SU532132A1 - Магнитное запоминающее устройство - Google Patents

Магнитное запоминающее устройство

Info

Publication number
SU532132A1
SU532132A1 SU2070449A SU2070449A SU532132A1 SU 532132 A1 SU532132 A1 SU 532132A1 SU 2070449 A SU2070449 A SU 2070449A SU 2070449 A SU2070449 A SU 2070449A SU 532132 A1 SU532132 A1 SU 532132A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cores
stitched
bus
write
sampling
Prior art date
Application number
SU2070449A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Павлович Балашов
Анатолий Петрович Жмакин
Александр Орестович Тимофеев
Лев Алексеевич Шумилов
Original Assignee
Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И. Ульянова (Ленина)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И. Ульянова (Ленина) filed Critical Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И. Ульянова (Ленина)
Priority to SU2070449A priority Critical patent/SU532132A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU532132A1 publication Critical patent/SU532132A1/ru

Links

Landscapes

  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Description

малого отверсти  с пол рностью, завис щей от записываемого кода, и амплитудой, гораздо меньшей пол  трогани  элемента по самому короткому контуру. Знакопеременна  м.д.с. вокруг большого отверсти  2 создаетс  чередованием импульсов тока выборки и записи, а управл юш,а  м.д.с. вокруг малого крайнего отверсти  4 создаетс  током управлени  (фиг. 3).
На фиг. 1,6 проиллюстрирована запись «1 в элемент. Все перемычки элемента имеют равную ширину и разбиты условно на восемь слоев. Возбуждение знакопеременной м.д.с. в отсутствие тока управлени  производит обратимые изменени  в распределении остаточных магнитных потоков в перемычках, так что любое число полных периодов знакопеременной м.д.с. (т. е. любое число нар импульсов токов записи и выборки не мен ет исходного состо ни  элемента). Если подать одновременно со знакопеременной м.д.с. посто нную м.д.с. небольшой амплитуды, действующую вокруг крайнего малого отверсти  по часовой стрелке , то эта м.д.с. нарушит симметрию картины. С каждым циклом перемагничивани  будет возрастать намагниченность перемычки 8 «вниз, а перемычки 7 - «вверх. После нескольких циклов пер емычка 8 будет намагничена до насыщени  «вниз, т. е. в элемент будет записана «1. Сменив знак м.д.с. управлени , записывают «О в запоминающий элемент . Эксперименты показывают, что трех-четырех периодов знакопеременной м.д.с. достаточно дл  уверенной записи информации. М.д.с. управлени  выбираетс  значительно меньшей по амплитуде пол  трогани  сердечника по самому короткому контуру, и одна не способна изменить состо ни  сердечника. В описываемом устройстве токи выборки и записи , чередование которых создавало знакопеременную м.д.с., имели амплитуды по 0,5 А, а амплитуда тока управлени  составл ла 0,02 А.
Считывание информации происходит путем подачи в шину считывани  11 импульса тока, м.д.с. которого действует против часовой стрелки и способна пермагнитить элемент по самому длинному контуру. Если элемент находилс  в состо нии «О, то реверс потока произойдет в контуре, составленном из перемычек 5 и 7. Так как выходна  шина 12 охватывает перемычку 8, котора  не мен ет своего состо ни , в выходной шине наводитс  лишь э.д.с. помехи. При считывании «1 поток измен ет направление в контуре, составленном нз перемычек 5 и 8, и в выходной шине наводитс  э.д.с. сигнала.
На фиг. 2 показано запоминающее устройство с многокоординатной выборкой. В состав заноминаюшего устройства входит накопитель на вышеописанных сердечниках, прошитый шинами выборки 10 и шиной записи 9, проход щими через большие отверсти  сердечников , щинами считывани  11, проход щими через центральные отверсти  и шиной управлени -выхода 12, проход щей через крайние малые отверсти  сердечников. В состав устройства входит блок формирователей 13 токов выборки, вход которого соединен со 2-п разр дами регистра адреса 14, а выход соединен с шинами выборки 2, 3 ... п разр дов, формирователь 15 тока записи, соединенный с шиной записи 9, блок формирователей 16, выход которого соединен с логической схемой 17, а
выход - с шинами выборки первого разр да и с шинами считывани . Вход логической схемы 17 соединен с первым разр дом регистра адреса. В состав устройства входит схема управлени  записью и схема сигнала 18, соедиценна  с шиной управлени -выхода.
Дл  создани  в накопителе бездиодного магнитного дешифратора шины выборки проход т через большие отверсти  сердечников так, что нулева  и единична  шины первого
разр да прошиты через указанные отверсти  соответственно нечетных и четных сердечников в одном направлении, а нулевые и единичные шины вторго, третьего ... п-то разр дов прошиты через большие отверсти  нечетных и четных групп по 2, 4, ... сердечников в противоположном по отношению к шинам первого разр да направлении.
Считывание информации происходит путем одновременной подачи импульса в шину считывани  с группы формирователей 16 и импульсов в шины выборки 2 - п разр дов с группы формирователей 13. В группе формирователей 16 срабатывает только один формирователь в соответствии с режимом работы
«считывание и кодом первого разр да адреса . Св занна  с этим формирователем шина считывани  пронизывает нечетные (четные) сердечники накопител . Таким образом половина сердечников накопител  находитс  под
воздействием тока считывани . С другой стороны , в шины выборки второго, третьего, ... п-то разр дов поступают токи выборки в соответствии со значени ми старших разр дов кода адреса. Тогда все сердечники накопител , кроме двух - по одному в четной и в нечетной группе, оказываютс  под воздействием одного или нескольких токов выборки. М.д.с. токов выборки действует в контурах, включающих перемычку 5 по часовой стрелке, и не может изменить информационных состо ний сердечника («О и «1), так как в этих состо ни х перемычка 5 уже насыщена согласно действующей м.д.с. выборки (см. фиг. 3).
Совместное действие токов выборки и считывани  также не мен ет информационных состо ний сердечников. М.д.с. выборки, действующа  в контуре вокруг большого отверсти  2 (контур 5-6), как отмечалось выше, не мен ет состо ни  элемента. М.д.с. считывани ,
действующа  вокруг среднего отверсти  (контур 6-7) против часовой стрелки, не может изменить состо ни  сердечника, так как перемычка 6 намагничена согласно действию м.д.с. считывани . По всем остальным контурам сердечника результирующа  м.д.с. равна
нулю, так как амплитуды токов считывани  /счит и выборки /выб равны между собой.
В накопителе найдетс  один сердечник, на который будет действовать только ток считывани . Этот сердечник будет  вл тьс  избранным и нерейдет в состо ние «П (фиг. 3). В шине управлени -выхода 12 наводитс  э. д. с., соответствующа  хранимой в сердечнике информации.
Запись производитс  чередованием импульсов записи и выборки. Одновременно в шину управлени -выхода подаетс  ток управлени  /у с пол рностью, завис ш,ей от записываемого кода. Шина записи проходит через все сердечники , но ток записи /зап не оказывает вли ние на те из ни.х, которые наход тс  в информационных состо ни х, так как м.д.с. этого тока действует вокруг большого отверсти  по часовой стрелке. Избранный сердечник, наход щийс  в промежуточном состо нии, перемагничиваетс  иод действием чередующихс  токов выборки и записи по контуру вокруг большого отверсти .
Подача тока управлени  способствует записи информации в элемент. Процесс записи был описан выше.
Предлагаема  организаци  запоминающего устройства позвол ет сократить количество адресного оборудовани . Если при матричной организации накопител  требуетс  диодов
и 2 формирователей, то в адресной части
предлагаемого запоминающего устройства отсутствуют диоды, а количество формировате лей составл ет 2-л+З (п - разр дность кода адреса).
Примен емый способ записи позвол ет использовать в качестве разр дных маломощные формирователи на ток 20-30 мА.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Магнитное запоминающее устройство, содержащее матрицу пам ти, выполненную на
    трехотверстных сердечниках флюксорного типа из материала с пр моугольной петлей гистерезиса , прошитых шинами записи, считывани  и шинами управлени , и формирователи токов, отличающеес  тем, что, с целью
    упрощени  устройства, оно содержит шины выборки, подключенные к выходам формирователей токов и прошитые через первые крайние отверсти  сердечников, причем шины записи 1-го разр да прошиты через указанные
    отверсти  соответственно нечетных и четных сердечников в одном направлении, а шины записи 2, 3, ..., п-го разр дов прошиты через первые крайние отверсти  нечетных и четных групп по 2, 4, .... сердечников в противоположном по отношению к шинам 1-го разр да направлении.
    О)
    2
    (57,
    М
    yj
    Ч I I i
    Wr
    -
    I J
    j I i I ,
    l ,1
    -....-.-,
    1
    j.:jj..,i.
    -i:Jn7..LM
    f
    Ja/7
    ,Счит
    Фиг. 2
    un
    tO Qlctj
    ©{О
    ч.- I
    lOlofot
SU2070449A 1974-10-22 1974-10-22 Магнитное запоминающее устройство SU532132A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2070449A SU532132A1 (ru) 1974-10-22 1974-10-22 Магнитное запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2070449A SU532132A1 (ru) 1974-10-22 1974-10-22 Магнитное запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU532132A1 true SU532132A1 (ru) 1976-10-15

Family

ID=20599319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2070449A SU532132A1 (ru) 1974-10-22 1974-10-22 Магнитное запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU532132A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2869112A (en) Coincidence flux memory system
US2973508A (en) Comparator
GB769384A (en) Transformer matrix system
US2914754A (en) Memory system
GB951860A (en) Magnetic memory
SU532132A1 (ru) Магнитное запоминающее устройство
GB1119428A (en) Memory system
US3191163A (en) Magnetic memory noise reduction system
US3182296A (en) Magnetic information storage circuits
US3466631A (en) Associative memory device
US3270327A (en) Word selection matrix
US3568169A (en) Duplex cycle for 2-d film memories
US3500468A (en) Associative memory devices
US3126530A (en) Energy
SU126660A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
US3126532A (en) Interrogate
US3702992A (en) Large capacity ferromagnetic thin film memory device
GB1033096A (en) Improvements in or relating to data store arrangements
SU799001A1 (ru) Запоминающее устройство
US3710354A (en) Bipolar read-out circuit for nondestructive magnetic memory
US3140467A (en) Magnetic switching devices
US3564516A (en) Magnetic memory element having information core and readout core
SU395898A1 (ru) Накопитель запоминающего устройства
GB1006856A (en) Improvements in digital magnetic element data stores
SU762035A1 (ru) Логическое запоминающее устройство 1