SU454590A1

SU454590A1 - Dielectric material

Info

Publication number: SU454590A1
Application number: SU1820998A
Authority: SU
Inventors: Владимир Николаевич Алфеев; Василий Михайлович Шамрин; Анатолий Станиславович Битиньш; Елена Аркадьевна Рубинова; Лидия Сергеевна Белик; Николай Андреевич Свербий
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6028
Priority date: 1972-08-21
Filing date: 1972-08-21
Publication date: 1974-12-25

Description

1one

Изобретение относитс к радиоэлектронике, в частности к технологии диэлектриков дл интегральных СВЧ-схем, иснользуемых в микроэлектронике .The invention relates to electronics, in particular to dielectric technology for integrated microwave circuits used in microelectronics.

Композиции ферритовых материалов с пассивными диэлектрическими материалами образуют , подложки дл интегральных схем, габариты и параметры которых позвол ют обеспечивать микроминиатюризацию, улучшение параметров устройств на их основе.Compositions of ferrite materials with passive dielectric materials form substrates for integrated circuits whose dimensions and parameters allow microminiaturization and an improvement in the parameters of devices based on them.

Известен материал, полученный на основе системы СаО - VsOs - TiO2 - FejOs, который характеризуетс малой шириной кривой ферромагнитного резонанса в интервале 77-4,2°К.A known material obtained on the basis of the CaO - VsOs - TiO2 - FejOs system, which is characterized by a small width of the ferromagnetic resonance curve in the range of 77-4.2 ° K.

Однако известный материал характеризуетс значительным коэффициентом потерь, включаюш,им в себ не только диэлектрические потери, но и магнитные. Кроме того, при спекании известного диэлектрика с ферритовым материалом той же системы, граница их стыковки вл етс механически неустойчивой при охлаждении и многократном термоциклировании в интервале температур 298-80°К.However, the known material is characterized by a significant loss factor, including not only dielectric losses, but also magnetic ones. In addition, when sintering a known dielectric with a ferrite material of the same system, the boundary of their joining is mechanically unstable during cooling and repeated thermal cycling in the temperature range 298-80 ° K.

Целью изобретени вл етс улучшение диэлектрических свойств материала, обеспечени возможности спекани его без загр знени с ферритовым материалом той же системы.The aim of the invention is to improve the dielectric properties of the material, making it possible to sinter it without contamination with the ferrite material of the same system.

Дл этого компоненты материала берут в следуюш,ем соотношении, мол.%:For this, the components of the material are taken as follows, it is the ratio, mol.%:

СаО47,8-48,1CaO47.8-48.1

VaOs9,6-9,7VaOs9,6-9,7

TiO218,8-19,0TiO218,8-19,0

FeaOa23,4-23,6.FeaOa23,4-23,6.

В качестве исходных компонентов используют СаСОз, Ре2Оз, V2O5, TiO2, которые навешиваютс в заданном соотношении, проход т операцию вибропомола и смешение в вибромельнице в течение двух часов, после чего следует предварительный обжиг в капсел х в течение четырех часов при 1100°С, затем вибропомол и смешивание в вибромельнице; формование образцов заданной формы производ т методом прессовани при удельном давлении 1,5 Г/см с добавкой пластификатора - 10%-ного водного раствора поливинилового спирта.As the initial components, CaCO3, Pe2Oz, V2O5, TiO2 are used, which are hung in a predetermined ratio, the vibrating milling operation is carried out and mixed in a vibrating mill for two hours, followed by firing in capsles for four hours at 1100 ° C, then vibrating grinder and mixing in a vibromill; Forming samples of a given shape is produced by pressing at a specific pressure of 1.5 g / cm with the addition of a plasticizer — a 10% aqueous solution of polyvinyl alcohol.

Спрессованные образцы спекаютс при 1250°С с выдержкой в течение 10 час и последующим свободным охлаждением. После спекани полученные заготовки поступают на механическую обработку.Compressed specimens are sintered at 1250 ° C with a holding time of 10 hours and subsequent free cooling. After sintering, the resulting billets are fed for machining.

Контроль диэлектрических параметров производ т на специальной установке резонатор30 ным методом на частоте Мгц в диапазоне температур 130-293°К. Полученные материалы обладают следующими параметрами при r il30°K; диэлектрическа проницаемость ,8, tg6s 6-10-l Проведенные исследовани диэлектрических свойств группы материалов в системе СаО - VaOs - Ti02-FejOa показали, что получение диэлектрического материала с малыми значени ми tge с заданной величиной е возможно лишь при указанном выше соотношении исходных компонентов . Увеличение других немагнитных компонентов шихты (СаСОз, VsOs) не позвол ет получить диэлектрические материалы, а лишь ухудшает магнитные свойства ферритов. Введение указанного количества TiO2 в исходную шихту приводило к разложению твердого раствора , образующего магнитную структуру.The dielectric parameters are controlled at a special installation using the resonator method 30 at the frequency MHz in the temperature range 130-293 ° K. The resulting materials have the following parameters at r il30 ° K; dielectric constant, 8, tg6s 6-10-l Studies of the dielectric properties of a group of materials in the CaO - VaOs - Ti02-FejOa system showed that obtaining a dielectric material with small tge values with a given value of e is possible only with the above ratio of initial components. An increase in other nonmagnetic components of the charge (CaCO3, VsOs) does not allow obtaining dielectric materials, but only worsens the magnetic properties of ferrites. The introduction of a specified amount of TiO2 into the initial mixture led to the decomposition of the solid solution forming the magnetic structure.

434590434590

Предмет изобретени Subject invention

Диэлектрический материал на основе системы СаО - V205 - TiOa - Ре2Оз, преимущественно дл изготовлени подложек криоэлектронных интегральных СВЧ-схем, содержащих элементы из ферритового материала, отличающийс тем, что, с целью улучшени диэлектрических свойств материала, обеспечени возможности спекани его без загр знени с ферритовым материалом той же системы , его компоненты вз ты в следующем соотношении , мол.%:A dielectric material based on the CaO - V205 - TiOa - Pe2Oz system, mainly for the manufacture of substrates of cryoelectronic integrated microwave circuits containing elements made of ferrite material, characterized in that, in order to improve the dielectric properties of the material, it is possible to sinter it without contamination with ferrite the material of the same system, its components are taken in the following ratio, mol.%:

СаО47,8-48,1CaO47.8-48.1

VaOs9,6-9,7VaOs9,6-9,7

Ti0218,8-19,0Ti0218,8-19,0

РегОз23,4-23,6.RegOz23,4-23,6.