SU512514A1

SU512514A1 - Полупроводниковый источник света наносекундного диапазона

Info

Publication number: SU512514A1
Application number: SU1200659A
Authority: SU
Inventors: Игорь Вениаминович Рыжиков; Вадим Иванович Павличенко; Юрий Николаевич Кузин; Наталья Сергеевна Спасская; Игорь Иванович Круглов
Original assignee: Предприятие П/Я Х-5594
Priority date: 1967-12-02
Filing date: 1967-12-02
Publication date: 1976-04-30

Description

3

телыю легируютс азотом в процессе выращивани дл создани приповерхностного сло 2 кристалла, компенсированного алюминием и азотом, толщиной от микрона до нескольких микрон. В данный слой затем вплавл етс кремнеалюминиевый сплав 3 дл получени р-п перехода 4, т. е. источник инжекции носителей зар да. Омический контакт к противоположной стороне кристалла создаетс сплавлением, например, с вольфрамовым кольцом 5. Следует отметить, что выпр мл ющий переход может быть создан также повторной диффузией алюМИни при более высокой температуре и кратковременной выдержке , чем в случае диффузии, когда создаетс компенсированной слой.

Предлагаемый источник света обладает излучением в сине-зеленой области спектра, с основным максимумом при ,49 мк (hv 2,53 эв), причем интенсивность его излучени возрастает при снижении температуры вплоть до температуры жидкого азота. Врем нарастани светового импульса светодиода не превышают 1-3 нсек, а врем затухани 3-7 нсек.

При возрастании тока до 1 а и выще у него наблюдаетс люксамперна зависимость, близка к линейной, в результате чего он имеет повышенный световыход. Можно было бы использовать кристаллы карбида кремни л-типа, предварительно легированные в процессе выращивани как алюминием, так и азотом одновременно, но така сплощна компенсаци кристаллов по всей их толщине привела бы к увеличению их удельного сопротивлени , и следовательно, к значительному возрастанию пр мого падени изготовленных на их основе импульсных источников света. Поэтому предлагаема конструкци полупроводникового импульсного источника света вл етс оптимальной.

Claims

Формула изобретени

Полупроводниковый источник света наносекундного диапазона на карбиде кремни кундного диапазона на карбиде кремни

га-типа, выполненный в виде электронно-дырочного перехода с дырочной областью, содержащей алюминий в качестве акцепторной примеси, отличающийс тем, что, с целью стабилизации и воспроизводимости спектрального распределени излучени в сине-зеленой области, снижени времени и нарастани и спада светового импульса, а также повыщени эффективности излучени при низких температурах и высоких плотност х тока, в

базовом кристалле, содержащем азот в концентрации 5-101 -2-10 см- имеетс промежуточный слой толщиной от долей микрона до нескольких микрон того же типа проводимостп , что и база, и включающий в себ одповременно донорную примесь, азот, в той же концентрации, что и в базе, и акцепторную примесь, алюминий, в концентрации IDS см-з.