SU550527A1 - Проектор дл измерени параметров сечени кристаллов - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к области контрольно-измерительной техники, приборам технологического контрол  и может быть использовано , в частности, в ювелирной промышленности при измерении параметров сечений кристаллов на проекторах.

Известен проектор дл  измерени  параметров сечени  деталей, папример, лопаток турбин , содержащий осветитель с щелевыми диафрагмами , проектирующий объектив, экран и держатель детали 1. Контур сечени  в таком проекторе образуетс  при проектировании щелевых диафрагм на поверхность детали. Однако наблюдать на экране можно только часть общего контура сечени : контур сечени  тех поверхностей, которые обращены в сторону проектирующего объектива.

Таким образом, невозможен одновременный контроль полного контура сечени  объекта в случае, если одна часть контура сечени  обращена в сторону проектирующего объектива, а друга  - в противоположную сторону. Между тем, наблюдение всего контура сечени  объекта (кристалла)  вл етс  об зательным условием технологического процесса на ювелирных предпри ти х. Дл  контрол  контура сечени  поверхностей, обращенных от проектирующего объектива, необходим разворот контролируемого объекта на 180°, что отрицательно сказываетс  на производительности труда.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению  вл етс  проектор дл  измерени  параметров сечени  кристаллов , содержащий осветитель с щелевыми диафрагмами, первую проектирующую систему из последовательно расположенных объектива и сменного светоотражател , установленного перпендикул рно оси проектировани , экран и держатель кристалла 2.

Этот ироектор позвол ет осуществл ть контроль сечени  поверхностей, обращенных как в сторону проектирующего объектива, так и от него, без разворота контролируемой детали на 180°.

Однако масштаб изображени  новерхностей, обращенных в сторону проектирующего объектива , отличаетс  от масштаба изображени  поверхностей , обращенных от проектирующего объектива, что объ сн етс  различной длиной хода световых лучей. Следствием этого  вл етс  незамкнутость контура сечени  ири некоторых пространственных иололсени х детали относительно осветител . По этой причине при выполнении процесса измерений по вл етс  необходимость производить дополнительные пересчеты параметров частей контура сечени  кристалла, полученных в различных масштабах , в один масштаб, что приводит к резкому снижению производительности трзда.

Целью изобретени   вл етс  повышение производительности процесса измерени .

Дл  этого предлагаемый проектор снабжен симметрично расположенной относительно первой проектирующей системы второй проектирующей системой, у светоотражател  которой количество отражающих поверхностей на единицу больше, чем у светоотражател  первой проектирующей системы, и устройством совмещени  изображени  частей контура сечени , проектируемых объективами обеих систем в плоскость экрана.

На фиг. 1 изображена оптическа  схема проектора; на фиг. 2 - кристалл с лини ми контура сечени  при виде со стороны объектива первой проектирующей системы; на фиг. 3- кристалл с лини ми контура сечени  при виде со стороны объектива второй проектирующей системы; на фиг. 4 - совмещенное изображение контура сечени  кристалла на экране проектора .

Проектор содержит осветитель, включающий источники света 1 и 2, конденсоры 3 и 4, щелевые диафрагмы 5 и 6, объективы 7 и 8 и обращенные навстречу друг другу плоские зеркала 9 и 10, расположенные под 45° к оптическим ос м объективов 7 и 8 так, что отражаемые ими световые потоки лежат в одной плоскости.

Симметрично относительно зеркал 9 и 10 на нути отражаемого ими светового потока расположен держатель 11 кристалла. В плоскости , перпендикул рной световому потоку, с противоположных сторон относительно держател  И кристалла расположены: перва  проектирующа  система, содержаща  последовательно расположенные объектив 12 и и отражатель 13 (например, плоское зеркало), который установлен под 45° относительно оптической оси объектива 12, и ей симметрична  втора  проектирующа  система, содержаща  последовательно расположенные объектив 14 и отражатель 15 с двум  плоскими, обращенными навстречу друг другу рабочими поверхност ми 16 и 17, установленными под 22° 30 относительно оптической оси объектива 14. Оптические оси объективов 12 и 14 первой и второй проектирующих систем совпадают. Фокусные рассто ни  объективов 12 и 14 одинаковы .

Рабочие поверхности отражателей 13 и 15 ориентированы на устройство совмещени  изображени  частей контура сечени  кристалла. Это устройство представл ет собой комбинацию из отражателей 18 и 19 (например, плоских зеркал), рабочие поверхности которых обращены навстречу друг другу ив сторону отражателей 13 и 15 и установлены под 45° относительно оптической оси объективов 12 н 14, и расположенного между отражател ми 18 и 19 V-образного отражател  20, рабочие поверхности которого обращены в сторону отражателей 18 и 19. Далее по ходу лучей объективов 12 и 14 в предметной плоскости располон ен экран 21 дл  наблюдени  изображени  контура сечени  кристалла.

Работает предлагаемый проектор следующим образом.

Измер емый кристалл 22 устанавливают в держателе 11 в произвольном положении и затем держателю И задают такое пространственное положение, при котором грани 26 и 24 кристалла оказываютс  ориентированными на объектив 12, а грани 25 и 26 - на объектив 14.

Световой поток от источников света 1 и 2 конденсорами 3 н 4 фиксируетс  в плоскость диафрагм 5 и 6, и объектив 8 через отражатель 10 проектирует на грани 23 и 24 кристалла 22 изоораженне щелевой диафрагмы 6 в виде ломаной линии 27 (см. фиг. 2), объектив 7 через зеркало 9 проектирует с встречного направлени  на грани 25 и 26 кристалла 22 изооражение щелевой диафрагмы 5 в виде ломаной линии 28 (см. фиг. 3). В итоге на поверхности кристалла 22 образуетс  наблюдаемый замкнутый контур сечени  в виде световой ломаной линии 27 и 28. Часть этого контура сечени  в виде ломаной линии 27, видимой со стороны объектива 12, проектируетс  последним в плоскость экрана 21 через отражатели 13, 18 и 2и, друга  часть контура сечени  в виде ломаной линии 28, видимой со стороны объектива 14, проектируетс  последним в плоскость экрана 21 через отражатели 15, 19 и 20, при этом изображение ломаной линии 28 оборачиваетс  по сравнению с изображением линии 27 за счет того, что у отрал ;ател  15 количество рабочих поверхностей на одну больше, чем у отражател  13. Благодар  одинаковым фокусным рассто ни м объективов 12 и 14, масштаб увеличени  изображений частей контура сечени  кристалла оказываетс  одинаковым.

Предлагаемый проектор позвол ет получить на экране изображение замкнутого контура сечени  кристалла независимо от пространственного положени  последнего относительного осветител .

Благодар  одномасштабному и замкнутому изображению частей контура сечени  кристалла упрощаетс  процесс измерени  параметров сечени  кристалла и тем самым достигаетс  повышение производительности труда.

Сущность изобретеии  не изменитс , если зеркала 9 и 10 и отражатели 13, 18 и 19 выполнить в виде пр моугольных призм, отражатель 15 - в виде пентапризмы, а отражатель 20 - в виде двух отдельных пр моугольных приз.м. Отражатель 20 может быть также выполнен в виду двух склениых пр моугольных призм с полупрозрачным слоем между ними, используемых, например, в бинокул рных насадках к микроскопам, однако, при этом  ркость изображени  контура сечени  кристалла на экране проектора будет ниже, чем в форме исполнени , представленной на фиг. 1.

При необходимости объективы 12 и 14 могут быть установлены д;ежду отражател ми 13, 18 и 15, 19 соответственно.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство № 109606, М. Кл. G 01 В 9/08, 1956.

2.Патент ФРГ № 915270, кл. 42В 26/03, 1949 - прототип.

т

гЧ

1 7

2

Pu2. 1

28