SU472695A1 - Способ генерировани акустических колебаний - Google Patents
Способ генерировани акустических колебанийInfo
- Publication number
- SU472695A1 SU472695A1 SU1807177A SU1807177A SU472695A1 SU 472695 A1 SU472695 A1 SU 472695A1 SU 1807177 A SU1807177 A SU 1807177A SU 1807177 A SU1807177 A SU 1807177A SU 472695 A1 SU472695 A1 SU 472695A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage
- semi
- semiconductor
- layer
- generation method
- Prior art date
Links
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к электроакустике и предназначено дл генерировани акустических колебаний звуковой и ультразвуковой частот.
Известны способы генерировани акустических колебаний с помощью сильного импульсного электрического пол , создаваемого в полупроводниковом твердотельном элементе. Однако при этом необходимы значительные величины возбуждающих напр жений, частотпый диапазон генерируемых колебаний ограничен снизу. Кроме того, генерируемые с помощью этих способов акустические колебани имеют малую интенсивность.
Предлагаемый способ генерировани акустических колебаний обеспечивает генерирование колебаний повышенной интенсивности в широком диапазоне частот: от самых низких до нескольких дес тков мегагерц. Дл их возбуждени требуютс сравнительно низкие (пор дка нескольких дес тков вольт) величины напр жени . Дл этого дл генерировани акустических колебаний используетс полупроводниковый шнуровой 5-элемент, по крайней мере, с одной тонкой глубоколежащей полуизол дионной прослойкой, напрИМер, в виде истощенной области р-п-перехода, на который подают посто нное напр жение, меньшее напр жени включени 5-элемента, и модулируют его короткими импульсами,
амплитуда которых выще напр жени включени этого элемента.
Способ заключаетс в следующем.
При подаче на 5-элемеит посто нного напр жени в узкой полуизол ционной прослойке создаетс высока напр женность электрического пол . В этом случае калчдый раз с подачей модулирующего импульса в центральной части глубоколежащей прослойки возникает высокотемпературный мезоплазмеипый канал-шнур тока большой плотности. Сопр женна с каналом область полупроводника подвергаетс упругой деформации, величина которой пропорциональпа плотности тока в шнуре тока. После прекращени действи модулирующего импульса мезоилазменный канал исчезает, т. е. ток переходит в равномерное распределение по площади полуизол ционной прослойки. Величина механической деформации в виду очень малых размеров мезоилазменного канала быстро убывает. Таким образом, синхронно модулирующим импульсом мен етс величина механических деформаций малого объема полупроводника, что приводит к концентричному распространению упругих волн через механически однородное тело полупроводника. Интенсивность акустических колебаний определ етс мощностью в модулирующем импульсе. Способ генерирует акустические колебани как звуковой и ультразеуковой частот, так и одиночные акустические импульсы-сигналы. Верхний предел частот (дес тки мегагерц) ограничен тепловой инерционностью мезоплазменного канала.
Лучша температурна стабильность i-енерировани акустических колебаний достигаетс при использовапии в качестве полуизол циониой прослойки в 5-элементах компенсироваиного нри высоких уровн х легировани полупроводникового сло . Это обусловлено тем, что напр жение Включени S-элементов с такой прослойкой, например у полупроводникового элемента с р -«+-Si-и++ -структурой, практически не зависит от температуры в широком интервале ее значений.
Предмет изобретени
Claims (2)
1. Способ генерировани акустических колебаний с помощью сильного импульсного
электрического пол , создддаемого в полупроводниковом элементе, отличающийс тем, что, с целью повышени интенсивности колебаний и расширени диапазона генерируемых частот, используют полупроводниковый S-элемеит, по крайней мере, с одной тонкой глубоколежащей полуизол ционной прослойкой , например, в виде истощенной области р-«-перехода, на который подают посто нное
напр жение, меньшее напр жени включени , и модулируют его короткими имцульсами, амплитуда которых выше напр жени включени элемента.
2. Способ по п. 1, отличающийс тем,
что, с целью повышени температурной стабильности генерировани , в качестве полуизол дионной прослойки используют компенсированный при высоких уровн х легировани 51-слой.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1807177A SU472695A1 (ru) | 1972-07-10 | 1972-07-10 | Способ генерировани акустических колебаний |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1807177A SU472695A1 (ru) | 1972-07-10 | 1972-07-10 | Способ генерировани акустических колебаний |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU472695A1 true SU472695A1 (ru) | 1975-06-05 |
Family
ID=20520913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1807177A SU472695A1 (ru) | 1972-07-10 | 1972-07-10 | Способ генерировани акустических колебаний |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU472695A1 (ru) |
-
1972
- 1972-07-10 SU SU1807177A patent/SU472695A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR880013166A (ko) | 백 바이어스 전압 발생기 | |
SU472695A1 (ru) | Способ генерировани акустических колебаний | |
US3397328A (en) | Voltage generation utilizing piezoelectric effects | |
US5062113A (en) | Light source drive device | |
US20070010744A1 (en) | Ultrasonographic device | |
US4625182A (en) | Optically triggered bulk device Gunn oscillator | |
GB1408173A (en) | Piezoelectric semi-conductor arrangements | |
Gibbons | Transient temperature response of an avalanche diode | |
Fenner | Effect of hydrostatic pressure on the emission from gallium arsenide lasers | |
US3704427A (en) | Device for stimulating emission of radiation from a diode | |
GB644634A (en) | Improvements in or relating to integrating circuit arrangements | |
US3483441A (en) | Avalanche diode for generating oscillations under quasi-stationary and transit-time conditions | |
US3312910A (en) | Frequency modulation of radiation emitting p-n junctions | |
US3524082A (en) | Oscillatory energy generating apparatus | |
US3673474A (en) | Means for generating (a source of) surface and bulk elastic wares | |
US3945028A (en) | High speed, high power plasma thyristor circuit | |
US2859360A (en) | Wave generator | |
US3447044A (en) | Scanned line radiation source using a reverse biased p-n junction adjacent a gunn diode | |
RU175209U1 (ru) | Устройство для фотоэлектрического переключения лавинного импульсного s-диода | |
US3579143A (en) | Method for increasing the efficiency of lsa oscillator devices by uniform illumination | |
US3477041A (en) | Production of amplitude modulated light by a solid state oscillator | |
US3714604A (en) | Self excited electron phonon resonator | |
US3458831A (en) | Semiconductor device for producing and amplifying electrical signals of very high frequencies | |
RU2610060C2 (ru) | Вибрационный источник сейсмических колебаний | |
Whitney et al. | Resolution of sidebands in a semiconductor laser frequency modulated by ultrasonic waves |