SU585939A1 - Ultrasonic microwelding method - Google Patents
Ultrasonic microwelding methodInfo
- Publication number
- SU585939A1 SU585939A1 SU762334400A SU2334400A SU585939A1 SU 585939 A1 SU585939 A1 SU 585939A1 SU 762334400 A SU762334400 A SU 762334400A SU 2334400 A SU2334400 A SU 2334400A SU 585939 A1 SU585939 A1 SU 585939A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ultrasonic
- frequency spectrum
- welded
- range
- vibrations
- Prior art date
Links
Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Description
(54) СПОСОБ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ(54) METHOD OF ULTRASONIC MICROSWARK
такта с активными центрами дл схватывани металлов.tact with active centers for the seizure of metals.
Экспериментально установлено, что сигнал акустической эмиссии возникает за очень короткий нромежуток времени, например дл алюмини пор дка 0,03 мксек, н ричем спектр лежит в килогерцовом диапазоне. Затем второй полосовой фильт|р из шумового спектра частот вырезает спектр частот гиперзвукового диапазона, например 1-3 кГц. Это позвол ет уменьшить силовое воздействие на соедин емые элементы, резко ускорить процессы взаимной диффузии, растворение окисных пленок и образование монолитного соединени . Это обуславливает резкое про вление фонон-фононного и фонон-электронного взаимодействи соедин емых м атериалов, что сказываетс на качестве микросварки.It was established experimentally that an acoustic emission signal occurs in a very short time interval, for example, for aluminum, about 0.03 microseconds, and the spectrum lies in the kilohertz range. Then the second bandpass filter | p from the noise frequency spectrum cuts the frequency spectrum of the hypersonic range, for example, 1-3 kHz. This makes it possible to reduce the force effect on the joining elements, sharply accelerate the processes of mutual diffusion, dissolution of oxide films and the formation of a monolithic compound. This causes a sharp appearance of the phonon-phonon and phonon-electron interaction of the connected materials, which affects the quality of micro welding.
Все это способствует уменьшению времени микросварки до 0,04-0,1 сек, так как килогерцева (ультразвукова ) область оказывает превалируюш,ее вли ние на процесс пластической деформации и создание физического контакта, а мегагерцева или гегагерцева (гиперзвукова ) область -на схватывание металлов, процесс диффузии и сн тие внутренних напр жений в зоне соединени . Лепестки перфорированной алюминиевой ленты сваривались описываемым способом с контактной площадкой из алюминиевой пленки толш,иной 1,2 мкм на кристалле интегральной схемы без пассивации окислом, при этом получили следующие качественные показатели соединений: прочность соединени 12-14 г; коэффициент вариации на обрыв электроконтактное сопротивление 0,5-1,2 ом; коэффициент воспроизводимости контактного сопротивлени 6-8%.All this contributes to reducing the time of micro-welding to 0.04-0.1 sec, since the kilohertz (ultrasonic) region has a prevailing effect, its influence on the process of plastic deformation and the creation of physical contact, and the megahertz or gehagertz (hypersonic) region - to the setting of , the process of diffusion and the removal of internal stresses in the joint zone. The petals of perforated aluminum tape were welded using the described method with a contact pad made of an aluminum film of a thickness different from 1.2 µm on the chip of the integrated circuit without oxide passivation, and the following joint quality characteristics were obtained: the bond strength was 12-14 g; coefficient of variation for breakage; electrical contact resistance 0.5-1.2 ohm; The reproducibility of the contact resistance is 6-8%.
При пассивации кристалла интегральнойWith the passivation of the integral crystal
оabout
схемы пленкой SiO2 толшиной 760А получили следующие качественные показатели соединений: прочность соединени 7-11 г; коэффициент вариации на обрыв 9-14%; контактное электросопротивление 2-5 ом, коэффициент воспроизводимости контактного сопротивлени 9-13%.Schemes with a SiO2 film of thickness 760A obtained the following quality indicators of the compounds: the strength of the compound is 7-11 g; coefficient of variation for the precipice 9-14%; contact electrical resistance of 2–5 ohms, the coefficient of reproducibility of contact resistance of 9–13%.
При этом врем сварки составл ло 0,22 сек.At the same time, the welding time was 0.22 sec.
Исследовани показали, что при соединении проволочных выводов из алюмини диаметром 30 мкм с тонкопленочными контактами из алюмини толщиной 0,8 мйм на двуокиси кремни , прочность соединени увеличиваетс в 1,2-1,3 раза, электросопротивление переходного сло уменьшаетс в 1,9- 2,1 раза, а воспроизводимость качества оо0 единений как по переходному элеклросоПротивлению , так и прочности увеличиваетс до 3 раз.Studies have shown that when connecting wire leads made of aluminum with a diameter of 30 µm with thin-film aluminum contacts 0.8 m thick on silica, the strength of the compound increases 1.2-1.3 times, the electrical resistance of the transition layer decreases by 1.9-2 , 1 time, and the reproducibility of the quality of compounds both in terms of transitional electrical resistance and strength increases to 3 times.
Отличительна особенность эффективностиDistinctive feature of efficiency
данного способа состоит в том, что имеетс This method is that there is
5 возможность осуществл ть качественную5 ability to make quality
сварку через тонкие пассивирующие диэлекоwelding through thin passivating dieleko
трические пленки толщиной до 1000-ЗОООА. Это особенно эффективно, так как исключаетtric films up to 1000-ZOOOA. This is especially effective since it eliminates
0 прУДОемкую технологическую операцию удалени пассивирующих окисных пленок на контактных площадках, что сокращает срок службы соединени , так как с течением времени наблюдаетс по вление охрупчивани 0 an awkward technological step of removing passivating oxide films on the contact pads, which shortens the service life of the joint, as the occurrence of embrittlement is observed over time
5 за счет коррозии.5 due to corrosion.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762334400A SU585939A1 (en) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | Ultrasonic microwelding method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762334400A SU585939A1 (en) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | Ultrasonic microwelding method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU585939A1 true SU585939A1 (en) | 1977-12-30 |
Family
ID=20652237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762334400A SU585939A1 (en) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | Ultrasonic microwelding method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU585939A1 (en) |
-
1976
- 1976-03-16 SU SU762334400A patent/SU585939A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6105848A (en) | Wire bonding method, wire bonding apparatus and semiconductor device produced by the same | |
MY129925A (en) | ULTRASONIC BONDING PROCESS BEYOND 125 kHz. | |
US4628573A (en) | Process for producing array-type ultrasonic probe | |
SU585939A1 (en) | Ultrasonic microwelding method | |
JPH03245544A (en) | Wire bonding | |
JP3283548B2 (en) | Electrode for ultrasonic wire bonding | |
JPH06244230A (en) | Manufacturing method of bonding electrode and device having the same | |
JPH0212919A (en) | Formation of bump electrode | |
JP3800929B2 (en) | Semiconductor package, manufacturing method thereof, and insulating tape substrate for semiconductor package | |
US6165888A (en) | Two step wire bond process | |
JPH08124973A (en) | Ultrasonic wire bonding method | |
JPH07263478A (en) | Bonding tool | |
SU1655713A1 (en) | Method for attaching resistor bridges of wire to contact lands | |
JP2003338514A (en) | Structure and method of ultrasonic bonding, and electronic component using the same and method of manufacturing the electronic component | |
Tsujino et al. | Welding characteristics of ultrasonic wire bonding using high-frequency vibration systems | |
JP2000021917A (en) | Method for forming bump contact point | |
JPH11145204A (en) | Bonding tool | |
SU1462180A1 (en) | Method of fastening acoustic emission signal converters with waveguide to object under check | |
JPH03283631A (en) | Aluminum electrode of semiconductor device | |
US20010022484A1 (en) | Wire bonding method, surface acoustic wave apparatus and method for producing surface acoustic wave apparatus | |
JPS5850423B2 (en) | Ultrasonic wire bonding method | |
SU659320A1 (en) | Microwelding control | |
JPH0196938A (en) | Capillary for wire bonding | |
JPS6316632A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH05121495A (en) | Wire bonding method |