ющих ее внутреннее состо ние, токосъемный резистор 3. снабженный схемой управлени  с пам тью комMyjaTOp 4 и измерительную л{Гнию 5, через которые протекает контролируемый ток, измеритель напр жени  6, измер ющий падение напр жени  на токосъемиом резисторе 3, регистратор результата 7, соединенный с измерителем напр жени  6 и генератором управл ющих сигналов 8. Генератор управл ющих сигналов 8, кроме того, соединен с генератором строб-сигнала 9,с выхода Kotoрого импульс напр жени  через согласующий трансформатор 10 подаетс  на ключ 11, соеди1 ениыйсо схемой управлени  токосхемного резистора 3, коммутатором 4 и измерителем напр жени  6.The device contains a software source and a hardware I, which serves to set the required mode on the checked output of chip 2, as well as on other terminals determining its internal state, current collector 3. equipped with a MyjaTOp 4 memory management circuit and a measuring device {Illumination 5 through which a controlled current flows, a voltage meter 6 measuring the voltage drop across the current collector resistor 3, a result recorder 7 connected to the voltage meter 6 and the control signal generator 8. Control generator signals output 8, moreover, is connected to the gating signal generator 9, the output Kotorogo voltage pulse through a matching transformer 10 is applied to the key 11, soedi1 eniyyso tokoskhemnogo resistor control circuit 3, a switch 4 and a voltage meter 6.

Устройство работает но программе. Генератор управл ющих сигналов 8 вырабатывает тестовую команду-в виде п-разр дных управл ющих слов, которые записываютс  в пам ть программного Источника напр жени  J, коммутатора 4, измерите . л  иапр жёни  6, регнстрагора 7 и в схему управлени  с пам тью токосъ много резис . тора 3 по сигналу их адреса и служебному сигналу. «Запуск. Таким образом, в каждый из этих объектов вводитс  нужна  дл  проведени  данного нспУтанй  (теста) информаци  в соответствии с которой измерителъ напр жени  6, токосъемный резистор 3 н программный источник получают заданные уставки. Коммутатор 4 производит «о дйчу испытательного режима на провер емый вывод микросхемы 2, который прогрз ймируетс  с учетом падени  напр женн  на токосхемном резисторе 3. Кроме того, произаодитс  задание напр жений стимулов внутреннего состо ни  микросхемы 2 на выводи, по которым не проводитс  измерение.The device works but the program. The control signal generator 8 generates a test command — in the form of n-bit control words, which are recorded in the program voltage source J, switch 4, measure. He is a wife of Reg. 6, Reg. 7, and in the memory control circuit there is a lot of resis. torus 3 by the signal of their address and service signal. “Launch. Thus, in each of these objects, the necessary information is entered for carrying out this test (test) according to which voltage meter 6, the collector 3 n of the program source receive the specified settings. Switch 4 produces a test mode for the tested output of chip 2, which is programmed to take into account the fall of the voltage on the current-carrying resistor 3. In addition, the internal state 2 of the stimulus voltages on the output, which is not measured, is set.

Длительность одного теста Т определ етс  интервалом времени между сигналами «Запуск, соответствующици одному адресу. По этому сигналу генератор стробсигнала 9 через согласующий трансформатор 10 поддерживает ключ П во включённом состо нии в ечение времени Ti 0,1 Тр.. В этот промежуток времени идет быстрый зар д емкости измерйте тьной линии через низкое сопротивление ключа П. После выключени  ключа 11 в интервале времени Тд-Tt через токосъемный резистор 3 протекает только ток контролируем Ж( микросхемы 2 емкость линии уже зар жена, а ток утечки согласующего трансформатора очень мал. Это достигаетс  тем, что каркас согласующего трансформатора изготавливаетс  секционированным из диэлектрима с больщим удельным поверхностным и объемным сопротивлением, например из фторопласта, а первична  и вторична  обмотки размещаютс  в разных секци х.The duration of one test T is determined by the time interval between the "Run" signals corresponding to a single address. By this signal, the strobe signal generator 9 through the matching transformer 10 maintains the key P in the on state for a time Ti 0.1 Tr. During this period of time, the capacitance is quickly charged and measure the voltage through the low resistance of the key P. After turning off the key 11 the time interval Td-Tt through the collector resistor 3 only the current is controlled by W (chips 2 the line capacity is already charged and the leakage current of the matching transformer is very small. This is achieved by making the matching transformer frame Partitioned from a dielectric with a large specific surface and volume resistance, for example, from a fluoroplastic, and the primary and secondary windings are placed in different sections.

Измеритель напр жени  6 оценивает величину протекающего тока микросхемы 2 по падению напр жени  на токосхемном реЗисторе 3 по принципу Годен-Негоден. Эта информаци  в виде высокого или низкого уровн  передаетс  на регистратор 7, содержащий логическую схему «Исключающее - ИЛИ и регистр пам ти, хран щий результаты контрол .Voltage meter 6 evaluates the magnitude of the flowing current of the microcircuit 2 by the voltage drop on the current-circuit resistor 3 according to the Goden-Unsuitable principle. This information, in the form of a high or low level, is transmitted to the recorder 7, which contains an exclusive-OR logic and a memory register storing the control results.

Сравнительные испытани  данного устройства с известным показали возможность расширени  диапазона измер емых токовых параметров микросхем на два ггор дка и испытательных напр жений до ОООВ.Comparative tests of this device with the known one showed the possibility of extending the range of measured current parameters of the microcircuits by two gigawas and test voltages to OOOV.

Это позвол ет контролировать микросхе йы с оптронными св з ми.This allows you to monitor microchips with optocoupler connections.

Claims (2)

Формула изобретени Invention Formula Устройство дл  контрол  параметров Микросхемы, содержащее программный источиик напр жени , соединенный с генератором управл ющего сигнала, регистратором , измерителем напр жени , коммутато ром, а также через токосъем ый резистор, снабженный схемой управлени , с пам тью, и непосредственно с коммутатором, соединенным через измерительную линию с испытуемым прибором, отлмчаюи еес  тем, что, с целью расширени  диапазона измер емых параметров, оно содержит последовательносоединенные генератор строб-сигнала., согласующий трансформатор и ключ подключенные к генератору управл ющих сигналов, а ключ, йодключепный параллельно их токосъемному резистору..A device for controlling the parameters of a microcircuit containing a software voltage source connected to a control signal generator, a recorder, a voltage meter, a switch, as well as through a current collector resistor equipped with a memory control circuit, and directly to a switch connected through measuring line with the device under test, which is based on the fact that, in order to expand the range of measured parameters, it contains a series-connected strobe signal generator., a matching transformer a key attached to the generator control signals, and the key of the collector yodklyuchepny parallel resistor .. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:Sources of information taken into account in the examination: L Авторское свидетельство СССР 417748, кл. G 01 R 31/26, 1974.L USSR Author's Certificate 417748, cl. G 01 R 31/26, 1974. 2. Патент СУЙ № 3423677, кл. 324-73, 1969.2. Suy patent number 3423677, cl. 324-73, 1969.
SU752178913A 1975-10-09 1975-10-09 Arrangement for testing microcircuit parameters SU615432A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU752178913A SU615432A1 (en) 1975-10-09 1975-10-09 Arrangement for testing microcircuit parameters

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU752178913A SU615432A1 (en) 1975-10-09 1975-10-09 Arrangement for testing microcircuit parameters

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU615432A1 true SU615432A1 (en) 1978-07-15

Family

ID=20633833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU752178913A SU615432A1 (en) 1975-10-09 1975-10-09 Arrangement for testing microcircuit parameters

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU615432A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3287636A (en) Method and apparatus including condenser means for measuring the insulation from earth of electrical networks
US1983665A (en) Electrical measuring instrument
SU615432A1 (en) Arrangement for testing microcircuit parameters
US3521155A (en) Ignition amplifier and coil tester
US2312840A (en) Electrical measuring apparatus
US3287635A (en) Electrical discharge simulator for insulation testing including relay means connected across series capacitors
US2425321A (en) Ignition testing device
SU1045178A1 (en) Integrated circuit contacting checking device
SU926602A1 (en) Uhf power meter
US3324387A (en) Method and apparatus employing a charged capacitor indicator for automatic testing of breakdown characteristics of electronic devices such as cold-cathode diodes
US2891220A (en) Measuring apparatus
SU1684720A1 (en) Active resistance measuring device
US2741741A (en) Device for testing or measuring capacitance or inductance
SU932464A1 (en) Device for monitoring time parameters of relay
SU1164636A1 (en) Device for grading and rejecting semiconductor diodes
US2562697A (en) Pulse rate measurement
SU892362A1 (en) Device for checking semiconductor device
US2281470A (en) Electrical measuring instrument
SU552571A1 (en) Apparatus for testing current transformers in transient conditions
SU1180807A2 (en) Phase-meter for testing automatic control systems
US2481655A (en) Apparatus for locating faults in cables
SU970249A1 (en) Device for measuring circuit power factor in transitional mode
RU1780051C (en) Device for checking automatic cutouts
SU883874A1 (en) Electric magnet operation checking device
SU1057890A1 (en) Device for measuring semiconductor gate transitional thermal characteristic