SU1480094A1 - Output stage of operational amplifier - Google Patents

Output stage of operational amplifier Download PDF

Info

Publication number
SU1480094A1
SU1480094A1 SU864149757A SU4149757A SU1480094A1 SU 1480094 A1 SU1480094 A1 SU 1480094A1 SU 864149757 A SU864149757 A SU 864149757A SU 4149757 A SU4149757 A SU 4149757A SU 1480094 A1 SU1480094 A1 SU 1480094A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
transistors
current
collector
output
Prior art date
Application number
SU864149757A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Павлович Акопов
Владимир Эдуардович Осипов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1172
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1172 filed Critical Предприятие П/Я А-1172
Priority to SU864149757A priority Critical patent/SU1480094A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1480094A1 publication Critical patent/SU1480094A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к радиотехнике. Цель изобретени  - уменьшение нелинейных искажений. Выходной каскад содержит усилитель напр жени  на транзисторе 1 и резисторе 2, цепь 3 пр мосмещенных диодов, г-р 4 тока, двухтактный эмиттерный повторитель на транзисторах 5 и 6, пр мосмещенных диодах 7 и 8, резисторах 9 и 10 и г-рах 11 и 12 тока, а также шины 13 и 14 источника питани . Коллекторные токи транзисторов 5 и 6 определ ютс  соотношением вольт-амперных х-к база-эмиттерных переходов самих транзисторов и диодов в цепи 3. Кроме того, коллекторный ток транзистора 5 зависит от номинала резистора 9 и величины тока, формируемого г-ром 11, а коллекторный ток транзистора 6 зависит от номинала резистора 10 и величины тока, формируемого г-ром 12. Цель достигаетс  введением резисторов 9 и 10, с помощью которых х-ки выходных транзисторов 5 и 6, а также величина нагрузки не вли ют на режим работы транзисторов 5 и 6. 1 ил.The invention relates to radio engineering. The purpose of the invention is to reduce nonlinear distortion. The output stage contains a voltage amplifier at transistor 1 and resistor 2, a circuit of 3 pre-biased diodes, r-4 current, a two-stroke emitter follower on transistors 5 and 6, a pre-biased diodes 7 and 8, resistors 9 and 10 and g-raes 11 and 12 currents as well as power supply buses 13 and 14. The collector currents of transistors 5 and 6 are determined by the ratio of the volt-ampere x-to base-emitter transitions of the transistors themselves and the diodes in circuit 3. In addition, the collector current of transistor 5 depends on the value of resistor 9 and the value of the current generated by Mr. 11, and the collector current of transistor 6 depends on the nominal value of resistor 10 and the magnitude of the current generated by g-rm 12. The goal is achieved by introducing resistors 9 and 10, by which the x-ki of output transistors 5 and 6, as well as the magnitude of the load, do not affect the operation of transistors 5 and 6. 1 ill.

Description

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах автоматики, измерительной техники, радиотехнических устройствах различного назначения.The invention relates to radio engineering and can be used in automation devices, measuring equipment, radio devices for various purposes.

Цель изобретения - уменьшение нелинейных искажений.The purpose of the invention is the reduction of nonlinear distortion.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема выходного каскада операционного усилителя .The drawing shows a circuit diagram of the output stage of the operational amplifier.

Выходной каскад операционного усилителя содержит усилитель напряжения на первом транзисторе 1 и резисторе 2, цепь 3 прямосмещенных диодов, первый генератор тока (ГТ) 4, двухтактный эмиттерный повторитель на втором и третьем транзисторах 5 и 6, первом и втором прямосмещенных диодах 7 и 8, втором и третьем резисторах 9 и 10, втором и третьем генераторах тока (ГТ) 11 и 12, а также первую и вторую шины 13 и 14 источника питания.The output stage of the operational amplifier contains a voltage amplifier on the first transistor 1 and resistor 2, a circuit 3 of forward biased diodes, a first current generator (GT) 4, a push-pull emitter follower on the second and third transistors 5 and 6, the first and second forward biased diodes 7 and 8, and the second and the third resistors 9 and 10, the second and third current generators (GT) 11 and 12, as well as the first and second bus 13 and 14 of the power source.

Выходной каскад операционного усилителя работает следующим образом.The output stage of the operational amplifier operates as follows.

При отсутствии сигнала на базу транзистора 1 подан потенциал, поддерживающий этот транзистор в начальном проводящем состоянии. Через транзистор 1 протекает ток, сформированный ГТ 4, который поддерживает цепь 3 в прямосмещенном состоянии, которая в свою очередь поддерживает в открытом состоянии транзисторы 5, 6 и диоды 7, 8. Коллекторные- токи транзисторов 5 и 6 определяются соотношением вольт-амперных характеристик (ВАХ) база-эмиттерных переходов самих транзисторов и.диодов в цепи 3, и, кроме того, коллекторный ток транзистора 5 зависит от номинала резистора 9 и величины тока, формируемого ГТ 11, а коллекторный ток транзистора 6 зависит от номинала резистора 10 и величины тока, формируемого ГТ 12.In the absence of a signal, a potential is applied to the base of transistor 1, which supports this transistor in its initial conducting state. A current formed by GT 4 flows through transistor 1, which maintains circuit 3 in a forward-biased state, which in turn supports transistors 5, 6 and diodes 7, 8 in open state. Collector currents of transistors 5 and 6 are determined by the ratio of current-voltage characteristics ( CVC) of the base-emitter transitions of the transistors and diodes themselves in circuit 3, and in addition, the collector current of transistor 5 depends on the value of resistor 9 and the current generated by GT 11, and the collector current of transistor 6 depends on the value of resistor 10 and then and formed HT 12.

При прохождении отрицательной полуволны сигнала проводимость транзистора 1 уменьшается, что приводит к увеличению потенциала на его коллекторе, что, в свою очередь, приводит к возрастанию потенциала на базах транзисторов 5 и 6. При этом возрастает базовый ток транзистора 5, приводя к увеличению падения напряжения на его база-эмиттерном переходе, воз растающий же ток эмиттера транзистора 5 приводит к увеличению падения напряжения на диоде 7. Так как цепь 3 включена параллельно цепи, образованной из база-эмиттерного перехода транзистора 5, диодов 7, 8 и эмиттер-базового перехода транзистора 6, то увеличение падения напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 5 и диода 7 приводит к уменьшению на ту же величину падения напряжения между базой транзистора 6 и выходом схемы. ГТ 12 задает в эмиттер транзистора 6 ток определенный величины, благодаря чему транзистор 6 остается в проводящем состоянии, сохраняя примерно на одном уровне падение напряжения на база-эмиттерном переходе. Поэтому уменьшающееся напряжение между базой транзистора 6 и выходом схемы оказывается приложенным к диоду 8. При запирании диода 8 наличие резистора 10 сохранит связь между выходом нижнего плеча и нагрузкой схемы.При этом при запирании диода 8 не происходит скачкообразного уменьшения тока и искажения носят характер низкочастотного сигнала. Аналогично работает верхнее плечо схемы при прохождении положительной полуволны сигнала, т.е. транзистор 5 остается в проводящем состоянии, а резистор 9 сохранит связь между выходом верхнего плеча и нагрузкой схемы.With the passage of the negative half-wave of the signal, the conductivity of transistor 1 decreases, which leads to an increase in the potential at its collector, which, in turn, leads to an increase in potential at the bases of transistors 5 and 6. In this case, the base current of transistor 5 increases, leading to an increase in the voltage drop by its base-emitter junction, the increasing current of the emitter of transistor 5 leads to an increase in the voltage drop across diode 7. Since circuit 3 is connected in parallel with the circuit formed from the base-emitter junction of transistor 5, the diode s 7, 8 and the emitter-base junction of transistor 6, the increase in the voltage drop across the base-emitter junction of transistor 5 and the diode 7 leads to a decrease in the same magnitude of the voltage drop between the base of the transistor 6 and the output of the circuit. GT 12 sets a certain value to the emitter of transistor 6, so that transistor 6 remains in a conducting state, keeping the voltage drop at the base-emitter junction approximately at the same level. Therefore, the decreasing voltage between the base of the transistor 6 and the output of the circuit turns out to be applied to the diode 8. When locking the diode 8, the presence of the resistor 10 will maintain the connection between the output of the lower arm and the load of the circuit. In this case, when the diode 8 is locked, there is no jump-like decrease in current and distortion is in the form of a low-frequency signal . The upper arm of the circuit works similarly when passing the positive half-wave of the signal, i.e. transistor 5 remains in a conductive state, and resistor 9 maintains the connection between the output of the upper arm and the load of the circuit.

При изменении нагрузки в случае прохождения отрицательной полуволны сигнала происходит изменение.падения напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 5 и диоде 7, которое приводит к соответствующему падению напряжения на диоде 8, а следовательно, режим работы транзистора 6 не изменяется, он не зависит от характеристик транзистора, так как ГТ 12 поддерживает режим работы выходного транзистора 6.When the load changes in the case of the passage of the negative half-wave of the signal, a change occurs. The voltage drop at the base-emitter junction of the transistor 5 and diode 7, which leads to a corresponding voltage drop across the diode 8, and therefore, the operation mode of the transistor 6 does not change, it does not depend on the characteristics transistor, since the GT 12 supports the operation mode of the output transistor 6.

Аналогично работает верхнее плечо схемы при прохождении положительной полуволны сигнала. Т.е. характеристики выходных транзисторов 5 и 6, а также величина нагрузки не влияют на режим работы выходных транзисторов схемы, чем обеспечивается высокая надежность работы и уменьшение искажений.The upper arm of the circuit works similarly when passing a positive half-wave of the signal. Those. the characteristics of the output transistors 5 and 6, as well as the magnitude of the load, do not affect the operation mode of the output transistors of the circuit, which ensures high reliability and reduced distortion.

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Выходной каскад операционного усилителя, содержащий усилитель напряже- $ ния, выполненный на первом транзисторе, база которого является входом выходного каскада операционного усилителя, эмиттер первого транзистора через первый резистор подключен к первой шине источника питания, а коллектор через последовательно соединенные цепь прямосмещенных диодов и первый генератор тока - к второй шине источника питания, двухтактный эмиттерный повторитель, выполненный на втором и третьем транзисторах, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых соединены с выходом первого генератора тока и коллектором первого транзистора соответственно, эмиттеры соединены через второй и третий генераторы тока с первой и второй шинами источника питания соответственно, а между собой - через первый и второй прямосмещенные диоды, точка соединения Ю которых является выходом выходного каскада операционного усилителя, при этом первый и второй транзисторы имеют одну структуру, а третий транзистор другую структуру, отличаю15 щ и й с я тем, что, с целью уменьшения нелинейных искажений, введены второй и третий резисторы, включенные параллельно первому и второму прямосмещенным диодам соответственно.The output stage of the operational amplifier, containing a voltage amplifier made on the first transistor, the base of which is the input of the output stage of the operational amplifier, the emitter of the first transistor is connected through the first resistor to the first bus of the power source, and the collector through a series-connected circuit of forward biased diodes and the first generator current - to the second bus of the power source, a push-pull emitter follower, made on the second and third transistors, connected according to the scheme with a common collector, base which are connected to the output of the first current generator and the collector of the first transistor, respectively, the emitters are connected through the second and third current generators to the first and second busbars of the power supply, respectively, and to each other through the first and second directly biased diodes, the connection point of which is the output of the operating stage amplifier, while the first and second transistors have one structure, and the third transistor has a different structure, distinguished by the fact that, in order to reduce non-linear distortions, the second second and third resistors connected in parallel to the first and second forward biased diode, respectively.
SU864149757A 1986-11-18 1986-11-18 Output stage of operational amplifier SU1480094A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864149757A SU1480094A1 (en) 1986-11-18 1986-11-18 Output stage of operational amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864149757A SU1480094A1 (en) 1986-11-18 1986-11-18 Output stage of operational amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1480094A1 true SU1480094A1 (en) 1989-05-15

Family

ID=21268490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864149757A SU1480094A1 (en) 1986-11-18 1986-11-18 Output stage of operational amplifier

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1480094A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US № 4160216, кл. Н 03 F 3/26, опублик. 1979. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920020847A (en) Sample Band-Gap Voltage Reference Circuit
US4420786A (en) Polarity guard circuit
KR950007691B1 (en) Data shaping circuit
US5343034A (en) Bias circuit for photodiode having level shift circuitry
KR920009548B1 (en) Cascade current source appliance
SU1480094A1 (en) Output stage of operational amplifier
KR970028930A (en) Bi-Mouse Constant Voltage Generation Circuit
JPH0339426B2 (en)
US4446385A (en) Voltage comparator with a wide common mode input voltage range
US6734720B2 (en) Operational amplifier in which the idle current of its output push-pull transistors is substantially zero
JP2896029B2 (en) Voltage-current converter
US3989997A (en) Absolute-value circuit
US3955147A (en) Amplifier circuit
SU1690172A2 (en) Amplifier
SU1569944A1 (en) Operational amplifier output stage
SU1084955A1 (en) Amplifier
SU1548841A1 (en) Current amplifier
SU684714A1 (en) Switch-type power amplifier
KR830000542B1 (en) Gain control circuit
SU1202019A1 (en) Two-step power amplifier
SU1569943A1 (en) Power amplifier
SU1095354A1 (en) Operational amplfier
SU1220105A1 (en) Power amplifier
SU1202023A1 (en) Power amplifier
SU1042156A1 (en) Push-pull power amplifier