SU472695A1 - Способ генерировани акустических колебаний - Google Patents

Способ генерировани акустических колебаний

Info

Publication number
SU472695A1
SU472695A1 SU1807177A SU1807177A SU472695A1 SU 472695 A1 SU472695 A1 SU 472695A1 SU 1807177 A SU1807177 A SU 1807177A SU 1807177 A SU1807177 A SU 1807177A SU 472695 A1 SU472695 A1 SU 472695A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
semi
semiconductor
layer
generation method
Prior art date
Application number
SU1807177A
Other languages
English (en)
Inventor
Чесловас Владо Мачюлайтис
Пронас Пятро Мишкинис
Original Assignee
Институт Физики Полупроводников Ан Лит.Сср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Ан Лит.Сср filed Critical Институт Физики Полупроводников Ан Лит.Сср
Priority to SU1807177A priority Critical patent/SU472695A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU472695A1 publication Critical patent/SU472695A1/ru

Links

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к электроакустике и предназначено дл  генерировани  акустических колебаний звуковой и ультразвуковой частот.
Известны способы генерировани  акустических колебаний с помощью сильного импульсного электрического пол , создаваемого в полупроводниковом твердотельном элементе. Однако при этом необходимы значительные величины возбуждающих напр жений, частотпый диапазон генерируемых колебаний ограничен снизу. Кроме того, генерируемые с помощью этих способов акустические колебани  имеют малую интенсивность.
Предлагаемый способ генерировани  акустических колебаний обеспечивает генерирование колебаний повышенной интенсивности в широком диапазоне частот: от самых низких до нескольких дес тков мегагерц. Дл  их возбуждени  требуютс  сравнительно низкие (пор дка нескольких дес тков вольт) величины напр жени . Дл  этого дл  генерировани  акустических колебаний используетс  полупроводниковый шнуровой 5-элемент, по крайней мере, с одной тонкой глубоколежащей полуизол дионной прослойкой, напрИМер, в виде истощенной области р-п-перехода, на который подают посто нное напр жение, меньшее напр жени  включени  5-элемента, и модулируют его короткими импульсами,
амплитуда которых выще напр жени  включени  этого элемента.
Способ заключаетс  в следующем.
При подаче на 5-элемеит посто нного напр жени  в узкой полуизол ционной прослойке создаетс  высока  напр женность электрического пол . В этом случае калчдый раз с подачей модулирующего импульса в центральной части глубоколежащей прослойки возникает высокотемпературный мезоплазмеипый канал-шнур тока большой плотности. Сопр женна  с каналом область полупроводника подвергаетс  упругой деформации, величина которой пропорциональпа плотности тока в шнуре тока. После прекращени  действи  модулирующего импульса мезоилазменный канал исчезает, т. е. ток переходит в равномерное распределение по площади полуизол ционной прослойки. Величина механической деформации в виду очень малых размеров мезоилазменного канала быстро убывает. Таким образом, синхронно модулирующим импульсом мен етс  величина механических деформаций малого объема полупроводника, что приводит к концентричному распространению упругих волн через механически однородное тело полупроводника. Интенсивность акустических колебаний определ етс  мощностью в модулирующем импульсе. Способ генерирует акустические колебани  как звуковой и ультразеуковой частот, так и одиночные акустические импульсы-сигналы. Верхний предел частот (дес тки мегагерц) ограничен тепловой инерционностью мезоплазменного канала.
Лучша  температурна  стабильность i-енерировани  акустических колебаний достигаетс  при использовапии в качестве полуизол циониой прослойки в 5-элементах компенсироваиного нри высоких уровн х легировани  полупроводникового сло . Это обусловлено тем, что напр жение Включени  S-элементов с такой прослойкой, например у полупроводникового элемента с р -«+-Si-и++ -структурой, практически не зависит от температуры в широком интервале ее значений.
Предмет изобретени 

Claims (2)

1. Способ генерировани  акустических колебаний с помощью сильного импульсного
электрического пол , создддаемого в полупроводниковом элементе, отличающийс  тем, что, с целью повышени  интенсивности колебаний и расширени  диапазона генерируемых частот, используют полупроводниковый S-элемеит, по крайней мере, с одной тонкой глубоколежащей полуизол ционной прослойкой , например, в виде истощенной области р-«-перехода, на который подают посто нное
напр жение, меньшее напр жени  включени , и модулируют его короткими имцульсами, амплитуда которых выше напр жени  включени  элемента.
2. Способ по п. 1, отличающийс  тем,
что, с целью повышени  температурной стабильности генерировани , в качестве полуизол дионной прослойки используют компенсированный при высоких уровн х легировани  51-слой.
SU1807177A 1972-07-10 1972-07-10 Способ генерировани акустических колебаний SU472695A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1807177A SU472695A1 (ru) 1972-07-10 1972-07-10 Способ генерировани акустических колебаний

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1807177A SU472695A1 (ru) 1972-07-10 1972-07-10 Способ генерировани акустических колебаний

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU472695A1 true SU472695A1 (ru) 1975-06-05

Family

ID=20520913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1807177A SU472695A1 (ru) 1972-07-10 1972-07-10 Способ генерировани акустических колебаний

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU472695A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880013166A (ko) 백 바이어스 전압 발생기
SU472695A1 (ru) Способ генерировани акустических колебаний
US3397328A (en) Voltage generation utilizing piezoelectric effects
US5062113A (en) Light source drive device
US20070010744A1 (en) Ultrasonographic device
US4625182A (en) Optically triggered bulk device Gunn oscillator
GB1408173A (en) Piezoelectric semi-conductor arrangements
Gibbons Transient temperature response of an avalanche diode
Fenner Effect of hydrostatic pressure on the emission from gallium arsenide lasers
US3704427A (en) Device for stimulating emission of radiation from a diode
GB644634A (en) Improvements in or relating to integrating circuit arrangements
US3483441A (en) Avalanche diode for generating oscillations under quasi-stationary and transit-time conditions
US3312910A (en) Frequency modulation of radiation emitting p-n junctions
US3524082A (en) Oscillatory energy generating apparatus
US3673474A (en) Means for generating (a source of) surface and bulk elastic wares
US3945028A (en) High speed, high power plasma thyristor circuit
US2859360A (en) Wave generator
US3447044A (en) Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode
RU175209U1 (ru) Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного s-диода
US3579143A (en) Method for increasing the efficiency of lsa oscillator devices by uniform illumination
US3477041A (en) Production of amplitude modulated light by a solid state oscillator
US3714604A (en) Self excited electron phonon resonator
US3458831A (en) Semiconductor device for producing and amplifying electrical signals of very high frequencies
RU2610060C2 (ru) Вибрационный источник сейсмических колебаний
Whitney et al. Resolution of sidebands in a semiconductor laser frequency modulated by ultrasonic waves