SU599319A1 - Device for control of power transistor of a converter - Google Patents

Device for control of power transistor of a converter

Info

Publication number
SU599319A1
SU599319A1 SU762407643A SU2407643A SU599319A1 SU 599319 A1 SU599319 A1 SU 599319A1 SU 762407643 A SU762407643 A SU 762407643A SU 2407643 A SU2407643 A SU 2407643A SU 599319 A1 SU599319 A1 SU 599319A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
converter
base
transformer
power transistor
Prior art date
Application number
SU762407643A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Вадим Константинович Зайцевский
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1221
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1221 filed Critical Предприятие П/Я А-1221
Priority to SU762407643A priority Critical patent/SU599319A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU599319A1 publication Critical patent/SU599319A1/en

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к области электротехники и может быть использовано в преобразовател х и ключевьк усилител х мощности дл  управлени  силовыми тран- . зисторами, работающими в режиме переключени .The invention relates to the field of electrical engineering and can be used in converters and key power amplifiers for controlling power trans. switching-mode sistors.

Известны устройства управлени  силовь ми транзисторами, содержащие коммутирующий трансформатор, вторична  обмотка которого св зана со входной цепью силового транзистора через выпр митель и базовый резистор .Power transistor control devices are known that contain a switching transformer, the secondary winding of which is connected to the input circuit of the power transistor through a rectifier and a base resistor.

После запирани  силового транзистора в такой схеме цепь базы оказьтаетс  разомкнутой, что вызывает дополнительные потери в транзисторе.After locking the power transistor in such a circuit, the base circuit is open-circuited, which causes additional losses in the transistor.

Известны также схемы с насьш1ающимс  коммутирующим трансформатором, вторична  обмотка которого соединена со входом силового транзистора через базовый резистор этой схеме при насыщени сердечника трансформатора транзистор выключаетс  и услови  запирани  улучшены по отношению к ранее указанной схеме. Однако врем  рассасывани  избыточныхAlso known are circuits with an onboard switching transformer, the secondary winding of which is connected to the input of the power transistor through the base resistor of this circuit when the core of the transformer is saturated, the transistor turns off and the locking conditions are improved relative to the previously specified circuit. However, the resorption time of excess

носителей в базе силового транзистора остаетс  достаточно большим, так как запирание происходит пассивно.carriers in the base of the power transistor remains quite large, since the locking occurs passively.

Цель изобретени  - повышение КПД преобразовател  путем уменьшени  длительности процесса выключени  силового транзистора .. The purpose of the invention is to increase the efficiency of the converter by reducing the duration of the process of turning off the power transistor.

Это достигаетс  тем, что в предложенном устройстве параллельно входу силовогоThis is achieved by the fact that in the proposed device, parallel to the power input

транзистора, управл емого от коммутирующего трансформатора через базовый резистор , включен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, эмиттер которого Соединен с базой силовогоthe transistor controlled from the switching transformer through the base resistor, includes an additional transistor of the opposite conductivity type, the emitter of which is connected to the base of the power

транзистора, а коллектор - с эмиттером силового транзистора. База дополнительного транзистора подключена через дополнительный резистор к второму выводу вторичной обмотки коммутирующего трансформатора.transistor, and the collector - with the emitter of the power transistor. The base of the additional transistor is connected via an additional resistor to the second output of the secondary winding of the switching transformer.

На чертеже показана схема предложенного устройства на примере двухтактного полумостового самовозбуждающегос  преобразовател .The drawing shows a diagram of the proposed device on the example of a push-pull half-bridge self-exciting transducer.

Claims (2)

Преобразователь содержит коммутируюший трансформатор 1, к вторичным обмоткам которого эмиттерами непосредственно, а базами через базовые резисторы 2 и 3 подключены силовые транзисторы 4 и 5 преобразовател . На выходе преобразовател  установлен силовой ненасыщакицийс  транс форматор 6, к вторичной обмотке которого подключен выходной выпр митель 7. Между базой и эмиттером каждого из транзисторов преобразовател  подключены соответст венно эмиттером и коллектором дополнительные транзисторы 8 и 9 противоположного типа проводимости, соединенные базами через дополйительные резисторы 10 и 11с общей точкой соответствуквцей обмот ки кoммyтиpyющeгq трансформатора и базовых резисторов 2 и 3, Процесс выключени  каждого из транзисторов 4 и 5 начинаетс  когда сердечник коммутирующего трансформатора насыщаетс  Напр жение на обмотках коммутирующего трансформатора становитс  практически рав ным нулю, В насыщенном транзисторе начинаетс  процесс, разр да избыточного зар да в базе. В процессе разр да напр жение на базе транзистора мало измен етс , вплоть до момента вьтхода его из насыщени , когда оно, также как и на обмотке коммутирунэщего трансформатора, мена гет знак При отсутствии дополнительных транзисторов 8 и 9 разр д происходит через со- противление базового резистора и соответс вующей обмотки. Эти сопротивлени  ограничивают ток разр да и увеличивают врем  рассасывани . Разница во времени рассаськ вани  в смежные полупериоды и асимметри  этих полупериодов оказьгеаютс  значительны ми, Дополнительный транзистору подключенный к насьпценному транзистору преобразовател  при уменьшении напр жени  на обмотке коммутирующего трансформатора насышаетс . Образуетс  дополнительна  цепь дл  разр да избыточного зар да в базе насыщенного транзистора преобразовател . Со противление насьпиенного дополнительного транзистора во много раз меньше сопро- тивлени  базового резистора. Поэтому ток разр да увеличиваетс , а врем  рассасывани  избыточных носителей уменьшаетс . Разница во времени рассасьдаани  в смежные полупериоцы, а следовательно, и асимметри  полупериодов уменьшаютс . Благодар  этому исключаетс  одностороннее подмагничивание трансформатора 6 и повы шаетс  , КПД преобразовател . Формула изобретени  Устройство управлени  силовым транзистором преобразовател , содержащее коммутирующий трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с эмиттером силового транзистора, а второй вывод через базовый резистор соединен с базой силового транзистора, о т л и ч а ю щ и и с   тем, что, с целью повышени  КПД преобразовател , путем уменьшени  длительности переходного процесса выключени  силового транзистора, введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, эмиттер которого соединен с базой силового транзистора, коллектор сое дивен с эмиттером силового транзистора, а база через дополнительный резистор соединена со вторым выводом вторичной обмотки коммутирующего трансформатора. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе; 1.Авторское свидетельство № 275126, кл. И 03 к 17/56, 1969. The converter contains a switching transformer 1, the emitters directly to the secondary windings, and the power transistors 4 and 5 of the converter are connected to the bases through the base resistors 2 and 3. A power transformer 6 is installed at the output of the converter, the output rectifier 7 is connected to the secondary winding. Additional transistors 8 and 9 of opposite conductivity connected to the emitter and collector are connected to the secondary winding of each transistor of the converter, respectively 11 with a common point corresponding to the winding of the coil of the transformer and the base resistors 2 and 3, the process of turning off each of the transistors 4 and 5 begins when the core of the switching transformer becomes saturated The voltage across the windings of the switching transformer becomes almost zero, In a saturated transistor, the process starts, the discharge of the excess charge in the base. During the discharge process, the voltage at the base of the transistor changes little, up to the moment of its discharge from saturation, when it, just like on the winding of the commutating transformer, is changed in the absence of additional transistors 8 and 9 discharge occurs through the resistance of the base transformer. resistor and corresponding winding. These resistances limit the discharge current and increase the resorption time. The difference in the time of dissipation into adjacent half-periods and the asymmetry of these half-periods turn out to be significant. An additional transistor connected to the main transistor of the converter decreases at the voltage of the switching transformer winding. An additional circuit is formed to discharge the excess charge in the base of the saturated transistor of the converter. The resistance of the applied additional transistor is many times less than the resistance of the base resistor. Therefore, the discharge current is increased, and the resorption time of excess carriers is reduced. The difference in dissolving time into adjacent halfperiots, and consequently, the asymmetry of the half-periods is reduced. Due to this, the one-sided bias of the transformer 6 is eliminated and the efficiency of the converter increases. The invention The control device of the power transistor of the converter, comprising a switching transformer, the first output of the secondary winding of which is connected to the emitter of the power transistor, and the second output through the base resistor is connected to the base of the power transistor, so that In order to increase the efficiency of the converter, by reducing the duration of the transient switching off of the power transistor, an additional transistor of the opposite conductivity type is introduced, the emitter of which is connected to DNAase power transistor, the collector to the emitter of soy Diven power transistor, and whose base is connected via a further resistor to a second terminal of the secondary winding of the switching transformer. Sources of information taken into account in the examination; 1. Certificate of author No. 275126, cl. And 03 to 17/56, 1969. 2.Патент QUA № 2774878, кл„ 331-113, 1956.2.Patent QUA No. 2774878, cl. 331-113, 1956. -CZZh-r-CZZh-r r .7r .7 ..
SU762407643A 1976-10-01 1976-10-01 Device for control of power transistor of a converter SU599319A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762407643A SU599319A1 (en) 1976-10-01 1976-10-01 Device for control of power transistor of a converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762407643A SU599319A1 (en) 1976-10-01 1976-10-01 Device for control of power transistor of a converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU599319A1 true SU599319A1 (en) 1978-03-25

Family

ID=20678150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762407643A SU599319A1 (en) 1976-10-01 1976-10-01 Device for control of power transistor of a converter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU599319A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3146406A (en) Transistor voltage converter
JPH0468859B2 (en)
JPS6160669B2 (en)
US3986052A (en) Power switching control circuit with enhanced turn-off drive
US3999086A (en) Drive circuit for a controllable electronic switching element, for example, a power transistor
SU599319A1 (en) Device for control of power transistor of a converter
US4319315A (en) D.C. to D.C. converter
GB2182815A (en) Inductive load switching circuit
SU957368A1 (en) Device for controlling two-cycle transistor switch
JPS6130510B2 (en)
JPH0117610B2 (en)
SU1305843A1 (en) Transistor switch
RU2035835C1 (en) Direct-to-alternating voltage converter
SU877758A1 (en) Voltage converter
SU866740A1 (en) Magnetotransistorized switch
SU924810A1 (en) High-frequency inverter with pulse-width modulation
SU974521A1 (en) Power transistorized swith control device
JPS61273170A (en) Clock control type dc-dc converter
JPH055699Y2 (en)
SU860311A2 (en) Magnetic transistor dc switch
CA1104647A (en) Inverter with coupling transformers
SU1244774A1 (en) Two-step self-excited inverter
SU1001393A1 (en) Dc vl-to-ac voltage converter
JPH03245768A (en) Ringing choke converter
SU565292A1 (en) Direct current voltage key stabilizer