SU475094A1 - Способ легировани халькогенидного стекла - Google Patents
Способ легировани халькогенидного стеклаInfo
- Publication number
- SU475094A1 SU475094A1 SU721855548A SU1855548A SU475094A1 SU 475094 A1 SU475094 A1 SU 475094A1 SU 721855548 A SU721855548 A SU 721855548A SU 1855548 A SU1855548 A SU 1855548A SU 475094 A1 SU475094 A1 SU 475094A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- glass
- chalcogenide glass
- alloying
- chalcogenide
- original
- Prior art date
Links
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ХАЛЬКОГЕИИДНОГО
1
Изобретение относитс к полупроводниковой технологии.
Известные методы легировани , например диффузии, обеспечивают равномерное и постепенное изменение состава и СВОЙСТВ легируемого материала. При резком локальном изменении состава легируемого вещества можно получить новые свойства В легируемой области.
Цель изобретени - создание локальных новообразований, состо щих из исходного и легирующего материалов, обладающих НОВЫМИ свойствами.
Это достигаетс тем, что осуществл ют контакт легируемого материала с легирующим металлом. После чего прикладываютс импульсы электрического напр жени , амплитуда котчэрых равна или больше напр жени переключени исходного халькогенидного стекла, нри этом длительность импульсов напр кени устанавливают меньше времени образовани провод щих кристаллических каналов в исходном халькогенидном стекле. В качестве легируемого материала берут диэлектрик или халькогенидное стекло, а в качестве легирующего материала - серебро, платину, индий.
Пример. На графитовую подложку нанос т слой халькогенидногч) стекла. Легирующим электродом выбирают серебро . Между легирующим электродом и халькогенидным стеклом прикладывают импульсы электрического напр жени , амплитуда которых равна или больше напр жени переключени исходного халькогенидного стекла. При этом легирование должно происходить быстрее, чем образование провод щих каналов. В местах контактов образуютс локальные новообразовани . Они имеют большую прочность и отличаютс от исходного материала.
Claims (1)
- Формула изобретен fiСпособ легировани .халькогенидного (стекла путем осуществлени контакта с3 .17 09441ле 1ируюпп-гм мапер)иалом и приложени им-ных новообразований, сосп-о ших из холь пульсов электрическото напр жени , ам-когенидното стекла и легируюпгегО мат плнтула которых равгга или больше нап риала, длительностт:, импульсоп наир жер жени переключени исходного халько-вин устанавливают мошэше фемеЕШ обрагенидного стекла, отличаю щ и й-s зовани прооод л.щх кристаллических кас тем, целью нолучени локаль-налов в исходном халькогенидном стекле.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU721855548A SU475094A1 (ru) | 1972-12-12 | 1972-12-12 | Способ легировани халькогенидного стекла |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU721855548A SU475094A1 (ru) | 1972-12-12 | 1972-12-12 | Способ легировани халькогенидного стекла |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU475094A1 true SU475094A1 (ru) | 1979-10-15 |
Family
ID=20534627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU721855548A SU475094A1 (ru) | 1972-12-12 | 1972-12-12 | Способ легировани халькогенидного стекла |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU475094A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223687A (en) * | 1990-09-03 | 1993-06-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method of forming electrode pattern |
-
1972
- 1972-12-12 SU SU721855548A patent/SU475094A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5223687A (en) * | 1990-09-03 | 1993-06-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method of forming electrode pattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AR202011A1 (es) | Procedimiento para preparar electrodos por recubrimiento de una armadura metalica con un sustrato oxidico electronicamente conductor y electrodos obtenidos | |
| IT973872B (it) | Trasduttore ad elettrete e metodo per realizzarlo | |
| Potember et al. | A current-controlled electrically switched memory state in silver and copper-TCNQF4 radical-ion salts | |
| SU1048994A3 (ru) | Электрохромное устройство | |
| GB1509389A (en) | Electric discharge coating apparatus | |
| FR2478879A1 (fr) | Procede de realisation de dispositifs a effet memoire a semi-conducteurs amorphes | |
| US4042293A (en) | Liquid crystal devices having diode characteristics | |
| SU475094A1 (ru) | Способ легировани халькогенидного стекла | |
| US3324531A (en) | Solid state electronic devices, method and apparatus | |
| GB1149589A (en) | Thin film active element | |
| US3351500A (en) | Method of forming a transistor and varistor by reduction and diffusion | |
| US2857532A (en) | Ferroelectric crystal unit | |
| US4090212A (en) | Imaging device | |
| ES422685A1 (es) | Procedimiento para la fabricacion de componentes electroemi-sivos. | |
| US2795743A (en) | Transistor construction | |
| JPS5457976A (en) | Thyristor | |
| US3657617A (en) | Point contact semiconductor device | |
| FR2273356A1 (en) | Variable resistance element mfg. method - has semi-conductor and dielectric layers subjected to bombardment | |
| GB1398499A (en) | Photosensitive materials | |
| BE821588A (fr) | Electrode metallique comportant une couche de recouvrement pour des applications electrochimiques | |
| SU483709A1 (ru) | Элемент пам ти | |
| US3537920A (en) | Process for the production of diodes by electric pulses | |
| SU477351A1 (ru) | Электрометр | |
| JPS5269344A (en) | Formation of electrode | |
| KR850003265A (ko) | 신호 형성장치 |