SU585939A1 - Ultrasonic microwelding method - Google Patents

Ultrasonic microwelding method

Info

Publication number
SU585939A1
SU585939A1 SU762334400A SU2334400A SU585939A1 SU 585939 A1 SU585939 A1 SU 585939A1 SU 762334400 A SU762334400 A SU 762334400A SU 2334400 A SU2334400 A SU 2334400A SU 585939 A1 SU585939 A1 SU 585939A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
ultrasonic
frequency spectrum
welded
range
vibrations
Prior art date
Application number
SU762334400A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Михайлович Колешко
Original Assignee
Физико-технический институт АН Белорусской ССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физико-технический институт АН Белорусской ССР filed Critical Физико-технический институт АН Белорусской ССР
Priority to SU762334400A priority Critical patent/SU585939A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU585939A1 publication Critical patent/SU585939A1/en

Links

Landscapes

  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

(54) СПОСОБ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ(54) METHOD OF ULTRASONIC MICROSWARK

такта с активными центрами дл  схватывани  металлов.tact with active centers for the seizure of metals.

Экспериментально установлено, что сигнал акустической эмиссии возникает за очень короткий нромежуток времени, например дл  алюмини  пор дка 0,03 мксек, н ричем спектр лежит в килогерцовом диапазоне. Затем второй полосовой фильт|р из шумового спектра частот вырезает спектр частот гиперзвукового диапазона, например 1-3 кГц. Это позвол ет уменьшить силовое воздействие на соедин емые элементы, резко ускорить процессы взаимной диффузии, растворение окисных пленок и образование монолитного соединени . Это обуславливает резкое про вление фонон-фононного и фонон-электронного взаимодействи  соедин емых м атериалов, что сказываетс  на качестве микросварки.It was established experimentally that an acoustic emission signal occurs in a very short time interval, for example, for aluminum, about 0.03 microseconds, and the spectrum lies in the kilohertz range. Then the second bandpass filter | p from the noise frequency spectrum cuts the frequency spectrum of the hypersonic range, for example, 1-3 kHz. This makes it possible to reduce the force effect on the joining elements, sharply accelerate the processes of mutual diffusion, dissolution of oxide films and the formation of a monolithic compound. This causes a sharp appearance of the phonon-phonon and phonon-electron interaction of the connected materials, which affects the quality of micro welding.

Все это способствует уменьшению времени микросварки до 0,04-0,1 сек, так как килогерцева  (ультразвукова ) область оказывает превалируюш,ее вли ние на процесс пластической деформации и создание физического контакта, а мегагерцева  или гегагерцева  (гиперзвукова ) область -на схватывание металлов, процесс диффузии и сн тие внутренних напр жений в зоне соединени . Лепестки перфорированной алюминиевой ленты сваривались описываемым способом с контактной площадкой из алюминиевой пленки толш,иной 1,2 мкм на кристалле интегральной схемы без пассивации окислом, при этом получили следующие качественные показатели соединений: прочность соединени  12-14 г; коэффициент вариации на обрыв электроконтактное сопротивление 0,5-1,2 ом; коэффициент воспроизводимости контактного сопротивлени  6-8%.All this contributes to reducing the time of micro-welding to 0.04-0.1 sec, since the kilohertz (ultrasonic) region has a prevailing effect, its influence on the process of plastic deformation and the creation of physical contact, and the megahertz or gehagertz (hypersonic) region - to the setting of , the process of diffusion and the removal of internal stresses in the joint zone. The petals of perforated aluminum tape were welded using the described method with a contact pad made of an aluminum film of a thickness different from 1.2 µm on the chip of the integrated circuit without oxide passivation, and the following joint quality characteristics were obtained: the bond strength was 12-14 g; coefficient of variation for breakage; electrical contact resistance 0.5-1.2 ohm; The reproducibility of the contact resistance is 6-8%.

При пассивации кристалла интегральнойWith the passivation of the integral crystal

оabout

схемы пленкой SiO2 толшиной 760А получили следующие качественные показатели соединений: прочность соединени  7-11 г; коэффициент вариации на обрыв 9-14%; контактное электросопротивление 2-5 ом, коэффициент воспроизводимости контактного сопротивлени  9-13%.Schemes with a SiO2 film of thickness 760A obtained the following quality indicators of the compounds: the strength of the compound is 7-11 g; coefficient of variation for the precipice 9-14%; contact electrical resistance of 2–5 ohms, the coefficient of reproducibility of contact resistance of 9–13%.

При этом врем  сварки составл ло 0,22 сек.At the same time, the welding time was 0.22 sec.

Исследовани  показали, что при соединении проволочных выводов из алюмини  диаметром 30 мкм с тонкопленочными контактами из алюмини  толщиной 0,8 мйм на двуокиси кремни , прочность соединени  увеличиваетс  в 1,2-1,3 раза, электросопротивление переходного сло  уменьшаетс  в 1,9- 2,1 раза, а воспроизводимость качества оо0 единений как по переходному элеклросоПротивлению , так и прочности увеличиваетс  до 3 раз.Studies have shown that when connecting wire leads made of aluminum with a diameter of 30 µm with thin-film aluminum contacts 0.8 m thick on silica, the strength of the compound increases 1.2-1.3 times, the electrical resistance of the transition layer decreases by 1.9-2 , 1 time, and the reproducibility of the quality of compounds both in terms of transitional electrical resistance and strength increases to 3 times.

Отличительна  особенность эффективностиDistinctive feature of efficiency

данного способа состоит в том, что имеетс This method is that there is

5 возможность осуществл ть качественную5 ability to make quality

сварку через тонкие пассивирующие диэлекоwelding through thin passivating dieleko

трические пленки толщиной до 1000-ЗОООА. Это особенно эффективно, так как исключаетtric films up to 1000-ZOOOA. This is especially effective since it eliminates

0 прУДОемкую технологическую операцию удалени  пассивирующих окисных пленок на контактных площадках, что сокращает срок службы соединени , так как с течением времени наблюдаетс  по вление охрупчивани 0 an awkward technological step of removing passivating oxide films on the contact pads, which shortens the service life of the joint, as the occurrence of embrittlement is observed over time

5 за счет коррозии.5 due to corrosion.

Claims (2)

1.Способ ультразвуковой микросварки, П|ри котором на свариваемые детали подают1. The method of ultrasonic micro-welding, P | ri which on the welded parts are served 0 ультразвуковые колебани  спектра частот, отличающийс  тем, что, с целью повыщени  качества сварных соединений, в начальный период процесса при создании физического контакта на свариваемые издели 0 ultrasonic vibrations of the frequency spectrum, characterized in that, in order to increase the quality of welded joints, in the initial period of the process when creating physical contact on the welded products 5 подают колебани  спектра частот ультразвукового диапазона, а затем подают колебани  спектра частот гиперзвукового диапазона.5, oscillations of the frequency spectrum of the ultrasonic range are applied, and then vibrations of the frequency spectrum of the hypersonic range are applied. 2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что спектр частот колебаний ультразвукового2. A method according to claim 1, characterized in that the frequency spectrum of ultrasonic vibrations 0 диапазона выбирают соответствующим спектру акустической эмиссии свариваемых деталей .Range 0 is chosen corresponding to the acoustic emission spectrum of the parts to be welded. Источники информации, сприн тые во внимание при экспертизеSources of information sprined in consideration during the examination 1. Авторское свидетельство СССР №502728, кл. В 23К 19/04, 1974.1. USSR author's certificate No. 502728, cl. 23K 19/04, 1974.
SU762334400A 1976-03-16 1976-03-16 Ultrasonic microwelding method SU585939A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762334400A SU585939A1 (en) 1976-03-16 1976-03-16 Ultrasonic microwelding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762334400A SU585939A1 (en) 1976-03-16 1976-03-16 Ultrasonic microwelding method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU585939A1 true SU585939A1 (en) 1977-12-30

Family

ID=20652237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762334400A SU585939A1 (en) 1976-03-16 1976-03-16 Ultrasonic microwelding method

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU585939A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6105848A (en) Wire bonding method, wire bonding apparatus and semiconductor device produced by the same
MY129925A (en) ULTRASONIC BONDING PROCESS BEYOND 125 kHz.
US4628573A (en) Process for producing array-type ultrasonic probe
SU585939A1 (en) Ultrasonic microwelding method
JPH03245544A (en) Wire bonding
JP3283548B2 (en) Electrode for ultrasonic wire bonding
JPH06244230A (en) Manufacturing method of bonding electrode and device having the same
JPH0212919A (en) Formation of bump electrode
JP3800929B2 (en) Semiconductor package, manufacturing method thereof, and insulating tape substrate for semiconductor package
US6165888A (en) Two step wire bond process
JPH08124973A (en) Ultrasonic wire bonding method
JPH07263478A (en) Bonding tool
SU1655713A1 (en) Method for attaching resistor bridges of wire to contact lands
JP2003338514A (en) Structure and method of ultrasonic bonding, and electronic component using the same and method of manufacturing the electronic component
Tsujino et al. Welding characteristics of ultrasonic wire bonding using high-frequency vibration systems
JP2000021917A (en) Method for forming bump contact point
JPH11145204A (en) Bonding tool
SU1462180A1 (en) Method of fastening acoustic emission signal converters with waveguide to object under check
JPH03283631A (en) Aluminum electrode of semiconductor device
US20010022484A1 (en) Wire bonding method, surface acoustic wave apparatus and method for producing surface acoustic wave apparatus
JPS5850423B2 (en) Ultrasonic wire bonding method
SU659320A1 (en) Microwelding control
JPH0196938A (en) Capillary for wire bonding
JPS6316632A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH05121495A (en) Wire bonding method