Оно состоит из однотипных, например трех, чеек1, 2, 3,,.,п, кажда из которых включает в себ транзистор 4; база транзистора 4 соедин етс с эмиттером транзистора 4 следующей по пор дку чейки, а коллектор - с одной обкладкой конденсатора 5. Втора обкладка кондесатора 5 соедин етс с базой транзистора 6, коллектор которого соедин етс с нагрузочным элементом 7 (резистор, обмотка реле и т.д.), а эмиттер - с базой транзистора в следующей по пор дку чейке. Ячейки запитываютс от источника напр жени 8. Эмиттер транзистора 4 первой чейки соедин етс с источником тока 9, образованным, напри мер, источником напр жени с последовательно включенным резистором. Эмиттер транзистора 6 последней чейки ( в нашем примере чейка 3) соедин етс с общим проводом. База транзистора 4 последней чейки соедин етс с выходом электронного блока команды 1О, В каждой чейке мо гут быть включены какие- гсибо вспомогательные элементы, например резистор 11 и диод 12. В исходном состо нии база транзистора 4 последней чейки через выход блока команд 1О соединена с низким потенциалом , например, как показано на чертеже с общим проводом; так ст источника 9 про текает через эмиттер-базовые переходы транзисторов 4, и напр жение между обкла ками конденсаторов 5-минимально; транзисторы 6-закрыты, и падение напр жени на нагрузочных элементах 7-минимальн При увеличении скачком напр жени на выходе блока команд 1О, например до величины и , начинает зар жатьс конденсатор 5 первой чейки от источника тока 9 через баао-эмиттерные переходы транзисторов 6 чеек 1, 2 и 3. При этом транзисторы б вход т в режим насыщени и на нагрузочных элементах 7 каждой чейки наблюдаетс падение напр жени , приблизительно равное напр жению источника питани 8. После того как напр жение меж ду обкладками конденсатора 5 чейки 1 достигает величины, приблизительно равной напр жению U на выходе блока команд 1О, транзистор 4 чейки 1 входит в режим насыщени , и ток от источника 9 целиком протекает через базу транзистора 4 первой чейки 1 и эмиттер транзистора 4 вто рой гчейки 2, зар жа конденсатор 5 второй чейки 2 через базо-эмиттерный переход транзистора 6 чеек 2 и 3, Поскольку ток, протекающий через конденсатор 5 че ки 1, становитс равен О, транзистор б чейки 1 закрываетс , и на нагрузочном элементе 7 первой чейки 1 напр жение становитс равным О, тогда как на остальных оно продолжает оставатьс равным напр жению источника питани 8. Спуст некоторое врем на конденсаторе 5 чейки 2 напр жение достигает величины U , транзистор 6 второй чейки закрываетс ,, и напр жение на элементе 7 чейки 2 становитс равным О, начинает зар жатьс конденсатор 5 чейки 3 и т.д. Источник 9 может быть также управл ющим . При отсутствии тока от источника 9 конденсаторы 5 разр жены. При подаче тока от источника 9 конденсаторы 5 поочередно начинают зар жатьс , т.е. реле времени работает аналогично рассмотренному. Изменением величины тока от источника 9 или величины напр жени U можно электронно регулировать врем отключени нагрузок . При этом, чем больше перепад напр жени l/i , тем врем - большее, а чем больша величина тока от источника 9, тем врем - меньшее. После зар да конденсатора 5 последней чейки напр жение на нагрузочном элементе 7 всех чеек снова становитс равным О Если теперь напр жение на выходе блока команд повышаетс с до U 2 , то на выходных элементах 7 всех чеек напр жение снова становитс равным источнику 8, а затем эти напр жени поочередно снова оказываютс равными О, При уменьшении потенциала с выхода блока команд 1О конденсаторы 5 каждой чейки разр жаютс через коллекторно-базовые переходы транзисторов 4 и элементы 11 и 12. Формула изобретени Реле времени, содержащее транзисторы, база каждого из которых подключена к эмиттеру последующего транзистора, а коллекторы транзисторов подключены к одной из обкладок соответствующего конденсатора, причем база последнего транзистора подключена к источнику смещающего напр жени , отличающеес тем, что, с целью обеспечени , после подачи команды, одновременного включени всех нагрузок с последующим их поочередным отключением, оно снабжено дополнительной цепочкой, состо щей из последовательно включеннь/х j своими базо-эмиттернымк выводами транзисторов , базы которых подключены ко второй обкладке соответствующего кондесатора . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Talg-er M.Zlectro-nisch« RelaisIlectroweli , 196i, В 7,Я10,р.187-189.