SU557434A1 - Анизотропный травитель - Google Patents
Анизотропный травительInfo
- Publication number
- SU557434A1 SU557434A1 SU2331287A SU2331287A SU557434A1 SU 557434 A1 SU557434 A1 SU 557434A1 SU 2331287 A SU2331287 A SU 2331287A SU 2331287 A SU2331287 A SU 2331287A SU 557434 A1 SU557434 A1 SU 557434A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- etching
- etchant
- water
- pyramids
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области электронной техники, а именно, к технологии производства полупроводниковых приборов. Оно может быть использовано при анизотроном травлении кремни в процессе произвол ства полупроводниковых структур с диэлектрической изол цией.
Известен анизотропный травитель кремни ij , состо щий из гидроокиси кали или натри и воды. Недостатком травите- л вл етс неудовлетворительное качество вытравленного рельефа,
Наиболее близким техническим решением вл етс анизотропный гразигель 2 пре
имущественно дл кремни с ориентацией (100), содержаший, вес.%: гидроокись шелочного металла, например кали , 50 и вод 50.
Недостатком травител вл етс низкое полирующее действие в кристаллографической плоскости (100), что приводит к образованию дефектов травлени в плоскости дна вытравливаемого рельефа в виде пира-. МИД с гран ми (Ш).
Целью изобретени вл етс повышение полирующего действи в направлении ц оскости (100) дл широкого диапазона глубин вытравливаемого рельефа.
Поставленна цель достигаетс тем, что в травитель дополнительно введена перекись водорода при следующем соотношении компо нентов, вес.%:
Гидроокись кали 2-15
Перекись водорода0,3-4,0
Вода97.6-81,0
Использование предложенного анизотропного травител кремни позвол ет повысить чистоту поверхности дна вытравливаемых впадин (плотность пирамид с гран ми (Ш) составл ет менее 10 см ); при этом скорость травлени кремни в направлении плоскости (10О) равЕШ 0,2-1,5 мкм/мин при температуре травител 80-2 С.
Пример 1. Травитель составлен из следующих компонентов, вес.%: Гидроокись кали 2,5
Перекись водорода0,4
Деконизованна вода97,1
Claims (2)
- В кварцевом стакане приготавливают 1 л 2,5%-ного водного раствора гидроокиси каа , приливают 3,5 мл 30%-ного раствора перек св водорода. Смесь нагревают в стакане, закрытом водоохлаждаемой крышкой, до температуры 8О-2 С. Затем в нагретую смесь помешаю одастины кремни КДБ-4,5 с ориентацией .поверхности в плоскости (100) и с защитной маской из двуокиси кремни толщиной 0,8 мкм.. Элементы защитной маски выполнены в виде окон пр моугольной формы с размерами сторон 160х8О мкм. В течение 30 мин травлени образуетс рельеф глу 1иной 40 мкм, при этом средн скорость травлени кремни составл ет , 1,3 мкм /мин. Поверхность рельефа выгл дит зеркальной (дефекты в виде пирамид с гран ми (Ш) лаблюдаютс редко, плотность их не превышает 1О см). Оценка качества поверхности микрорелье фа проводилась с помощью микроинтерферометра МИИ-4. Пример 2. Проводилось травление такихже, какв примере 1, кремниевых плас тин в травителе состава, вес.%: Гидроокись кали 8,0 Перекись водорода2,0 Деионизованна вода 9О,О Температуру травител поддерживают на уровне 8О i 2 С, при этом скорость травлени кремни равна 0,6 мкм/мин. Поверхность дна впадип аыгл цит зеркальной, плот ность пирамид с гран ми (Ш) составл ет 0,8 . 1О± см . Пример 3. Проводилось травление таких же, как и в примерах 1, 2, кремниевы пластин в травителе состава (вес.%): 34 Г шроокись .кали 15 П4рекись водорода4 Деиониэованна вода81 Температуру травител поддерживают на уровне 80 2 С, при этом средн скорость травлени кремни равна 0,2 мкм/мин. По верхность дна отверстий выгл дит зеркальной (плотность пирамвд с гран ми ( Ш ) составл ет 0,3 . 10 см. Травитель обеспечивает высокое качест во вытравливаемого рельефа и позвол ет повысить процент выхода годных структур на операции вытравливани релье Формула изобретени Анизхэтропный травитель, преимущественно дл кремни с ориентацией (100), содержащий гидроокись щелочного металла, например кали , и воду, отличаюшийс тем, что, с целью повышени его полируюшего действи в направлении плоскости (1ОО) дл широкого диапазона глубин вытравливаемого рельефа, он дополнитель но содержит перекись водорода при еледующем соотношении компонентов, вес.%: Гидроокись кали 2-15 Перекись водорода 0,3-4 Вода81-97,7 i . , .1 Источники информаичи, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Авторское свидетельство СССР № 352539,. С 01 В 33/02, 1974.
- 2.Патент Японии № 48-26568, кл. 99 (5) С 3, 1974.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2331287A SU557434A1 (ru) | 1976-03-02 | 1976-03-02 | Анизотропный травитель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2331287A SU557434A1 (ru) | 1976-03-02 | 1976-03-02 | Анизотропный травитель |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU557434A1 true SU557434A1 (ru) | 1977-05-05 |
Family
ID=20651206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2331287A SU557434A1 (ru) | 1976-03-02 | 1976-03-02 | Анизотропный травитель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU557434A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001034877A1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Alkaline etching solution and process for etching semiconductor wafers |
-
1976
- 1976-03-02 SU SU2331287A patent/SU557434A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001034877A1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Alkaline etching solution and process for etching semiconductor wafers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4113551A (en) | Polycrystalline silicon etching with tetramethylammonium hydroxide | |
US4171242A (en) | Neutral pH silicon etchant for etching silicon in the presence of phosphosilicate glass | |
ES2235540T3 (es) | Suspension de oxido de cerio para pulir, procedimiento para perparar la suspension y procedimiento para pulir usando la suspension. | |
US4230522A (en) | PNAF Etchant for aluminum and silicon | |
EP0159579A3 (en) | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions | |
GB1528990A (en) | Polishing semiconductor materials | |
DE2151073B2 (de) | Verfahren zum Polieren von Saphiroder Magnesiumspinell-Einkristallen | |
US4929301A (en) | Anisotropic etching method and etchant | |
US3679502A (en) | Gaseous nonpreferential etching of silicon | |
US4117093A (en) | Method of making an amorphous silicon dioxide free of metal ions | |
SU557434A1 (ru) | Анизотропный травитель | |
US3671437A (en) | Etchant for selectively etching patterns in thin silicon dioxide layers and method of preparing such an etchant | |
Young Jr | Oxide nuclei and dislocations | |
SU722865A1 (ru) | Травильный раствор | |
Bagai et al. | Preferential etchant for revealing crystallographic defects on (111) Te surface of CdTe crystals | |
Chaudhuri et al. | Grown‐In Dislocations in Calcium Tungstate Crystals Pulled from the Melt | |
Moroi et al. | Solubility and micelle formation of bolaform-type surfactants: hydrophobic effect of counterion | |
US4619731A (en) | Process for etching via holes in alumina | |
Levinstein et al. | Calcium tungstate. II. Observation of dislocations | |
George et al. | Dislocation and indentation studies on potassium acid phthalate crystals | |
US4021294A (en) | Process for producing amethyst crystals | |
US2935781A (en) | Manufacture of germanium translators | |
RU1225282C (ru) | Раствор для электрохимического травления молибдена и его сплавов | |
JPS57135711A (en) | Preparation of high purity silicon tetrafluoride | |
JPS5756942A (en) | Manufacture of silicon semiconductor device |