SU534794A1 - Shift register - Google Patents

Shift register

Info

Publication number
SU534794A1
SU534794A1 SU2117690A SU2117690A SU534794A1 SU 534794 A1 SU534794 A1 SU 534794A1 SU 2117690 A SU2117690 A SU 2117690A SU 2117690 A SU2117690 A SU 2117690A SU 534794 A1 SU534794 A1 SU 534794A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electrode
input
region
charging
output
Prior art date
Application number
SU2117690A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Петрович Деркач
Петр Антонович Копыл
Владимир Павлович Рева
Александр Михайлович Торчинский
Олег Сергеевич Фролов
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5737
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5737 filed Critical Предприятие П/Я Х-5737
Priority to SU2117690A priority Critical patent/SU534794A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU534794A1 publication Critical patent/SU534794A1/en

Links

Landscapes

  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Description

(54) РЕГИСТР СДВИГА иы, и входной электрод, рнсиоложеиный мкмцу входной o6/ acTbifj и первым электродом второй грулны и соедмлепный с- вьнходной областью 3. Недостатками этого устройства  вл ют с  наличие четырех допошшт.сльных шин уг1{«Ш1ени  и необходимость применени  дополнительных источликов посто нного и импульсного напр жений. Целью изобретени   вл etc  упрощений; регистра. Эта цель достигаетс  тем, что предложенный регистр содержит дополнительный . электрод, расположенный на ступеньке диэлектрика между последним электродом пер вой группы и выходной областью, причем зар жагоший электрод и входна  область подключены к первой управл ющей шине, а дополнительный электрод и зар жающа  Ь5 ласть - ко второй управл ющей щиие. На чертеже показано предлагаемое устройство , в продольном разрезе, и форма управл ющих напр жений. Регистр сдвига содержит полупроводниковую подложку 1, покрытую слоем диэлек трика 2 ступенчатой формы, на котором расположена перва  группа электродов пер носа зар да 3-6, втора  группа электродов 7-9. Электроды 5, 6,8и 9, присоединены к первой управл ющей шине 10, электроды 3, 4 и 7 - ко второй управл к щей щине 11. Устройство содержит также выходную 12, зар жающую 13 и входную 14 области противоположного с подложкой типа проводимости,. зар жающий 15, входной 16 и дополнителышй 17 электроды. Зар жающий электрод 15 :И входна  облает 14 присоединены к шине 1О, дополнитель, ный электрод 17 и зар жающа  область 1 З к щине 11. Входной электрод 16 соединен. с выходной областью 12, Устройство содер жит также экранирующий электрод 18, рао положенный между электродом 16 и вхйдной областью 14.. На щину 10 подано импульсное напр же ние, тактирующее работу устройства, на шину 11 - посто нное напр жение, равное примерно половине амплитуды импульсного напр жени . Дл  подложки И -типа проводимости Тоба напр жени  имеют отрицатель ную пол рность. Во врем  тактового импульса на шине 10 зар ды подаютс  иэ-под электрода 4 под электрод 6. Одновременно выходна  область 12 зар жаетс  до потенциала зар жающей области 13, равного напр жений приложенному Ш1ше 11. Электрод 17 соз дает потенциальный барьер, преп тствующий; выт гиванию зар дов иэ-под электрода 6. По окончании тактового импульса канал . под ;шр жающим электродом 15 перекрываетс , и выходна  область 12 остаетс  под плавающим потенциалом. Одновремейно происходит передача зар да иэ-под электрода 6 в выходную область. Этот aafр д понижает потенциал выходной области и св занного с ней входного электрода 1. Если величина приход щего зар да превыщает некоторый пороговый уровень, канал под входным электродом 16 перекрываете и, и зар ды из входной области 14 под элек-|трод 7 не поступают. Если приход щий в выходную область зар д мал или равен ну-г лю, зар ды из входной области 14 посту- пают под эл&ктрод 7, , т- Следующий Тактовый импульс перемещает зар ды из-под электрода 7 под элек+ трод 9 и т, д. Устройство работоспособно и при отсут ствии экранирующего электрода 18, но eri наличие позвол ет уменьшить емкостную св зь между входной областью и входным электродом, что повышает стабильность работы. Упрощение конструкции и управлени  р4 Гистром и сокращение числа управл}пощих напр жений и щии (с щести до двух), дсю тигаетс  подключением зар жающего элек- трода и входной области, а также допол-. нительного электрода и зар жающей облас- ти к первой и второй управл ющим шинам, Формула и 3 о б р е .т а н и   Регистр сдвига, содержащий полупрово; никовую подложку, покрытую слоем диэлек трика ступенчатой формы, две группы тродов переноса зар да, расположенных на. слое диэлеетрика и соединенных с первой Ш второй управлшошими шинами, выходную, область противоположного с подложкой ти-4 па проводимости, расположенную1 в подлож-jte вблизи последнего электрода первой группы, зар жающую область, зар жающий,. электрод, расположенный на слое диэлек: трика между зар жающей и выходной област ми , входную область, расположенную в подложке вблизи первого электрода arcрой грухшы, и входной электрод, раслоло-; , женный между входной областью и первыц электродом второй группы и сЬединенный. с выходной областыо, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  регистра, он содержит дополнительный электрод, расположенный на ступеньке ди1э ектрика между последним электродом первой группы и выходной областью; причем зар жающий электрод и входна  область подключены к первой управл ющей , шине а дополнительный электрод и зар жфю ща  область - ко второй управл ющей шине . Источники информации, прин тые во RMif мание при экспертизе; 1(ЕЕЕ, S bofcld Circuit5, voE. 5С-Т 2, За вка на патент Франции №21227|7Х, G il С 19/ОО, от 9.О6.72 г. 3. За вка на патент Франции № 2121870 G- 11 С 19/00, от 25.08.72 г. ..(54) REGISTER OF SHIFT iy, and the input electrode, which is located on the input o6 / acTbifj and the first electrode of the second one, and connected to the entrance region 3. The disadvantages of this device are the availability of four additional tires, sources of constant and pulsed voltages. The purpose of the invention is simplifications etc; register. This goal is achieved by the fact that the proposed register contains an additional one. an electrode located on a dielectric step between the last electrode of the first group and the output region, the charging electrode and the input region being connected to the first control bus, and the auxiliary electrode and the charging B5 field to the second control bus. The drawing shows the proposed device, in longitudinal section, and the shape of the control voltages. The shift register contains a semiconductor substrate 1, covered with a dielectric layer 2 of a stepped form, on which the first group of charge-carrying electrodes 3-6 is located, the second group of electrodes 7-9. Electrodes 5, 6.8 and 9 are connected to the first control bus 10, electrodes 3, 4 and 7 to the second control bus 11. The device also contains output 12, charging 13 and input 14 of the region opposite to the substrate of the conductivity type . charging 15, input 16 and additional 17 electrodes. The charging electrode 15: And the input side 14 is connected to the bus 1O, an additional electrode 17 and the charging area 1 C to the busbar 11. The input electrode 16 is connected. With output area 12, the device also contains a shielding electrode 18 located between electrode 16 and input area 14 .. A pulse voltage is applied to the busbar 10, clocking the device, and the bus 11 is a constant voltage equal to about half the amplitude pulse voltage. For the substrate And the conductivity type, the Toba voltages have negative polarity. During a clock pulse on bus 10, charges are applied under electrode 4 under electrode 6. At the same time, the output region 12 is charged to a potential of the charging region 13, which is equal to the voltage applied to a width of 11. 11. The electrode 17 creates a potential barrier that prevents; pulling the charges under the electrode 6. At the end of the clock pulse channel. under the sting electrode 15 overlaps, and the output region 12 remains at floating potential. At the same time, the charge is transferred to the downstream electrode 6 to the output region. This aaa ph d decreases the potential of the output region and the input electrode 1 associated with it. If the magnitude of the incoming charge exceeds a certain threshold level, shut off the channel under the input electrode 16 and, and the charges from the input region 14 under electrode 7 do not flow . If the charge arriving in the output region is small or equal to zero, the charges from the input region 14 come under the elec- trode 7,, t- The next clock pulse moves the charges from under the electrode 7 under the electrode + 9 and t, e. The device is operational even in the absence of the shielding electrode 18, but eri presence reduces the capacitive coupling between the input area and the input electrode, which increases the stability of operation. Simplification of the design and control of the p4 Histro and reduction of the number of control of the external voltages and conduc- tions (from 2 to 2) is dug by connecting the charging electrode and the input area, as well as the add-on. the bearing electrode and the charging region to the first and second control busbars, Formula and 3 о b R e. T a n and the shift register containing half-line; a nickel substrate covered with a step-shaped dielectric layer, two groups of charge-transfer trodes located on. dieleetric layer and connected to the first W second control tires, the output, the area opposite to the substrate ti-4 conduction, located1 in the substrate-jte near the last electrode of the first group, the charging region, charging ,. an electrode located on a dielectric: tric layer between the charging and output regions, an input region located in the substrate near the first electrode with an arc of a groove and an input electrode that is rasollo; between the input area and the primary electrode of the second group and connected. with an output region, characterized in that, for the purpose of simplifying the register, it contains an additional electrode located on the electrical stage between the last electrode of the first group and the output region; moreover, the charging electrode and the input region are connected to the first control bus, and the additional electrode and the charging region are connected to the second control bus. Sources of information taken in RMif mania during examination; 1 (ЕЕЕ, S bofcld Circuit5, voE. 5С-Т 2, French patent application №21227 | 7Х, G il С 19 / ОО, dated 9.О6.72 g. 3. French patent application № 2121870 G - 11 C 19/00, 08/25/72.

-and

:ww: ww

SU2117690A 1975-03-27 1975-03-27 Shift register SU534794A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2117690A SU534794A1 (en) 1975-03-27 1975-03-27 Shift register

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2117690A SU534794A1 (en) 1975-03-27 1975-03-27 Shift register

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU534794A1 true SU534794A1 (en) 1976-11-05

Family

ID=20614040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2117690A SU534794A1 (en) 1975-03-27 1975-03-27 Shift register

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU534794A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0020160B1 (en) A sample and hold circuit
GB1340618A (en) Charge transfer apparatus
JPS5580886A (en) Semiconductor memory element and memory circuit
JPS57193198A (en) Electrostatic microphone
SE7700324L (en) SPACE-SAVING CORONAL CHARGER
EP0192142A1 (en) Charge transfer device
SU534794A1 (en) Shift register
US4048525A (en) Output circuit for charge transfer transversal filter
ES551617A0 (en) AN IMAGE PERCEIVING ARRANGEMENT COUPLED TO THE LOAD OF LINE TRANSFER TYPE
US4132903A (en) CCD output circuit using thin film transistor
JPS6233751B2 (en)
US4698656A (en) Output detector of a charge coupled device
EP0405401A2 (en) Apparatus for transferring electric charges
US4272693A (en) Analysis circuit for a charge coupled device
GB1413092A (en) Image pick-up devices
KR100249412B1 (en) Charge coupled device
US4350902A (en) Input stage for a monolithically integrated charge transfer device which generates two complementary charge packets
CA1145044A (en) Monolithically integrated charge transfer device (ctd) arrangement
US4323791A (en) Substraction and charge quantity generation charge transfer device
KR870007522A (en) Charge coupling device
US4255676A (en) Semiconductor phase shift device for a charge transfer filter
SU865078A1 (en) Method of generating potential reliff in charge-coupled devices
JPH0252424B2 (en)
US4412344A (en) Integrated rectifier circuit
EP0005590B1 (en) Charge coupled device