SU547039A1 - Электронный переключатель на мднтранзисторах - Google Patents

Электронный переключатель на мднтранзисторах

Info

Publication number
SU547039A1
SU547039A1 SU1954900A SU1954900A SU547039A1 SU 547039 A1 SU547039 A1 SU 547039A1 SU 1954900 A SU1954900 A SU 1954900A SU 1954900 A SU1954900 A SU 1954900A SU 547039 A1 SU547039 A1 SU 547039A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
input
voltage
gate
circuit
Prior art date
Application number
SU1954900A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Иванович Золотаревский
Борис Мансурович Мансуров
Владимир Павлович Сидоренко
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU1954900A priority Critical patent/SU547039A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU547039A1 publication Critical patent/SU547039A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к област м аналоговой и аиалогово-цифроБой вычислительной техники и телеметрии.
Известен электронный переключатель на МДП-транзисторах, содержащее два последовательно соединенных ключевых транзистора одного ти:па проводимости, .схему защить выхода переключател  от перенапр жени , действующего «а его входе, формирователь напр жени , сигнализирующего отрицательное перенапр жение, и формирователь напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение .
К недостаткам известного устройства относитс  низка  надежность и сложность схемы.
С целью повыщени  надежности и упрощени  схемы электронного переключател  на МДП-траизисторах в нем схема защиты выполнена в виде двух цепочек последовательно соединенных транзисторов с индуцированным каналом одного типа проводимости, включенных между входом переключател  и положительным полюсом источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение , причем средн   точка первой цепочки подключена к затвору ключевого транзистора, подсоединенного к входу, и через резистор-к управл ющему входу переключател , а средн   1-очка второй цепочки соединена с затвором транзистора первой цепочки, подключенного к положительному полюсу источника напр л ени , сигнализирующего полол ительное иеренаетр жение, и через дополнптельный транзистор, затвор которого соединен с затвором второго транзистора первой цепочки, соединена с входом переключател , затвор первого транзистора другой цепочки соединен со стоком этого транзистора и подключен к входу , а затвор второго транзистора подсоединен к средней точке последовательно соединенных транзисторов входной цепочки формировател  напр л ени , сигнализирующего положительное перенапр жение, у которого первые транзисторы схем подачи на пр жепи  на подложку и входной цепочки, затворы которых подключены к иололсительному иолюсу псточ ика на|Пр л ени , сигнализирующего полологтельное перенапр л ение, подсоединеиы к входу переключател , второй транзистор схемы подачи напр жени  «а подлол ку, затвор которого подключен к средней точке входной цепочки, подсоединен к положительному полюсу упом нутого источника, а точка соединени  первого и второго транзисторов схемы подачи напр л ени  подключена к подложке, второй транзистор входной цепочкп включен по схеме МДП-резистора и подсоединен к отрицательному полюсу источника напр жени  питани , причем точка соединени  транзисторов входной целочКИ подключена ко входу доцолпительно введенного инвертора, включенного между положительным полюсом источника напр жени , сигнализируюидего положительное 1еренапр жен1ие, и отрицательным полюсом источника напр жени  литани , а выход и«вертора подключен к затвору выходного транзистора , включенного между положительным полюсом источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, и точкой соединени  ключевых транзисторов, а формирователь напр жени , сигнализируюпдего отрипательное перенапр жение, выполнен на МДП-транзисторе, включенном между отрицательным полюсом Источника иапр жени , сигнализирующего отрицательное перенапр жение , и точкой соединени  ключевых транзисторов , затвор его подключен к средней точке второй цепочки схемы защиты.
На чертеже представлена принципиальна  схема предлагаемого электронного переключател  на МДП-транзисторах.
Переключатель содержит дл  последовательно соединенных ключевых транзистора 1 и 2 с индуциро:ванным каналом одного типа проводимости , затворы которых объединены через резистор 3 и подключены к управл ющему входу 4. Схема защиты выполнена в виде двух цепочек последовательно соединенных транзисторов, перва  из которых содержит транзисторы 5 и 6, а втора  - 7 и 8. Точка соединени  транзисторов 5 и 6 подключена к затвору транзистора 1, а обща  точка транзистора 7 .и 8 соединена с затвором транзистора 6 и через дополнительный транзистор 9, затвор которого соединен с затвором транзистоpa 5 и подключен к положительному полюсу источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, - с входом 10. Затвор транзистора 8 подсоединен к средней точже транзисторов 11 и 12. Формирователь напр жени , сигнализирующего отрицательное перенапр жение, выполнен на МДП-транзисторе 13, включенном между отрицательным полюсом 14 источника напр жени , сигнализирующего отрицательное перенапр жение, и точкой соединени  ключевых транзисторов 1 и 2. Формирователь напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, содержит схему подачи напр жени  на подложку , выполненную на транзисторах 15 и 16, входную цепочку последовательно соединенных транзисторов 11 и 12, включенную между входом 10 и отрицательным полюсом 17 источника напр жени  питани , причем транзистор 11 включен по схеме МДП-резистора, а затвор транзистора 12 подключен к положительному полюсу 18 источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, инвертор , выполненный на транзисторах 19 и ,20 и включенный между положительным полюсом 18 источника и отрицательным лолюсом 17 источника напр жени  питани . Вход инвертора подключен к точке соединени  транзисторов 11 и 12, а его выход соединен с затвором выходного транзистора 21, включенного между положительным полюсом 18 источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, и точкой соединени  ключевых транзисторов 1 и 2. Затвор нагрузочного транзистора 19 подключен к управл ющему входу 4. Схема подачи напр жени  на подложку выполнена в виде цепочки последовательно соединенных транзисторов 15 и 16, включенной между входом 10 и положительным полюсом 18 источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение , причем затвор транзистора 15 подключеп к точке соедипени  транзисторов 11 и 12, а затвор транзистора 16 подсоединен к положительному полюсу 18 источника напр жени . Точка соединени  транзисторов 15 и 16 подключена к подложке 22. Аналоговый сигнал подаетс  на вход 10 и снимаетс  с выхода 23. Управл ющее напр жение подаетс  па вход 4. Электронный переключатель на МДП-транзисторах работает следующим образом.
В рабочем состо нии, при поступлении на управл ющий вход 4 отрицательного напр жени , ключевые транзисторы ,1 и 2 открываютс , и аналоговый сигнал передаетс  на выход 23 без искажений. Транзисторы 5 и 9 схемы защиты и транзисторы 12 и 16 формировател  напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, закрыты напр жением источника. Транзисторы 8 и 20 открываютс  суммарным действием положительного напр жени  от полюса 18 и отрицательного напр жени , снимаемого с точки соединени  транзисторов И, 12. К затворам транзисторов 13 и 21 прикладываютс  запирающие напр жени , близкие к снимаемому с положительного полюса 18 источника напр жени , в результате чего на выход 23 ие передаютс  напр жени  с полюсов 14 и 18.
Если на входе 10 действует отрицательное перенапр жение, то .к затвору транзистора 6, а, следовательно, и к затвору транзистора 13 через транзистор 7 прикладываетс  отрицательное напр жение, под действием которого транзисторы 6 и 13 открыты. Положительное напр жение от полюса 18 через открытый транзистор 6 прикладываетс  к затвору ключевого транзистора 1, не пропуска  тем самым отрицательного сигнала перенапр жени  на выход 23. При поступлении на управл ющий вход 4 отрицательного напр жени  на выход передаетс  напр жепие, близкое к снимаемому с полюса 14, сигнализирующее отрицательное перенапр жение на входе 10.
Если на входе 10 действует положительное перенапр жение, превыщающее напр жение с полюса 18, то транзисторы 5 и 9 схемы защиты открыты, а транзисторы 6, 7 и 8 закрыты, к затвору ключевого транзистора 1 прикладываетс  запирающее напр жение, близкое к сигналу перенапр жени , вследствие чего положительное перенапр жение не передаетс  на выход 23 переключател . Открытые транзисторы 12 и 16 обеспечат подачу положительного напр жени , близкого к сигналу неренапр жеви , соответственно на подложку 22 и на затвор транзистора 20.
При поступленин на управл ющий вход 4 отрнцательного напр жени  ключевой транзистор 2 и выходной транзистор 21 открываютс , и на выход 23 переключател  передаетс  напр жение , близкое снимаемому с полюса 18, сигнализирующее положительное перенапр жение на входе 10. Затвор нагрузочного транзистора 19 подключен к управл ющему входу 4, следовательно, в выключенном состо нии переключател , когда к управл ющему входу 4 прикладываетс  положительное напр жение, транзистор 19 закрыт, в результате чего уменьшаетс  мощность, нотребл ема  устройством .

Claims (1)

1. Электронный переключатель на МДПтранзисторах , содержащий два последовательно соединенных ключевых транзистора одного типа проводимости, схему защиты выхода переключател  от иеренанр жени , действующего на его входе, формирователь наир жени , сигнализафующего отр|;1нательное иеренапр жение и формирователь напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение , о т л и чающийс  тем, что, с целью иовышени  надежности и упрощени  схемы, схема защиты выполнена в двух цепочек последовательно соединенных транзиеторов с индуцированным каналом одного типа проводимости, включенных ме/кду входом переключател  и положптельным полюсом источника напр жени , сигнализирующего положительиое перенап  жение, причем средн   точка пе)вой цеио-1К 1 подключена к затвору ключевого транзистора, нодсоединенного к входу, и через резистор - к управл ющему входу переключател , а средн   точка второй ценочки соединена с затвором транзистора нервой ценочки, иодключенного к положительному полюсу источника напр жени , сигнализируюп1 ,его положительное неренапр жение , и через дополпительиый транзистор, затвор которого соединен с затвором второго транзистора первой цепочки, соединена с входом переключател , затвор первого транзистора другой цепочки соединен со стоком этого транзистора и подключен к входу, а затвор второго транзистора подсоединен к средней точке последовательно соединенных транзисторов входной цепочки формировател  напр жени , сигнализируюн,его положительное перенапр жение , у которого нервые транзисторы схем подачи напр жени  на подложку и входной цепочки, затворы которых подключены к ноложительному полюсу источника нацр женн , снгнализирующего положительное перенапр жение , подсоединены к входу переключател , второй транзистор схемы подачи напр жени  на подложку, затвор которого подключен к средней точке входной цепочки, подсоединен к иоложительному полюсу упом нутого источника, а точка соединени  первого и второго транз сторов схемы подачи напр жени  подключепа к иодлож.ке, второй транзистор входной иеиочки включен ,по схеме МДПрезистора и иодсоединен к отр1щательному полюсу источиика 1 аир жени  питани , причем точка соедииени  транзисторов входной цепочки подключена ко входу дополнительно введенного инвертора, включенного между положительным полюсом псточника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение , и отрицательным иолюсом источника напр жени  питани , а выход инвертора подключен к затвору выходного транзистора, включенного между положительным полюсом источника напр жени , сигнализирующего положительное перенапр жение, и точке vi соедииени  ключевых транзисторов, а формирователь иапр жеи 1 , сигнализирующего отрицательное перенапр жение, выиолнен на МДПтраизисторе . включенном между отрицательным полюсом источника напр жени , сигнализирующего отрицательное перенаир жение и точкой соединени  ключевых транзисторов, причем затвор его подключен к средией точке второй цеиочки схемы заихиты.
SU1954900A 1973-08-13 1973-08-13 Электронный переключатель на мднтранзисторах SU547039A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1954900A SU547039A1 (ru) 1973-08-13 1973-08-13 Электронный переключатель на мднтранзисторах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1954900A SU547039A1 (ru) 1973-08-13 1973-08-13 Электронный переключатель на мднтранзисторах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU547039A1 true SU547039A1 (ru) 1977-02-15

Family

ID=20563261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1954900A SU547039A1 (ru) 1973-08-13 1973-08-13 Электронный переключатель на мднтранзисторах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU547039A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1094089A (en) Current limiter circuit
GB1463103A (en) Switching circuits
GB1106004A (en) Logic circuit
GB1113111A (en) Digital storage devices
GB1273928A (en) Protective circuit for a field effect transistor
GB1397452A (en) Threshold logic gate circuits employing field-effect transistors
GB1261211A (en) Improvements in timed shared amplifiers
GB1010342A (en) Improvements in or relating to gating circuits
GB1277338A (en) Two state transistor circuit with hysteresis
US3988616A (en) Driver circuit for liquid crystal display using insulated gate FETs
GB1418083A (en) Logic circuit arrangement using insulated gate field effect transistors
SU547039A1 (ru) Электронный переключатель на мднтранзисторах
GB1300495A (en) Logic circuit arrangement using insulated gate field effect transistors
GB1330679A (en) Tri-level voltage generator circuit
GB1024674A (en) Integrated electrical circuit
GB1483068A (en) Circuit comprised of insulated gate field effect transistors
GB1468921A (en) Circuits including field-effect transistors
GB1314356A (en) Fet switching circuit
US4302791A (en) Power supply sequencing apparatus
GB1291184A (en) Logic interconnection including a field effect transistor
GB1246815A (en) Marginal switching arrangement
SU1274147A1 (ru) Электронный ключ
GB1250818A (ru)
SU482012A1 (ru) Импульсный усилитель мощности на мдп транзисторах
SU1309278A1 (ru) Формирователь импульсов