SU557701A1

SU557701A1 - Device for grading radiating semiconductor structures

Info

Publication number: SU557701A1
Application number: SU7602312884A
Authority: SU
Inventors: Б.С. Лисенкер; Ю.Е. Марончук; И.Е. Марончук; Ю.Г. Пухов
Original assignee: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср; Новосибирский государственный университет
Priority date: 1976-01-14
Filing date: 1976-01-14
Publication date: 1977-12-25

Description

Изобретение относитс к технике измерени светового ;излучени :и может быть использовано рл экспрессного контрол однородности квантового выхода излучени полупроводниковых структур, предназначенных дл изготовлени светодиодов или других оптоэлектронных приборов. В производстве светодиодов отбраковка готовых приборов производитс с помощыю измерителей ркости, в качестве которых используютс фотометры . Недостатком такого контрол вл етс необходимость изготрвлени большого числ приборов дл оценки их параметров. Известно устройство дл отбраковки излучак их полупроводниковых структур, содержащее источник питани структуры и ка либрованный фотоприемник, включенный в ; измерительную схему 2 Дл измерени квантового выхода излучени структур с помощью такого устройства необходимо из контролируемой структуры изготовить излучательный элемент заданной площади. При этом разруша с часть контролируемой структуры и затрачиваютс дополнительные средства на изготовление контрол№ого элемента. Кроме того, устройство не может быть использовано дл контрол однородности излучени по площади структуры. Целые изобретени вл етс упрощение процесса измерени . Поставленна цель достигаетс тем, что устройство содержит подвижный капилл рный микрозонд, заполненный электролитам, по . центральной оси которого расположен световод с фотоприемником. Микрозонд может легко перемещатьс по структуре, а фотоприемник при этом фиксирует вег-ичину квантового выхода излучени в соответствующей точке. На чертеже приведена структурна схема предложенного устройства. Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капилл рный микрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом , который вл етс омическим контактом 3. По центральной оси микрозонда расположен световод 4 с фотоприемником 5. Пластина размещена на подвижном держа-The invention relates to a technique for measuring light; radiation: and can be used to express expressly control the homogeneity of the quantum yield of radiation of semiconductor structures intended for the manufacture of LEDs or other optoelectronic devices. In the production of LEDs, the rejection of finished devices is done with the aid of luminance meters, which use photometers. The disadvantage of such a control is the need to make a large number of instruments for evaluating their parameters. A device is known for rejecting an emitter of their semiconductor structures, comprising a structure power source and a calibrated photodetector included in; measuring circuit 2 To measure the quantum radiation output of structures using such a device, it is necessary to fabricate a radiation element of a given area from the monitored structure. In this case, destruction of a part of the controlled structure and additional funds are spent on the production of the control element. In addition, the device cannot be used to control the uniformity of radiation over the area of the structure. The whole invention is to simplify the measurement process. The goal is achieved by the fact that the device contains a mobile capillary microprobe filled with electrolytes. the central axis of which is the light guide with a photodetector. The microprobe can easily move through the structure, and the photodetector at the same time captures the vein of the quantum yield of radiation at the corresponding point. The drawing shows a block diagram of the proposed device. The device contains a measuring plate 1, on which a capillary microprobe 2 is installed, filled with a transparent electrolyte, which is an ohmic contact 3. A light guide 4 with a photodetector 5 is located on the center axis of the microprobe. The plate is placed on a movable holder

тел 6 образца. Микрозон-д и держатель образца электрически св заны с источником 7 питани , электрическа схема 8 дл измфенв фотоотклика электрически св зана с фотоприемником 5. Устройство работает следующим образом. Через жидкий омический микрозондовый контакт 3 и подвижный держатель 6 к структуре прикладываетс напр жение и за счет тока, проход щего через световод 4 либо через прозрачный электролит, излучение пошдает на калиброванный фотоприемник и регистрируетс электрической схемой 8,tel 6 sample. The microzone and the sample holder are electrically connected to the power supply 7, the electrical circuit 8 for measuring photo responses is electrically connected to the photoreceiver 5. The device operates as follows. Through a liquid ohmic microprobe contact 3 and a movable holder 6, a voltage is applied to the structure and due to the current passing through the optical fiber 4 or through a transparent electrolyte, the radiation goes to a calibrated photodetector and is recorded by an electric circuit 8,

Квантовый выход рекомбинационного излучени рассчитываетс по формулеThe quantum yield of recombination radiation is calculated by the formula

W. / W. /

; гдеУУ. соответственно мощности, подводима к структуре и излучаема (измер етс фотоприемником);; where is uu. accordingly, the power supplied to the structure and radiated (measured by a photodetector);

оС - коэффициент, учитывающий гео метрию зонда и характер растекани тока, Коэффициент об может быть определен экспериментально дл данного зониа.оС is a coefficient taking into account the probe geometry and the nature of current spreading; the coefficient о can be determined experimentally for a given zone.

Использование апилл рного з(ЖРа с фотоприемником позвол ет проводить измерени по площади ст|руктуры без ее разрушеЕВ , уменьшает затраты на изготовление контрольных светодиодов, увеличивает полезную плошавь используемой структуры.The use of an apillary s (ZHR with a photodetector makes it possible to measure across the structure area without destroying it, reduces the cost of manufacturing control LEDs, increases the useful area of the structure used.

Claims

Invention Formula

A device for rejecting a semiconductor structures emitter with them, containing a structure power source and a calibrated photodetector included in a measurement circuit, characterized in that, in order to simplify the measurement process, it contains a mobile capillary microprobe filled with electrolyte, the light guide c is located along its central axis photodetector.

Sources of information taken into account in the examination;

1, Green G, I. Measurement of parameters and testing of semiconductor devices, Higher School, M., 1974, p. 182-186.

2.CfdtZT W.WOEEE Trava U-12, 531, 1965.

J2