(54) МИКРОЗОНДОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ АНАЛИЗА МИКРОРЕЛЬЕФА На чертеже показана блок-схема предлож нного устройства дл анализа микрорельефа .. Ц Устройство содержит РЭМ 1с системой формировани электронного пучка, отклон юmefl системой 2 и генератором разверток 3, стол 4 дл исследуемого обьекта 5, детектор вторичных электронов 6, усилитель 7, . ВКУ 8, блок 9 анализа изображени , импульсный усилитель 10, амплитудно-коордиватный преобрааователь 11, амплитудный анализатор 12, множительное устройство 13, детектор 14 первичных электронов, импульсный усилитель 15, счетное устройство 16. Устройство работает .следукндим образом. Система формироЕзни электронного пучка микроскопа 1 создает на поверхности исследуемого Ъбъекта 5 электронный зонд малого диаматра, Сканированиа nytixa по поверхности исследуемого ооъекта осуществл етс с по- мошью отклон ющей системы 2, на которую подаетс пилообразное напр жение от генератора разверток 3. Вторичные электроны, эмиттированные объе1стом под действием пучка перви иых электронов, регистрируютс детектором вториЧных электронов 6, и усиленный блоком ; 10 сигнал, представл ющий собой последо вательность импульсов, количество которых соответствует количествуэмиттированных вторичных электронов, подаетс на один i из входов амплитудно- координатного npeoi разовател 11, на другой вход которого поступает пилсюбраэное; напр жение от генератора ралвертр.-3;:; ,адалй1гу динатном. прео6разйБа.йё. 11; .Я |1звадйтс усиление сигнала от 6 орвгчнЬ1х: электронов и1)Я4ж ножейие..его с линейно возрастекидим напр женней Ът генератора разверток. Результирующий выходной сигнал поступает в пам ть многоканального амплитудного анализатора 12, откуда сигнал, соответствую.щий количеству втори-чных электронов, эмит тированных определенным участком объекта подаетс на вход множительного устройства 13. Сигнал с выхода детектора первичных электронов 14, представл ющий собой последовательность импульсов, число которых соответствует количеству первичных электронов , воздействуюишх на .данную точку объека-а, усиливаетс импульсным усилителем 15 и поступает на вход счетного устройства 16. С выхода устройства16 сиг нал, величина которого соответствует количеству первичтгых эпектронов, возаействуюших на объект в данной точке, подаетс на вход мнсжительного устройства 13. В множительном устройстве 13 сигнал от вторичных электронов, эмиттированных данной точкой объекта, нормируетс сигна- лом от первичных электронов, воэдейству1о. ших на данную точку объекта. На выходе множительного устройства образуетс сигнал, однозначно харшстеризутоший изменение коэффициента вторичной эмиссии на поверисности образца. Поскольку коэффициент вторичной эмиссии зависит от угла падени первичного пучка, указанный сигнал будет однозначно характеризовать также изменение профил микрорельефа поверсности объекта. Перед анализом объектов, содержащих различные примесные включени , на объект нанос т тонкую металлическую пленку с делью устранени вли ни примесных вклк. нении на точность анализа микрорельефа. Предложенное устройство может быть широко использовано, например, в металлур гии дл лабораторногоанализа плавок, а также в машиностроении дл обнаружени причин разрушени - различных деталей путем изучени микрорельефа щс изломов. Ф о р мул а ,и 3 о б р е те н и Устройе тв6;Дц9 анализа микрорельефа, содержащее peiCTp0Biij§ эдектронный микроскоп с блоками развёртки луча, детекторы первичных и вторичных электронов, усшштеш . анализатор изображени , о т ли ч а ю ., щ, е е с тем, что, с целью повь1шени точности измерений, в устройство введены амплитудный анализатор, амплитудно-координатный преобразователь, а также счетное и множительное устройства, при этом детектор первичных электронов соединен с последовательно соединенными импульсным усилителем , счетным и множительным устройствами , второй вход множительного устройства соединен через амплитудный анализатор с амплитудно-координатным преобразователем, подключенным к блоку развертки луча и детектору вторичных электронов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Патент США №3876878, кл. 25049 .5, 1975 2.МаНа Р.Т и gp. AppSicat-ion of the йсаии мб e2ecifon mjcroscope te ijemiconducioh S/floEici fiiaie ТесЬноРо у, 1969, 12, № 1, с. 34 (прототип).