SU446869A1 - Способ изготовлени электрорадиографического сло - Google Patents
Способ изготовлени электрорадиографического слоInfo
- Publication number
- SU446869A1 SU446869A1 SU1860046A SU1860046A SU446869A1 SU 446869 A1 SU446869 A1 SU 446869A1 SU 1860046 A SU1860046 A SU 1860046A SU 1860046 A SU1860046 A SU 1860046A SU 446869 A1 SU446869 A1 SU 446869A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- electroradiographic
- photosensitivity
- manufacturing
- lead oxide
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к способу получени электрорадиографического сло с повышенной фоточувствительностью и улучшенными электрическими параметрами, которые могут быть использованы в промышленной дефектоскопии дл просвечивани металлических деталей сложной конфигурации жесткими рентгеновскими и 7-лучами.
Известен способ получени электрорадиографического сло , заключаюш,ийс в том, что желтую окись свинца перевод т в красную тетрагональную путем отжига при 250- 350°С и последуюш.им диспергированием ее с полимерным св зуюш,им, например изобутилметакрилатной смолой, в соответствуюш,ем растворителе, например толуоле.
Суспензию нанос т на алюминиевую полугибкую фольгу и сушат. Изготовленные таким способом слои обладают чувствительностью к рентгеновскому излучению. Дл повышени фоточувствительности к жестким рентгеновским и гамма-лучам предложен способ получени электрорадиографического сло , в котором красную тетрагональную окись свинца диспергируют в кремнеорганическом лаке марок КО-815, К-55, суспензию нанос т на алюминиевую фольгу и после .сушки верхний слой снимают механической полировкой. Фоточувствительность при этом повышаетс в 2-3 раза . С целью дополнительного увеличени фоточувствительности сло отполированные слои активируют отжигом в атмосфере воздуха при 180-220°С в течение 30-60 мин. Фоточувствительность после такой обработки увеличиваетс еще в 4-5 раз. Полученные электрорадиографические слои толщиной 100- 600 мкм обладают фоточувствительностью селеновых ЭРС 45-70 по полуспаду потенциала и превышающей селеновые слои в области высоких энергий квантов 100-200 кэВ, с уменьшенной скоростью темновой разр дки, составл ющей 15-20% за первую минуту после зар дки до потенциала 1000-1500 В и высоким потенциалом зар дки 1000-5000 В
без электрического пробо слоев.
Пример. Красную тетрагональную окись свинца получают из желтой окиси свинца комбинацией трех известных способов, т. е. механического , химического и термического дл
обеспечени надежного перевода всей желтой окиси свинца в красную тетрагональную. Дл этого исходный материал - желтую окись свинца марки ЧДА в шаровой мельнице в течение 6 ч измельчают до размера частиц 3-
5 мкм. При этом частично желтую окись перевод т в красную тетрагональную.
Из обработанного таким образом порошка в 50-70%-ном растворе едкого натри в воде , подогретого до 95-99°С при интенсивном
перемешивании высаживают кристаллы красной тетрагональной окиси свинца в течение 2-3 ч.
Полученную красную окись свинца промывают до едкого натра. После промывки красную окись свинца сушат при 120°С в течение 1 ч и активируют отжигом при 270-370°С в течение I-2 ч.
Полимерную основу- кремнеорганический лак марки КО-815 (К-55) суспендируют в шаровой мельнице в течение 6 ч с полученной красной тетрагональной окисью свинца. При приготовлении суспензии на 1 г окиси свинца берут 3 мл лака и 0,1 мл толуола.
После диспергировани суспензии поливом в специальном устройстве методом ракельного Hojfca нанос т на подложки из металлической фольги трдщиной 0,2-0,3 мм. Полученные слои сушат в термостате при 120-150°С в течение 2-3 ч.
После цолива слоев на поверхности сло образуетс диэлектрическа пленка почти из одного лака, составл юща 20-30% от всей толщины сло , Наличие диэлектрической пленки представл ет высокий барьер дл прохождени носителей тока, созданных в объеме сло при поглощении квантов излучени кристаллитами окиси свинца, что приводит к уменьшению фоточувствительности слоев цо
3-5 . После сн ти механической полировкой диэлектрической пленки, фоточувствительность слоев повышаетс в 2-3 раза, т. е. до 10-15 рЗначительное повышение (в 4-5 раза) фоточувствительности до 45-70 и улучшение электрических параметров происходит после активации отполированных слоев отжигом в атмосфере воздуха при 180-220 С в течение 30-60 мин.
Предмет изобретени
Claims (2)
1.Способ изготовлени электрорадиографического сло путем диспергировани порошка красной тетрагональной модификации окиси свинца в растворе полимерного св зующего и нанесении суспензии на электропровод щую полугибкую подложку, отличающийс тем, что, с целью увеличени фоточувствительности сло , в качестве полимерного св зующего используют кремнеорганический лак, например , марки КО-815, К-55, и полученный при нанесении на подложку слой подвергают механической полировке.
2.Способ по п. 1, отличающийс тем, что после механической полировки слой подвергают активации отжигом в атмосфере воздуха при 180-220°С в течение 30-60 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1860046A SU446869A1 (ru) | 1972-12-19 | 1972-12-19 | Способ изготовлени электрорадиографического сло |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1860046A SU446869A1 (ru) | 1972-12-19 | 1972-12-19 | Способ изготовлени электрорадиографического сло |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU446869A1 true SU446869A1 (ru) | 1974-10-15 |
Family
ID=20535878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1860046A SU446869A1 (ru) | 1972-12-19 | 1972-12-19 | Способ изготовлени электрорадиографического сло |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU446869A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2364497A1 (fr) * | 1976-09-11 | 1978-04-07 | Philips Nv | Produit utilise pour l'enregistrement electrophotographique et sensible en particulier aux rayons x et procede pour la fabrication de ce produit |
-
1972
- 1972-12-19 SU SU1860046A patent/SU446869A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2364497A1 (fr) * | 1976-09-11 | 1978-04-07 | Philips Nv | Produit utilise pour l'enregistrement electrophotographique et sensible en particulier aux rayons x et procede pour la fabrication de ce produit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lorenz et al. | Some properties of a double acceptor center in CdTe | |
US4000502A (en) | Solid state radiation detector and process | |
US2443542A (en) | Light-sensitive electric device including silicon | |
US3824099A (en) | Sensitive electrophotographic plates | |
US2930999A (en) | Photo-conductive device and method of | |
US2985757A (en) | Photosensitive capacitor device and method of producing the same | |
Zaininger | Irradiation of MIS capacitors with high energy electrons | |
SU446869A1 (ru) | Способ изготовлени электрорадиографического сло | |
US2879182A (en) | Photosensitive devices | |
US3238150A (en) | Photoconductive cadmium sulfide powder and method for the preparation thereof | |
US2866878A (en) | Photoconducting devices | |
GB1065771A (en) | Recording carriers and recording apparatus therefor | |
US2879362A (en) | Photosensitive device | |
Novosad et al. | Luminescence and photosensitivity of PbI2 crystals | |
Stein | Electrical Studies of Neutron‐Irradiated p‐Type Silicon: Defect Structure and Annealing | |
US2096170A (en) | Light-sensitive device | |
Kawai et al. | Semiconducting Properties of Tetramethylammonium Polyiodides and the Irradiation Effect | |
US3543025A (en) | Electroradiographic x-ray sensitive element containing tetragonal lead monoxide | |
US3320495A (en) | Surface-barrier diode for detecting high energy particles and method for preparing same | |
Akimov et al. | Origin of the Condenser Photo‐EMF in Semiconductors and of the Photoinduced Change in the Contact Potential | |
CN105097992B (zh) | 一种光敏电容器的制备方法 | |
Tomaev et al. | Preparation of oxidized PbSeO 3 films from PbSe films | |
Kawamoto et al. | Photocurrents and thermally stimulated currents in epoxy resin: effects of mechanical stress | |
CN115261993B (zh) | 一种二维(BA)2PbBr4钙钛矿单晶及其制备方法和应用 | |
US3357857A (en) | Method of passivating supports for semiconductor sulphides, selenides and tellurides |