SU483791A1

SU483791A1 - High voltage transistor switch

Info

Publication number: SU483791A1
Application number: SU1942539A
Authority: SU
Inventors: Алексей Евгеньевич Широченский
Original assignee: Московский Ордена Ленина Авиационный Институт Им. С. Орджоникидзе
Priority date: 1973-06-06
Filing date: 1973-06-06
Publication date: 1975-09-05

Description

1one

Изобретение относитс к автоматике и вычислительной технике, может быть использовано в устройствах дл преобразовани код - напр жение и напр жение - код.The invention relates to automation and computing, can be used in devices for converting code - voltage and voltage - code.

Известен высоковольтный транзисторный ключ, содержащий управл ющий транзистор, коллектор которого соединен со средней точкой управл ющего делител , включенного между разнопол рными источниками смещени , два эмиттерных повторител на транзисторах разной проводимости, база одного из которых соединена со средней точкой управл ющего делител , а эмиттер - с дополнительным делителем, к средней точке которого подключена база транзистора второго эмиттерного повторител , и два ключевых транзистора разной проводимости, коллекторы которых соединены между собой, эмиттеры подключены соответственно к общей шине и источнику эталонного напр жени , а база транзистора , соединенного с эталонным источником , подключена к эмиттеру транзистора второго эмиттерного повторител .A high-voltage transistor switch is known that contains a control transistor whose collector is connected to the midpoint of a control divider connected between different polar sources of bias, two emitter repeaters on transistors of different conductivity, the base of one of which is connected to the midpoint of the control divider, and the emitter is with an additional divider, to the midpoint of which the base of the transistor of the second emitter follower is connected, and two key transistors of different conductivity, the collectors of which The x are interconnected, the emitters are connected respectively to the common bus and the source of the reference voltage, and the base of the transistor connected to the reference source is connected to the emitter of the transistor of the second emitter follower.

В таком ключе дл уверенного управлени вторым эмиттерным повторителем необходимо уменьшать сопротивление нижнего резистора дополнительного делител , что приводит к усилению тока базы ключевого транзистора и соответственно к росту остаточного напр жени ключа.In such a switch, for confident control of the second emitter repeater, it is necessary to reduce the resistance of the lower resistor of the additional divider, which leads to an increase in the base current of the key transistor and, accordingly, to an increase in the residual voltage of the switch.

Предлагаемый ключ отличаетс тем, что, с целью снижени остаточного напр жени , меледу эмиттером транзистора первого эмиттерного повторител и базой ключевого транзистора, соединенного с общей щиной, включены параллельно соединенные диод и резистор.The proposed switch is characterized in that, in order to reduce the residual voltage, the meledo emitter of the transistor of the first emitter follower and the base of the key transistor connected to the total thickness are connected in parallel to a diode and a resistor.

На чертеже показана схема устройства.The drawing shows a diagram of the device.

Схема содержит управл ющий транзистор 1 с резисторами 2, 3 базового делител и резисторами 4, 5 управл ющего делител . Резисторы 3, 5 свободными концами подключены к источнику смещени одного знака, а резистор 4 - к источнику смещени другого знака. К точке соединени резисторов 4, 5 присоединены коллектор транзистора 1 и база транзистора 6, эмиттер которого подключен к последовательно соединенным резисторам 7, 8. Транзистор 6 и резисторы 7, 8 образуют первый эмиттерный повторитель между источниками смещени . К точке соединени резисторов 7, 8 присоединена база транзистора 9, к эмиттеру которого подключен резистор 10. Транзистор 9 и резистор 10 образуют второй эмиттерный повторитель, также включенный между источниками смещени . Ключевые транзисторы И, 12 соединены последовательно и включены между общей точкой и источником опорного напр жени . База транзистора 11 присоединена к эмиттеру транзистора 9The circuit contains a control transistor 1 with resistors 2, 3 of the base divider and resistors 4, 5 of the control divider. Resistors 3, 5 with free ends are connected to the bias source of one character, and resistor 4 to the bias source of another sign. The collector of transistor 1 and the base of transistor 6, the emitter of which is connected to series-connected resistors 7, 8, are connected to the connection point of resistors 4, 5. Transistor 6 and resistors 7, 8 form the first emitter follower between the bias sources. The base of the transistor 9 is connected to the connection point of resistors 7, 8, to the emitter of which resistor 10 is connected. Transistor 9 and resistor 10 form a second emitter follower, also connected between the bias sources. The key transistors And, 12 are connected in series and connected between a common point and a source of reference voltage. The base of the transistor 11 is connected to the emitter of the transistor 9

„,6„, 6

второго эмиттерного повторител , а база транзистора 12 св зана с эмиттером транзистора 6 нервого эмиттерного повторител через параллельно соединенные резистор 13 и диод 14. При этом диод 14 включен встречно переходу база - эмиттер транзистора 12.the second emitter follower, and the base of the transistor 12 is connected to the emitter of the transistor 6 of the nerve emitter follower through a parallel-connected resistor 13 and diode 14. At the same time, the diode 14 is turned on to the base-to-emitter transistor 12.

Транзисторы 1, 9, 12 имеют один тип проводимости , а транзисторы 6 и И-другой. Напр жение I - /см1 |--Ёэт.Transistors 1, 9, 12 have one type of conductivity, and transistors 6 and I another. Voltage I - / cm1 | --Yoet.

Работает схема следующим образом.The scheme works as follows.

При отсутствии управл ющего сигнала транзистор 1 заперт напр жением +f/cM через резистор 3. Сопротивлени резисторов 4, 5 выбраны так, что напр жение в точке их соединени более отрицательно, чем в точке соединени резисторов 7 и 13, в силу чего транзистор 6 заперт. По резисторам 13, 7, 8 идет ток базы открытого ключевого транзистора 12. Транзистор 9 открыт, а транзистор И закрыт падением напр жени на резисторе 10. Диод запрет падением напр жени на резисторе 13.In the absence of a control signal, the transistor 1 is locked by the voltage + f / cM through the resistor 3. The resistors of the resistors 4, 5 are chosen so that the voltage at the connection point is more negative than at the connection point of resistors 7 and 13, due to which the transistor 6 locked up The resistors 13, 7, 8 receive the base current of the open key transistor 12. The transistor 9 is open, and the transistor I is closed by a voltage drop across the resistor 10. The prohibition diode by the voltage drop across the resistor 13.

При открывании транзистора 1 потенциал базы транзистора 6 становитс более положительным , и он открываетс . В этом момент нагрузкой транзистора 6 вл ютс резисторы 7, 8 и переход база - эмиттер транзистора 12, который подключаетс через диод 14. Так как транзистор 12 был в насыщении, его базоэмиттерный переход представл ет собой небольшое сопротивление. В силу этого ток от источника идет через транзистор 6, диод 14 и обеспечивает быстрое рассасывание носителей в базе транзистора 12.When transistor 1 is opened, the base potential of transistor 6 becomes more positive, and it opens. At this moment, the load of the transistor 6 are resistors 7, 8 and the base-to-emitter junction of transistor 12, which is connected via diode 14. Since transistor 12 was saturated, its base-emitter junction is a small resistance. Due to this, the current from the source goes through the transistor 6, the diode 14 and provides a quick resorption of carriers in the base of the transistor 12.

Пока транзистор 12 открыт, напр жение на эмиттере транзистора 6 равно падению напр жени на диоде 14 и базовом переходе транзистора 12 и составл ет примерно -1,5 в. При этом напр жение на эмиттере транзистора 9 более отрицательно, чем или, в крайнем случае, равно ему. Значит, транзистор 11 заперт .While transistor 12 is open, the voltage across the emitter of transistor 6 is equal to the voltage drop across diode 14 and the base transition of transistor 12 and is approximately -1.5 volts. In this case, the voltage across the emitter of the transistor 9 is more negative than or, at most, equal to it. Hence, the transistor 11 is locked.

В момент запирани транзистора 12 напр жение на эмиттере транзистора 6 смещаетс в сторону положительного напр жени (до величины около 1 в). Соответственно база иAt the moment of locking the transistor 12, the voltage across the emitter of the transistor 6 is shifted towards the positive voltage (to a value of about 1 in). Accordingly, the base and

483791483791

эмиттер транзистора 9 смещаютс в сторону положительных напр жений. Как только напр жение на эмиттере транзистора 9 достигает напр жени отпирани транзистора 11, онthe emitter of the transistor 9 is shifted toward positive voltages. As soon as the emitter voltage of transistor 9 reaches the voltage unlocked by transistor 11, it

открываетс и фиксирует потенциал эмиттера транзистора 9. Напр жение на базе транзистора 9 продолжает измен тьс , что приводит к его запиранию. Транзистор 11 открыт, транзистор 12 закрыт и выходна клемма ключаopens and captures the potential of the emitter of the transistor 9. The voltage at the base of the transistor 9 continues to change, which leads to its locking. The transistor 11 is open, the transistor 12 is closed and the output terminal of the key

соединена с точкой соединени коллекторов этих транзисторов.connected to the connection point of the collectors of these transistors.

При отключении управл ющего сигнала транзистор 1 запираетс и запирает транзистор 6, напр жение на эмиттере которого фиксируетс отпиранием транзистора 12. При этом эмиттерный повторитель на транзисторе 9 обеспечивает быстрое рассасывание носителей и запирание транзистора И.When the control signal is turned off, the transistor 1 is locked and the transistor 6 is locked, the voltage on the emitter of which is fixed by unlocking the transistor 12. In this case, the emitter follower on the transistor 9 ensures fast resorption of the carriers and the locking of the transistor I.

Предмет изобретени Subject invention

Высоковольтный транзисторный ключ, содержащий управл ющий транзистор, коллектор которого соединен со средней точкой управл ющего делител , включенного междуA high-voltage transistor switch, containing a control transistor, the collector of which is connected to the midpoint of a control divider connected between

разнопол рными источниками смещени , два эмиттерных повторител на транзисторах разной проводимости, база одного из которых соединена со средней точкой управл ющего делител , а эмиттер - с дополнительным делителем , к средней точке которого подключена база транзистора второго эмиттерного повторител , и два ключевых транзистора разной проводимости, коллекторы которых соединены между собой, эмиттеры подключены соответственно к общей шине и источнику эталонного напр жени , а база транзистора, соединенного с эталонным источником, подключена к эмиттеру транзистора второго эмиттерного повторител , отличающийс тем,bi-polar sources of bias, two emitter repeaters on transistors of different conductivity, the base of one of which is connected to the midpoint of the control divider, and the emitter - with an additional divider, to the midpoint of which the base of the transistor of the second emitter follower is connected, and two key transistors of different conductivity, the collectors of which are interconnected, the emitters are connected respectively to the common bus and the source of the reference voltage, and the base of the transistor connected to the reference source, under is connected to the emitter of the transistor of the second emitter follower, characterized in

что, с целью уменьшени остаточного напр жени , между эмиттером транзистора первого эмиттерного повторител и базой ключевого транзистора, соединенного с общей шиной, включены параллельно соединенные диод иthat, in order to reduce the residual voltage, between the emitter of the transistor of the first emitter follower and the base of the key transistor connected to the common bus are connected a parallel-connected diode and

резистор.resistor.

смcm