SU487355A1 - Волноводный датчик импульсной мощности свч - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к радиотехнике, может быть использовано дл  измерени  проход щей импульсной мощности СЕЧ больщого уровн , а также наблюдени  огибающей СЕЧколебаний в лини х передачи.

Известны волноводные датчики импульсной мощности СЕЧ, содержащие полупроводниковый брусок с контактами, расположенный в волноводе.

Цель изобретени  - новыщение точности датчика.

Предлагаемый датчик отличаетс  гем, что брусок длиной, превышающей щирину волновода , нанример, в 1,5 раза, расположен на щирокой стенке перпендикул рно его продольной оси, а контакты бруска помещены в поглощающий СВЧ-энергию материал вие волновода .

На чертеже ириведена схема датчика.

Датчик состоит из отрезка волновода 1, полупроводникового бруска 2 с контактами 3, сло  изол ади 4, истощающего СВЧ-энергию материала 5, которым 11аполЕ1ены зандитные колпачки 6. Длина полупроводникового бруска превышает щирину волновода. Его концы пропущены в узких стенках волновода . Брусок симметрично расположен на щирокой стенке в плоскости, перпендикул рной продольной оси волновода. 1аход щиес  за пределами волновода части бруска с коптак2

тами помещены в поглощающий СВЧ-энергию материал 5. Один контакт бруска припа н к дну колпачка бис его помощью гальванически соединен с волноводом.

Вынесение контактов бруска за пределы волновода и защита их поглощающим СВЧэнергию материалом практически до нул  снижают напр женность пол  СЕЧ у контакта . П) этом исчезают паразитные контактные  влени , уменьшаетс  погрещность измерений , снижаютс  требовани  к контактам. Симметричное расположение однородного полупроводникового бруска в плоскости, перпепдикул р1юй продольной оси волновода,

приводи г к тому, что паразитна  э.д.с. вследствие симметричности пол  СЕЧ в этой плоскости компенсируетс  в самом бруске. Это позвол ет без снижени  точности измерени  мощности первой гармоники работать при поlibimeniioM относительном уровне высщих гармоп 1К в основном сигнале, что особенно важно при измереиии сигналов мощных импульсно-модулированных магнетронов и клистронов , генерирующих значительный уровень гармонических составл ющих.

Предмет изобретени 

Волноводный датчик импульсной мощности СЕЧ, содержащий полупроводникозый брусок

3

с контактами/ расположенный 1з волноводе, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности, брусок длиной, превышающей ширину волновода, например, в 1,5 раза, расположен на широкой стенке перпендикул рно его продольной оси, а контакты бруска помещены в поглощающий СВЧ-энергию материал вне волновода.