SU557434A1 - Анизотропный травитель - Google Patents

Анизотропный травитель

Info

Publication number
SU557434A1
SU557434A1 SU2331287A SU2331287A SU557434A1 SU 557434 A1 SU557434 A1 SU 557434A1 SU 2331287 A SU2331287 A SU 2331287A SU 2331287 A SU2331287 A SU 2331287A SU 557434 A1 SU557434 A1 SU 557434A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
silicon
etching
etchant
water
pyramids
Prior art date
Application number
SU2331287A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Федосеевич Карантиров
Зоя Дмитриевна Клюбина
Юрий Александрович Михайлов
Анатолий Иванович Носков
Сергей Васильевич Петров
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5476
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5476 filed Critical Предприятие П/Я Х-5476
Priority to SU2331287A priority Critical patent/SU557434A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU557434A1 publication Critical patent/SU557434A1/ru

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области электронной техники, а именно, к технологии производства полупроводниковых приборов. Оно может быть использовано при анизотроном травлении кремни  в процессе произвол ства полупроводниковых структур с диэлектрической изол цией.
Известен анизотропный травитель кремни  ij , состо щий из гидроокиси кали  или натри  и воды. Недостатком травите- л   вл етс  неудовлетворительное качество вытравленного рельефа,
Наиболее близким техническим решением  вл етс  анизотропный гразигель 2 пре
имущественно дл  кремни  с ориентацией (100), содержаший, вес.%: гидроокись шелочного металла, например кали , 50 и вод 50.
Недостатком травител   вл етс  низкое полирующее действие в кристаллографической плоскости (100), что приводит к образованию дефектов травлени  в плоскости дна вытравливаемого рельефа в виде пира-. МИД с гран ми (Ш).
Целью изобретени   вл етс  повышение полирующего действи  в направлении ц оскости (100) дл  широкого диапазона глубин вытравливаемого рельефа.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в травитель дополнительно введена перекись водорода при следующем соотношении компо нентов, вес.%:
Гидроокись кали 2-15
Перекись водорода0,3-4,0
Вода97.6-81,0
Использование предложенного анизотропного травител  кремни  позвол ет повысить чистоту поверхности дна вытравливаемых впадин (плотность пирамид с гран ми (Ш) составл ет менее 10 см ); при этом скорость травлени  кремни  в направлении плоскости (10О) равЕШ 0,2-1,5 мкм/мин при температуре травител  80-2 С.
Пример 1. Травитель составлен из следующих компонентов, вес.%: Гидроокись кали 2,5
Перекись водорода0,4
Деконизованна  вода97,1

Claims (2)

  1. В кварцевом стакане приготавливают 1 л 2,5%-ного водного раствора гидроокиси каа  , приливают 3,5 мл 30%-ного раствора перек св водорода. Смесь нагревают в стакане, закрытом водоохлаждаемой крышкой, до температуры 8О-2 С. Затем в нагретую смесь помешаю одастины кремни  КДБ-4,5 с ориентацией .поверхности в плоскости (100) и с защитной маской из двуокиси кремни  толщиной 0,8 мкм.. Элементы защитной маски выполнены в виде окон пр моугольной формы с размерами сторон 160х8О мкм. В течение 30 мин травлени  образуетс  рельеф глу 1иной 40 мкм, при этом средн   скорость травлени  кремни  составл ет , 1,3 мкм /мин. Поверхность рельефа выгл дит зеркальной (дефекты в виде пирамид с гран ми (Ш) лаблюдаютс  редко, плотность их не превышает 1О см). Оценка качества поверхности микрорелье фа проводилась с помощью микроинтерферометра МИИ-4. Пример 2. Проводилось травление такихже, какв примере 1, кремниевых плас тин в травителе состава, вес.%: Гидроокись кали 8,0 Перекись водорода2,0 Деионизованна  вода 9О,О Температуру травител  поддерживают на уровне 8О i 2 С, при этом скорость травлени  кремни  равна 0,6 мкм/мин. Поверхность дна впадип аыгл цит зеркальной, плот ность пирамид с гран ми (Ш) составл ет 0,8 . 1О± см . Пример 3. Проводилось травление таких же, как и в примерах 1, 2, кремниевы пластин в травителе состава (вес.%): 34 Г шроокись .кали 15 П4рекись водорода4 Деиониэованна  вода81 Температуру травител  поддерживают на уровне 80 2 С, при этом средн   скорость травлени  кремни  равна 0,2 мкм/мин. По верхность дна отверстий выгл дит зеркальной (плотность пирамвд с гран ми ( Ш ) составл ет 0,3 . 10 см. Травитель обеспечивает высокое качест во вытравливаемого рельефа и позвол ет повысить процент выхода годных структур на операции вытравливани  релье Формула изобретени  Анизхэтропный травитель, преимущественно дл  кремни  с ориентацией (100), содержащий гидроокись щелочного металла, например кали , и воду, отличаюшийс   тем, что, с целью повышени  его полируюшего действи  в направлении плоскости (1ОО) дл  широкого диапазона глубин вытравливаемого рельефа, он дополнитель но содержит перекись водорода при еледующем соотношении компонентов, вес.%: Гидроокись кали 2-15 Перекись водорода 0,3-4 Вода81-97,7 i . , .1 Источники информаичи, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Авторское свидетельство СССР № 352539,. С 01 В 33/02, 1974.
  2. 2.Патент Японии № 48-26568, кл. 99 (5) С 3, 1974.
SU2331287A 1976-03-02 1976-03-02 Анизотропный травитель SU557434A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2331287A SU557434A1 (ru) 1976-03-02 1976-03-02 Анизотропный травитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2331287A SU557434A1 (ru) 1976-03-02 1976-03-02 Анизотропный травитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU557434A1 true SU557434A1 (ru) 1977-05-05

Family

ID=20651206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2331287A SU557434A1 (ru) 1976-03-02 1976-03-02 Анизотропный травитель

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU557434A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001034877A1 (en) * 1999-11-10 2001-05-17 Memc Electronic Materials, Inc. Alkaline etching solution and process for etching semiconductor wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001034877A1 (en) * 1999-11-10 2001-05-17 Memc Electronic Materials, Inc. Alkaline etching solution and process for etching semiconductor wafers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4113551A (en) Polycrystalline silicon etching with tetramethylammonium hydroxide
US4171242A (en) Neutral pH silicon etchant for etching silicon in the presence of phosphosilicate glass
ES2235540T3 (es) Suspension de oxido de cerio para pulir, procedimiento para perparar la suspension y procedimiento para pulir usando la suspension.
US4230522A (en) PNAF Etchant for aluminum and silicon
EP0159579A3 (en) Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions
GB1528990A (en) Polishing semiconductor materials
DE2151073B2 (de) Verfahren zum Polieren von Saphiroder Magnesiumspinell-Einkristallen
US4929301A (en) Anisotropic etching method and etchant
US3679502A (en) Gaseous nonpreferential etching of silicon
US4117093A (en) Method of making an amorphous silicon dioxide free of metal ions
SU557434A1 (ru) Анизотропный травитель
US3671437A (en) Etchant for selectively etching patterns in thin silicon dioxide layers and method of preparing such an etchant
Young Jr Oxide nuclei and dislocations
SU722865A1 (ru) Травильный раствор
Bagai et al. Preferential etchant for revealing crystallographic defects on (111) Te surface of CdTe crystals
Chaudhuri et al. Grown‐In Dislocations in Calcium Tungstate Crystals Pulled from the Melt
Moroi et al. Solubility and micelle formation of bolaform-type surfactants: hydrophobic effect of counterion
US4619731A (en) Process for etching via holes in alumina
Levinstein et al. Calcium tungstate. II. Observation of dislocations
George et al. Dislocation and indentation studies on potassium acid phthalate crystals
US4021294A (en) Process for producing amethyst crystals
US2935781A (en) Manufacture of germanium translators
RU1225282C (ru) Раствор для электрохимического травления молибдена и его сплавов
JPS57135711A (en) Preparation of high purity silicon tetrafluoride
JPS5756942A (en) Manufacture of silicon semiconductor device