SU446869A1 - Способ изготовлени электрорадиографического сло - Google Patents

Способ изготовлени электрорадиографического сло

Info

Publication number
SU446869A1
SU446869A1 SU1860046A SU1860046A SU446869A1 SU 446869 A1 SU446869 A1 SU 446869A1 SU 1860046 A SU1860046 A SU 1860046A SU 1860046 A SU1860046 A SU 1860046A SU 446869 A1 SU446869 A1 SU 446869A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
electroradiographic
photosensitivity
manufacturing
lead oxide
Prior art date
Application number
SU1860046A
Other languages
English (en)
Inventor
Эдмундас Адольфо Монтримас
Броне Казио Ракаускене
Юлюс Казио Ракаускас
Original Assignee
Вильнюсский Государственный Университет
Научно-Исследовательский Институт Электрографии
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Вильнюсский Государственный Университет, Научно-Исследовательский Институт Электрографии filed Critical Вильнюсский Государственный Университет
Priority to SU1860046A priority Critical patent/SU446869A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU446869A1 publication Critical patent/SU446869A1/ru

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к способу получени  электрорадиографического сло  с повышенной фоточувствительностью и улучшенными электрическими параметрами, которые могут быть использованы в промышленной дефектоскопии дл  просвечивани  металлических деталей сложной конфигурации жесткими рентгеновскими и 7-лучами.
Известен способ получени  электрорадиографического сло , заключаюш,ийс  в том, что желтую окись свинца перевод т в красную тетрагональную путем отжига при 250- 350°С и последуюш.им диспергированием ее с полимерным св зуюш,им, например изобутилметакрилатной смолой, в соответствуюш,ем растворителе, например толуоле.
Суспензию нанос т на алюминиевую полугибкую фольгу и сушат. Изготовленные таким способом слои обладают чувствительностью к рентгеновскому излучению. Дл  повышени  фоточувствительности к жестким рентгеновским и гамма-лучам предложен способ получени  электрорадиографического сло , в котором красную тетрагональную окись свинца диспергируют в кремнеорганическом лаке марок КО-815, К-55, суспензию нанос т на алюминиевую фольгу и после .сушки верхний слой снимают механической полировкой. Фоточувствительность при этом повышаетс  в 2-3 раза . С целью дополнительного увеличени  фоточувствительности сло  отполированные слои активируют отжигом в атмосфере воздуха при 180-220°С в течение 30-60 мин. Фоточувствительность после такой обработки увеличиваетс  еще в 4-5 раз. Полученные электрорадиографические слои толщиной 100- 600 мкм обладают фоточувствительностью селеновых ЭРС 45-70 по полуспаду потенциала и превышающей селеновые слои в области высоких энергий квантов 100-200 кэВ, с уменьшенной скоростью темновой разр дки, составл ющей 15-20% за первую минуту после зар дки до потенциала 1000-1500 В и высоким потенциалом зар дки 1000-5000 В
без электрического пробо  слоев.
Пример. Красную тетрагональную окись свинца получают из желтой окиси свинца комбинацией трех известных способов, т. е. механического , химического и термического дл 
обеспечени  надежного перевода всей желтой окиси свинца в красную тетрагональную. Дл  этого исходный материал - желтую окись свинца марки ЧДА в шаровой мельнице в течение 6 ч измельчают до размера частиц 3-
5 мкм. При этом частично желтую окись перевод т в красную тетрагональную.
Из обработанного таким образом порошка в 50-70%-ном растворе едкого натри  в воде , подогретого до 95-99°С при интенсивном
перемешивании высаживают кристаллы красной тетрагональной окиси свинца в течение 2-3 ч.
Полученную красную окись свинца промывают до едкого натра. После промывки красную окись свинца сушат при 120°С в течение 1 ч и активируют отжигом при 270-370°С в течение I-2 ч.
Полимерную основу- кремнеорганический лак марки КО-815 (К-55) суспендируют в шаровой мельнице в течение 6 ч с полученной красной тетрагональной окисью свинца. При приготовлении суспензии на 1 г окиси свинца берут 3 мл лака и 0,1 мл толуола.
После диспергировани  суспензии поливом в специальном устройстве методом ракельного Hojfca нанос т на подложки из металлической фольги трдщиной 0,2-0,3 мм. Полученные слои сушат в термостате при 120-150°С в течение 2-3 ч.
После цолива слоев на поверхности сло  образуетс  диэлектрическа  пленка почти из одного лака, составл юща  20-30% от всей толщины сло , Наличие диэлектрической пленки представл ет высокий барьер дл  прохождени  носителей тока, созданных в объеме сло  при поглощении квантов излучени  кристаллитами окиси свинца, что приводит к уменьшению фоточувствительности слоев цо
3-5 . После сн ти  механической полировкой диэлектрической пленки, фоточувствительность слоев повышаетс  в 2-3 раза, т. е. до 10-15 рЗначительное повышение (в 4-5 раза) фоточувствительности до 45-70 и улучшение электрических параметров происходит после активации отполированных слоев отжигом в атмосфере воздуха при 180-220 С в течение 30-60 мин.
Предмет изобретени 

Claims (2)

1.Способ изготовлени  электрорадиографического сло  путем диспергировани  порошка красной тетрагональной модификации окиси свинца в растворе полимерного св зующего и нанесении суспензии на электропровод щую полугибкую подложку, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  фоточувствительности сло , в качестве полимерного св зующего используют кремнеорганический лак, например , марки КО-815, К-55, и полученный при нанесении на подложку слой подвергают механической полировке.
2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что после механической полировки слой подвергают активации отжигом в атмосфере воздуха при 180-220°С в течение 30-60 мин.
SU1860046A 1972-12-19 1972-12-19 Способ изготовлени электрорадиографического сло SU446869A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1860046A SU446869A1 (ru) 1972-12-19 1972-12-19 Способ изготовлени электрорадиографического сло

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1860046A SU446869A1 (ru) 1972-12-19 1972-12-19 Способ изготовлени электрорадиографического сло

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU446869A1 true SU446869A1 (ru) 1974-10-15

Family

ID=20535878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1860046A SU446869A1 (ru) 1972-12-19 1972-12-19 Способ изготовлени электрорадиографического сло

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU446869A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2364497A1 (fr) * 1976-09-11 1978-04-07 Philips Nv Produit utilise pour l'enregistrement electrophotographique et sensible en particulier aux rayons x et procede pour la fabrication de ce produit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2364497A1 (fr) * 1976-09-11 1978-04-07 Philips Nv Produit utilise pour l'enregistrement electrophotographique et sensible en particulier aux rayons x et procede pour la fabrication de ce produit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lorenz et al. Some properties of a double acceptor center in CdTe
US4000502A (en) Solid state radiation detector and process
US2443542A (en) Light-sensitive electric device including silicon
US3824099A (en) Sensitive electrophotographic plates
US2930999A (en) Photo-conductive device and method of
US2985757A (en) Photosensitive capacitor device and method of producing the same
Zaininger Irradiation of MIS capacitors with high energy electrons
SU446869A1 (ru) Способ изготовлени электрорадиографического сло
US2879182A (en) Photosensitive devices
US3238150A (en) Photoconductive cadmium sulfide powder and method for the preparation thereof
US2866878A (en) Photoconducting devices
GB1065771A (en) Recording carriers and recording apparatus therefor
US2879362A (en) Photosensitive device
Novosad et al. Luminescence and photosensitivity of PbI2 crystals
Stein Electrical Studies of Neutron‐Irradiated p‐Type Silicon: Defect Structure and Annealing
US2096170A (en) Light-sensitive device
Kawai et al. Semiconducting Properties of Tetramethylammonium Polyiodides and the Irradiation Effect
US3543025A (en) Electroradiographic x-ray sensitive element containing tetragonal lead monoxide
US3320495A (en) Surface-barrier diode for detecting high energy particles and method for preparing same
Akimov et al. Origin of the Condenser Photo‐EMF in Semiconductors and of the Photoinduced Change in the Contact Potential
CN105097992B (zh) 一种光敏电容器的制备方法
Tomaev et al. Preparation of oxidized PbSeO 3 films from PbSe films
Kawamoto et al. Photocurrents and thermally stimulated currents in epoxy resin: effects of mechanical stress
CN115261993B (zh) 一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用
US3357857A (en) Method of passivating supports for semiconductor sulphides, selenides and tellurides