SU473133A1 - Device for pre-testing semiconductor devices - Google Patents

Device for pre-testing semiconductor devices

Info

Publication number
SU473133A1
SU473133A1 SU1939635A SU1939635A SU473133A1 SU 473133 A1 SU473133 A1 SU 473133A1 SU 1939635 A SU1939635 A SU 1939635A SU 1939635 A SU1939635 A SU 1939635A SU 473133 A1 SU473133 A1 SU 473133A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
semiconductor devices
transistor
junction
transistors
testing semiconductor
Prior art date
Application number
SU1939635A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Александрович Горобец
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1939635A priority Critical patent/SU473133A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU473133A1 publication Critical patent/SU473133A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к электронной технике .The invention relates to electronic engineering.

Устройство предназначено дл  предварительной проверки полупроводниковых приборов и может быть использовано в классификаторах и других автоматических устройствах различного назначени .The device is intended for preliminary testing of semiconductor devices and can be used in classifiers and other automatic devices for various purposes.

Известно устройство дл  подключени  электродов электронных приборов к измерителю параметров. Это устройство не позвол ет одновременно с контролем ориентации электродов полупроводниковых приборов в контактном устройстве отбраковывать полупроводниковые приборы с посто нным коротким замыканием в электродных выводах или / -п-переходах . Кроме того, в случае КЗО р- -перехода невозможно предохранить измеритель параметров от перегрузок.A device for connecting electrodes of electronic devices to a parameter meter is known. This device does not allow, at the same time as controlling the orientation of the electrodes of semiconductor devices in a contact device, to reject semiconductor devices with a permanent short circuit in the electrode leads or / -n junctions. In addition, in the case of the QZR p-junction, it is impossible to protect the parameter meter from overloads.

Целью изобретени   вл етс  отбраковка полупроводниковых приборов с посто нным коротким замыканием электродных выводов или р-л-перехода и одновременный контроль ориентации полупроводникового прибора в контактном устройстве.The aim of the invention is to reject semiconductor devices with a permanent short circuit of electrode leads or a p-junction and simultaneously control the orientation of the semiconductor device in a contact device.

Поставленна  цель достигаетс  благодар  тому, что в устройство, содержащее блок питани , измеритель параметров, блок составных транзисторов, блок ключей, подключаю1цее и сортирующее устройства, введены накопительные емкости, которые параллельноThe goal is achieved due to the fact that storage devices that are parallel to the device containing the power supply unit, the parameter meter, the composite transistor unit, the key block, the connecting device and the sorting device are entered.

подключены к выходам транзисторов и RC-neпочками и последовательно через блок ключей к подключающему устройству.connected to the outputs of the transistors and RC-nepochkami and consistently through a block of keys to the connecting device.

Па чертеже представлена олок - схема предложенного устройства дл  предварительной проверки полупроводниковых приборов.The drawing shows an olok diagram of the proposed device for pre-testing semiconductor devices.

Устройство содержит блок питани  1, блок составных транзисторов 2, блок ключей 3, подключающее устройство 4, сортирующее устройство 5, измеритель параметров о. Блок составных транзисторов 2 св зан через блок ключей 3 с подключающим устройством 4, с сортирующим устройством 5 и измерителем параметров 6.The device contains a power supply unit 1, a unit of composite transistors 2, a block of keys 3, a connecting device 4, a sorting device 5, a parameter meter o. The composite transistor block 2 is connected via a key block 3 with a connecting device 4, with a sorting device 5 and a parameter meter 6.

При подключении испытуемого полупроводникового прибора к устройству 4 состав тс  электрические цепи.When connecting the test semiconductor device to the device 4 composition TC electrical circuits.

Ток потечет по цепи того составного транзистора , проводимость которого совпадает с пол рностью включенного р-л-перехода. Так, при совпадении пол рности включенного в цепь испытуемого р- -перехода с проводимостью транзистора 7 транзистор 7 открываетс , зар жает емкость 8 и через резистор 9 зар жает емкость 10. Открываетс  транзистор И, и сигнал поступает на блок ключей 3, которые отключают цепи транзисторов 7, 11 от подключающего устройства 4 и производ т требуемое подключение электродных выводовThe current will flow through the circuit of the composite transistor, the conductivity of which coincides with the polarity of the included p-j junction. So, when the polarity of the tested p-junction connected with the conductivity of transistor 7 coincides, transistor 7 opens, charges capacitance 8 and, through resistor 9, charges capacitance 10. Transistor I opens, and the signal goes to a block of keys 3 that disconnect the circuits the transistors 7, 11 from the connecting device 4 and make the required connection of the electrode terminals

испытуемого полупроводникового прибора к измерителю параметров 6.the semiconductor device under test to the parameter meter 6.

При совпадении пол рности включеииого в цепь испытуемого р-л-перехода с проводимостью транзистора 12, транзистор 12 открываетс , зар жает емкость 13 и через резистор 14 зар жает емкость 15. Открываетс  транзистор 16, и сигнал поступает на блок ключей 3. Остальные операции аналогичны изложенным.When the polarity of the p-l junction being connected to the circuit with the conductivity of transistor 12 coincides, transistor 12 opens, charges capacitance 13 and, through resistor 14, charges capacitance 15. Transistor 16 opens, and the signal goes to key block 3. Other operations are similar set forth.

При подключении к подключающему устройству 4 прибора, в котором происходит короткое замыкание в р-п-переходе или электродных выводах, в положительный полупериод переменного напр жени  блока питани  1 откроютс  транзисторы 12, 16 и зар д тс  емкости 13, 15, а в отрицательный полупериод переменного напр жени  откроютс  транзисторы 7, 11 и зар д тс  емкости 8, 10. При поступлении второго сигнала на блок ключей 3, последние отключат от испытуемого полупроводникового прибора цепи транзисторов 7, 11, 12, 16 и закорот т вход измерител  параметров 6. На сортирующее устройство 5 поступит сигнал, устройство сработает и отбракует испытуемый полупроводниковый приборWhen connected to the connecting device 4 of the device, in which a short circuit occurs in the pn-junction or electrode leads, transistors 12, 16 and the capacitance 13, 15 are opened in the positive half-cycle of alternating voltage of the power supply unit 1, and in the negative half-cycle transistors 7, 11 and capacitances 8, 10 are charged at the alternating voltage. with tiruyuschee device 5 will go signal, the apparatus operates and Discard test semiconductor device

с коротким замыканием в электродных выводах или р-п-переходе.with a short circuit in the electrode pins or pn junction.

Автоматическое устройство, созданное на основе предложенного устройства, позволило подн ть производительность более чем в 10 раз и увеличить выход годных приборов на 2,5%. Автоматическое устройство опробовано на транзисторах типа КТ-315 при циклах сортировки 10.000 транзисторов в час.The automatic device, created on the basis of the proposed device, allowed raising the productivity more than 10 times and increasing the output of suitable devices by 2.5%. The automatic device was tested on transistors of type KT-315 with sorting cycles of 10,000 transistors per hour.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл  предварительной проверки полупроводниковых приборов, содержащееA device for pre-testing semiconductor devices comprising

блок питани , измеритель параметров, блок составных транзисторов, блок ключей, подключающее и сортирующее устройства, отличающеес  тем, что, с целью отбраковки коротких замыканий в р-л-переходе с . одновременным контролем ориентации прибора в контактном устройстве, оно содержит накопительные емкости, которые подключены параллельно к выходам составных транзисторов и / С-цепочкам и последовательно, через блокpower supply unit, parameter meter, composite transistor unit, key block, connecting and sorting devices, characterized in that, in order to reject short circuits in the p-l junction, c. simultaneous control of the orientation of the device in the contact device, it contains storage capacitors that are connected in parallel to the outputs of the composite transistors and the / C-chains and sequentially through the unit

ключей, к подключающе.му устройству.keys to the connecting device.

,;- I ,; - I

-..-„/.аЛ -..- „/. AL

г L.J I ikv fMr. L.JI ikv f

SU1939635A 1973-07-06 1973-07-06 Device for pre-testing semiconductor devices SU473133A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1939635A SU473133A1 (en) 1973-07-06 1973-07-06 Device for pre-testing semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1939635A SU473133A1 (en) 1973-07-06 1973-07-06 Device for pre-testing semiconductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU473133A1 true SU473133A1 (en) 1975-06-05

Family

ID=20558716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1939635A SU473133A1 (en) 1973-07-06 1973-07-06 Device for pre-testing semiconductor devices

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU473133A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850002326A (en) Electrostatic breakdown test method and apparatus for semiconductor devices
SU473133A1 (en) Device for pre-testing semiconductor devices
ES357900A1 (en) Arrangement for connecting an electric battery to a source of charging current
US3005107A (en) Photoconductive devices
US2335247A (en) Tachometer and tachometer circuit
US2615934A (en) High voltage measuring apparatus
SU586521A1 (en) Overload protecting device for electrical installation
SU372601A1 (en) DEVICE FOR CHARGING AND DISCHARGING BATTERY BATTERIES
SU370551A1 (en) DEVICE FOR MEASURING THE INSULATION RESISTANCE
SU1160338A1 (en) Device for holding and recording values of electric quantities
SU928497A1 (en) Device for overload and short-circuiting protection of power circuit
SU546996A1 (en) Device to turn on backup power source
SU741389A1 (en) Ac voltage regulator
SU1617560A1 (en) Device for limiting charging current
SU525030A1 (en) Frequency meter
SU550600A1 (en) Device for monitoring voltage drop on thyristors
SU628480A1 (en) Dc voltage regulator
SU414568A1 (en)
SU394719A1 (en) AMPLITUDE VOLTMETER
SU480181A1 (en) Triangle and trapezoidal voltage generator
SU926765A1 (en) Time delay device
SU1042145A1 (en) Thyristor regulator
SU500510A1 (en) Pulse Residual Voltage Meter
SU445985A1 (en) Multi Phase AC Electronic Switch
SU377964A1 (en) ALL-UNION