Изобретение относитс к химической технологии получени неорганиче ких веществ, в частности к получению карбида кремни дл абразивной промышленности. Известен способ подготовки кремнезема к дальнейшей его карбидизации , включающий обработку (науглероживание ) кремнезема углеводородам при 800-1150°С в реакторах с кип щим слоем Cl. Этот способ относитс только к первой стадии процесса про изводства кристаллического карбида кремни и не примен етс в производстве . Известен также способ получени кристаллического карбида кремни (способ Ачесова), по которому смесь дробленного кремнезема смешивают с углеродным материалом, нагревают.в керновых печах до , выдержи .вают при этой температуре 16-30 ч и после отсто и охлаждени вручную сортируют полученные продукты Сз 3. К недостаткам способа относ тс периодичность и низкий выход годног продукта. Наиболее близок к предлагаемому способ получени тугоплавких карбидов , в частности карбидакремни , в движущемс слое путем обработки кварцевого песка и углеродного материала с последующим охлаждением полученного продукта 3. К недостаткам этого способа 6тнос тс его невысока скорость и большой расход электроэнергии. Цель изобретени - интенсифика . ци процесса и повышение выхода конечного продукта. По предложенному способу кварцевый песок предварительно науглёро/ живают до содержани углерода 17:35 мас.%, нагревают до 1900-2300°С и выдерживают при этой температуре сначала. 1-2 ч в электротермическом кип щем слое, .а затем 4-8 ч в-движу , щемс слое, после чего получен ный продукт в процессе охлаждени обрабатывают вод ным паром при 900ТОО С . Обработка кварцевого песка углеродным материалом в электротермичес ком слое позвол ет интенсифицировать процесс его карбидизации благодар более тесному контакту углерода с кремнеземом и инициирующему действию электрического пол . Выдержка полученного полупродукта в движущемс слое в течение 4-8 ч обеспечивает рост кристаллов до заданных размеров и непрерывность процесса. Охлаждение готового продукта до 900-700°С с одновременной обработкой вод ным паром позвол ет удалить из него свободный углерод. Предложенный способ позвол ет интенсифицировать производство кристаллического карбида кремни , повысить выход годного продукта и открывает широкие возможности дл автоматизации . Пример. Шихту - науглероженный кварцевый песок (20%с) с частицами размером 0,75 мм и нефт ной кокс с частицами размером 1 мм - загружают в реактор с электротермическим Гсип щим слоем частиц графи™ та, нагретым до 2100°С. Постепенно выгружа материал сло , вытесн ют избыточный графит. Псевдоожижение производ т природным газом, который полностью разлагаетс на водород и пироуглерод; объем материала в псевдоожиженном слое 12 л. После часовой выдержки шихт-ы в электротермическом кип щем слое получают полупродукт , содержащий 60% SiC, 24% и 16% С. -Полученный полупродукт выдерживают 4 ч при 2050°С в плотном движущемс слое кристаллизатора реактора с кольцевым электротермическим слоем. После перевода продукта из кристалли затора в зону охлаждени в него из электротермического кип щего сло поступает нова порци полупродукта В зоне охлаждени при 850-700с удал ют избыточный свободный углерод путем окислени вод ным паром, поступа .нвдим из нижележащей зоны. Потери кремни , содержащегос в шихте, вследствие сублимации в ви е SiO,Si и SiC, 3-5 вес.%. Выход готового продукта 95-97% по ремнию в шихте.This invention relates to a chemical technology for the production of inorganic substances, in particular to the production of silicon carbide for the abrasive industry. The known method of preparing silica for its further carbidization, including the treatment (carburizing) of silica to hydrocarbons at 800-1150 ° C in boiling-bed reactors with Cl. This method relates only to the first stage of the process for the production of crystalline silicon carbide and is not used in production. There is also known a method for producing crystalline silicon carbide (Achesov's method) in which the mixture of crushed silica is mixed with carbon material, heated. In core furnaces, the resulting Cz 3 products are kept at this temperature for 16-30 hours and after settling and cooling. The disadvantages of the method include the frequency and low yield of the product. Closest to the proposed method for producing refractory carbides, in particular silicon carbide, in a moving layer by treating quartz sand and carbon material with subsequent cooling of the obtained product 3. The disadvantages of this method are its low speed and high power consumption. The purpose of the invention is intensification. qi process and increase the yield of the final product. According to the proposed method, quartz sand is pre-carbonized / lives up to a carbon content of 17:35 wt.%, Heated to 1900-2300 ° C and kept at this temperature first. 1–2 hours in an electrothermal fluidized bed, and then 4–8 hours in a moving bed, after which the resulting product is treated with water vapor at 900 ° C during cooling. The treatment of quartz sand with carbon material in the electrothermal layer makes it possible to intensify the process of its carbidization due to the closer contact of carbon with silica and the initiating action of the electric field. Exposure of the obtained intermediate in a moving bed for 4-8 hours ensures the growth of crystals to a given size and the continuity of the process. Cooling the finished product to 900-700 ° C with simultaneous treatment with water vapor allows removal of free carbon from it. The proposed method allows to intensify the production of crystalline silicon carbide, increase the yield of the product and opens up wide possibilities for automation. Example. The charge — carburized quartz sand (20% s) with particles of 0.75 mm in size and petroleum coke with particles of 1 mm in size — is loaded into a reactor with an electrothermal heated bed of graphite particles heated to 2100 ° C. By gradually unloading the material of the layer, excess graphite is displaced. Fluidization is produced by natural gas, which is completely decomposed into hydrogen and pyrocarbon; The volume of material in the fluidized bed is 12 liters. After a one-hour exposure, the intermediate mixture in the electrothermal fluidized bed is obtained containing 60% SiC, 24% and 16% C. The obtained intermediate is kept for 4 hours at 2050 ° C in a dense moving layer of the crystallizer of the reactor with an annular electrothermal layer. After the product is transferred from the crystalline mash to the cooling zone, a new portion of the intermediate product enters it from the electrothermal fluidized bed. Excess free carbon is removed from the cooling zone at 850–700 s by steam oxidation from the lower zone. The loss of silicon contained in the charge, due to sublimation of SiO, Si and SiC, to 3-5% by weight. The yield of the finished product 95-97% of the belt in the charge.