SU467430A1

SU467430A1 - Устройство дл защиты нагрузки от повышени напр жени источника питани

Info

Publication number: SU467430A1
Application number: SU1938604A
Authority: SU
Inventors: Валерий Гордеевич Петренко; Николай Павлович Жук
Original assignee: Предприятие П/Я А-1173
Priority date: 1973-07-02
Filing date: 1973-07-02
Publication date: 1975-04-15

Description

1

Предлагаемое изобретение относитс к области электротехники и может быть использовано дл защиты различных устройств радиоэлектроники , автоматики и вычислительной техники от повышени напр жени источника питани .

Известны устройства защиты нагрузок от повышени напр жени источника питани , содержащие защитный транзистор, включенный в первую щину источника питани эмиттером к нагрузке и коллектором к источнику, и схему сравнени , состо щую из транзистора, коллектор которого через резистор соединен с первой щиной источника питани , эмиттер - со второй шиной источника, а база через резистор подключена к средней точке делител , состо щего из туннельного диода и резистора и подключенного к выходу источника питани .

Недостатком известных устройств защиты вл етс большое падение напр жени на защитном транзисторе, так как питание базовой цепи транзистора с помощью резистора, подключенного к коллектору, не позвол ет создать режим глубокого насыщени .

С целью уменьщени падени напр жени на защитном транзисторе в предлагаемом устройстве защитный транзистор включен во вторую шину источника питани коллектором к нагрузке и эмиттером к источнику питани .

а база его через диод соединена с коллектором транзистора схемы сравнени .

На чертеже представлена принципиальна схема предлагаемого устройства.

Устройство защиты состоит из источника питани 1, нагрузки 2, защитного транзистора 3, диода 4, транзистора 5 схемы сравнени , балластного резистора 6, резистора 7, туннельного диода 8 и резистора 9.

Устройство защиты работает следующим образом.

При нормальном напр жении источника питани 1 защитный транзистор 3 находитс в

режиме насыщени с помощью базового тока, протекающего через диод 4 и балластный резистор 6 от источника питани . Ток, протекающий по резистору 9, меньше пикового тока туннельного диода 8, и напр жение на диоде

пе достаточно дл открывани транзистора 5. При увеличении напр жени источника питани 1 увеличиваетс ток туннельного диода 8, а при достижении пикового значени диод переходит на вторую восход щую ветвь вольтамперной характеристики, увеличиваетс падение напр жени на нем, что вызывает открывание транзистора 5 и щунтирование перехода база-эмиттер защитного транзистора 3, что приводит к закрыванию защитного транзистора 3 и прекращению подачи питающего

напр жени от источника питани 1 к нагрузке 2.

Предмет изобретени

Устройство защиты нагрузки от повышени напр жени источника питани , содержащее защитный транзистор и орган сравнени , состо щий из транзистора, коллектор которого через резистор соединен с первой шиной источника питани , эмиттер соединен со второй шиной источника питани , а база через

резистор подключена к точке соединени туннельного диода и резистора, причем второй конец резистора подключен к первой щине, а второй конец туннельного диода - ко второй шине источника питани , отличающеес тем, что, с целью уменьшени падени напр жени на зашитном транзисторе, он включен во вторую щину источника питани коллектором к выходу и эмиттером к источнику питани , а база его через диод соединена с коллектором транзистора органа сравнени .