SU501462A1 - Method for making ceramic piezoelectric elements - Google Patents

Method for making ceramic piezoelectric elements

Info

Publication number
SU501462A1
SU501462A1 SU2005324A SU2005324A SU501462A1 SU 501462 A1 SU501462 A1 SU 501462A1 SU 2005324 A SU2005324 A SU 2005324A SU 2005324 A SU2005324 A SU 2005324A SU 501462 A1 SU501462 A1 SU 501462A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
absorption coefficient
piezoelectric elements
annealed
polarization
infrared radiation
Prior art date
Application number
SU2005324A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Вадим Сергеевич Крикоров
Анатолий Александрович Олейников
Нариман Смаилович Ибраимов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8941
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8941 filed Critical Предприятие П/Я В-8941
Priority to SU2005324A priority Critical patent/SU501462A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU501462A1 publication Critical patent/SU501462A1/en

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к электронной технике и может быть использовано при призводстве пьезоэлементов.The invention relates to electronic engineering and can be used in the production of piezoelectric elements.

Известен способ изготовлени  керамических пьезоэлементов, включающий обра- ботку инфракрасным иачучением, сортировк по линейному коэффициенту поглощени  инфракрасного излучени , металлизацию и пол ризацию электрическим полем заготовок пьезоэлементов.A known method of manufacturing ceramic piezoelectric elements includes the processing of infrared radiation, sorting according to the linear absorption coefficient of infrared radiation, metallization and polarization of the piezoelectric elements by an electric field.

Однако пьезоэлементы, изготовленные по известному способу, имеют низкую стабильность электрофизических характеристик и большую их дисперсию.However, piezoelectric elements manufactured by a known method have low stability of electrophysical characteristics and their greater dispersion.

Цель изобретени  - повышение стабиль- ности и уменьщение дисперсии электрофизических характеристик пьезоэлементов.The purpose of the invention is to increase the stability and decrease the dispersion of the electrophysical characteristics of the piezoelectric elements.

Это достигаетс  тем, что по предлагаемому способу перед металлизацией заготовки пьезоэлементов, имеющие более низ- кий линейный коэффициент поглощени  инфракрасного излучени  по сравнению с требуемым, отжигают в окислительной среде , а заготовки, имеющие более высокий линейный коэффициент поглощени  отжигают в восстановительной среде и пол ризацию производ т электрическим полем с максимально возможной дл  данной керамики напр женностью, величина которой не превышает величины напр женности пол  теплового пробо  керамики.This is achieved by the fact that prior to metallization, the billet of piezoelectric elements, which have a lower linear absorption coefficient of infrared radiation than the required one, are annealed in an oxidizing environment, and billets that have a higher linear absorption coefficient are annealed in a reducing environment and polarization t is an electric field with the maximum possible for a given ceramics strength, the magnitude of which does not exceed the strength of the field of thermal breakdown of ceramics.

Способ может быть реализован следующим образом.The method can be implemented as follows.

Заготовки керамических пьезоэлементов облучают инфракрасным изл чением и сортируют по коэффициенту линейного поглощени .The billets of ceramic piezoelectric elements are irradiated with infrared radiation and sorted by linear absorption coefficient.

Claims (1)

Заготовки, имеющие коэффициент поглощени  больше оптимального дл  конкретного изцели , отжигают в восстановительной среде при 6ОО-1ООО С до получени  коэффициента поглощени , равного заданному. Заготовки пьезоэлементов, имеющие низкий коэффициент поглощени , отжигают в окислительной среде при 7ОО-1ООО°С до получени  заданного коэффициента поглощени . Затем заготовки пьезоэлементов металлизируют . После металлизации заготовок пол ризацию их провод т полем насыщени  дл данного керамического материала, т. е. . :. Ш 3 ;, полем, напр женность которого ограничена лишь напр женностью пол  теплового пробо . Пьезоэлементы, изготовленные по .аанному способу имеют наилучшие электрофизические характеристики и значительно меньшую их дисперсию. Температурный коэффициент частоты пьезоэлементов уменьшаетс  в 2-3 раза, резко увеличиваетс  стабильность пол ризованного состо ни , определенное по распол ризующемус  действию тепловых полей к механотеских напр жений, уменьшаетс  дисперси  электрофизггческих характеристик почти в 2 раза и увеличиваетс  выход год ных изцелий. Формула изобретени  Способ изготовлени  керамических пьезоэлементов, включающий обработку инфракрасным излучением, сортировку по линейному коэффициенту поглощени  инфракрасного излучени , металлизацию и пол ризацию электрическим полем заготовок пьезо- элементов, отличающийс  тем, что с целью повышени  стабильности и уменьшени  дисперсии электрофизических характеристик пьезоэлементов, перед металлизацией заготовки пьезоэлементов, имеющие более низкий линейный коэффициент поглощени  инфракрасного излучени  по сравнению с требуемым, отжигают в окислительной среде, а заготовки, имеющие более высокий коэффициент поглощени , отжигают в восстановительной среде и пол ризацию производ т электрическим полем с максимально возможной дл  данной керамики напр женностью, величина которой не превышает величины напр женности пол  теплового пробо  керамики.Billets that have an absorption coefficient greater than the optimum for a particular purpose are annealed in a reducing medium at 6OO-1OOO C to obtain an absorption coefficient equal to the specified one. Piezo element blanks having a low absorption coefficient are annealed in an oxidizing environment at 7OO-1OOO ° C to obtain a given absorption coefficient. Then the blanks of the piezo elements are metallized. After metallization of the blanks, the polarization is carried out by a saturation field for the given ceramic material, i.e.. :. 3, field, the intensity of which is limited only by the intensity of the thermal floor. The piezoelectric elements manufactured according to the method have the best electrophysical characteristics and a significantly lower dispersion. The temperature coefficient of the frequency of the piezoelectric elements decreases by a factor of 2-3, the stability of the polarized state increases dramatically, as determined by the spreading effect of thermal fields to mechanical stresses, the dispersion of electrophysical characteristics decreases by almost 2 times and the output helium increases. Claims The method of manufacturing ceramic piezoelectric elements, including processing by infrared radiation, sorting according to linear absorption coefficient of infrared radiation, metallization and polarization of the piezoelectric billet by the electric field, characterized in that in order to increase stability and reduce the dispersion of the electrophysical characteristics of the piezoelectric elements having a lower linear absorption coefficient of infrared radiation compared to three boiled, annealed in an oxidizing environment, and billets having a higher absorption coefficient are annealed in a reducing environment and the polarization is produced by an electric field with the maximum possible strength for a given ceramic, the magnitude of which does not exceed the intensity of the field of thermal sample of ceramics.
SU2005324A 1974-03-13 1974-03-13 Method for making ceramic piezoelectric elements SU501462A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2005324A SU501462A1 (en) 1974-03-13 1974-03-13 Method for making ceramic piezoelectric elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2005324A SU501462A1 (en) 1974-03-13 1974-03-13 Method for making ceramic piezoelectric elements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU501462A1 true SU501462A1 (en) 1976-01-30

Family

ID=20578613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2005324A SU501462A1 (en) 1974-03-13 1974-03-13 Method for making ceramic piezoelectric elements

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU501462A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zwerdling et al. Oscillatory magneto-absorption in semiconductors
Pomerantz Excitation of spin-wave resonance by microwave phonons
Nolta et al. Ferroelectricity in potassium nitrate at room temperature
SU501462A1 (en) Method for making ceramic piezoelectric elements
US2702427A (en) Method of making electromechanically sensitive material
Belt et al. EPR and optical study of Fe in Nd: YAlO3 laser crystals
US2724171A (en) Activation of ferroelectrics
Starikov et al. Monte Carlo simulation of THz maser based on optical phonon transit time resonance in GaN
US3216943A (en) Method of preparing lead titanate ferroelectric ceramics
DE69401202D1 (en) DOPED ZINCOXIDE POWDER, ITS PRODUCTION AND CERAMICS MADE THEREOF
Diachenko et al. Thermochromic Effect in Doped Bi₁₂SiO₂₀ Crystals
Shiosaki et al. Pyroelectric and ferroelectric properties in the PZT-Pb (Zn1/3Nb2/3) O3 system
SE318043B (en)
Yariv et al. Radiation damping effects in two level maser oscillators
Duxbury et al. Electric field induced rotational transitions of ND3 observed using a DCN maser
SU374702A1 (en) Yi1? SIZE
US3208948A (en) Vanadium-containing ferrimagnetic material
Arkhangelskii et al. Effect of Colour Centres on the Cr3+ Spectrum in Ruby
Bhide et al. Dielectric properties of manganese dioxide Part II
Kerssen et al. Possible existence of a phonon bottleneck in the paraelectric resonance of smoky quartz
Bäuerle et al. Far infrared absorption due to U-centers and F-centers in KI
JPH02137283A (en) Ceramic piezoelectric element and polarization processing method of piezoelectric ceramic
SU1081684A1 (en) Process for manufacturing articles of radio ceramics
Ohno Thermodynamic theory of hot-electron transport in silicon
US3514677A (en) Semi-conducting ferroelectric transducers