SU443433A1

SU443433A1 - Cartridge for group chemical processing of plates

Info

Publication number: SU443433A1
Application number: SU1722115A
Authority: SU
Inventors: Вячеслав Вячеславович Громов; Евгений Александрович Кочурков; Николай Григорьевич Медведев; Алексей Тихонович Мягков; Рудольф Валентинович Щербачев
Original assignee: Предприятие П/Я В-8495
Priority date: 1971-12-09
Filing date: 1971-12-09
Publication date: 1974-09-15

Description

1one

Изобретение относитс к оборудованию дл жидкостной хшшческои обработки полупроводниковых пластин, примен емому в электронной и полупроводниковой технике, и, в частноети , при химической обработке кремниевых и ситалловых пластин.The invention relates to equipment for liquid processing of semiconductor wafers, used in electronic and semiconductor technology, and, in particular, in the chemical processing of silicon and glass plates.

Известны кассеты дл групповой обработки полупроводниковых пластин, содержащие корпус с пазами длл удержани пластин. Known cassettes for group processing of semiconductor wafers, comprising a housing with grooves dll holding plates.

Недостатком таких кассет вл етс то, что в них не обеспечиваетс требуема равномерность травлени из-за загр знени сло у поверхности обрабатываемых пластин продуктами реакции и его обеднени . Загр зненный и обедненный приповерхностный слой реактива в то же врем преп тствует поступлению свежего реактива к обрабатываемой поверхности .The disadvantage of such cassettes is that they do not provide the required etching uniformity due to contamination of the layer near the surface of the treated plates with reaction products and its depletion. The contaminated and depleted surface layer of the reagent at the same time prevents the ingress of fresh reagent to the treated surface.

Предложенна кассета выполнена в виде диска с кольцевой проточкой конической формы, имеющего два The proposed cassette is made in the form of a disk with an annular groove of conical shape having two

|р да штырьков, размещенных по двум концентрическим окружност м. Плоскости пластины могут располагатьс под разными углами к радиус-вектору, проведенному через наружный щтырек, на который опираетс пластина.A number of pins placed in two concentric circles. The planes of the plate may be located at different angles to the radius vector drawn through the outer pin on which the plate rests.

Такое расположение пластин позвол ет при вращении кассеты создать направленный поток реактива вдоль полупроводниковых пластин и вести их обработку непрерывно свежими порци ми реактива с эффектным удалением продуктов реакции, чем достигаетс качественна равномерна химическа обработка их поверхностей. Кроме того, така кассета становитс универсальной, так как возможна обработка полупроводниковых пластин круглой и пршлоугольной формы различных размеров.Such arrangement of the plates allows for the rotation of the cassette to create a directed stream of reagent along the semiconductor plates and to process them continuously with fresh portions of the reagent with effective removal of the reaction products, which results in high-quality uniform chemical treatment of their surfaces. In addition, such a cassette becomes universal, since it is possible to process semiconductor wafers of circular and rectangular shapes of various sizes.

На фиг. I и 2 изображена описываема кассета в двух проекци х.FIG. I and 2 depict the described cassette in two projections.

Кассета длл групповой химической обработки, полупроводниковых шгастин состоит из корпуса I в виде диска с кольцевой проточной конической формы, переход щей в пр моугольную , снабженного тангенциально расположенными пазами, образова ными двум р дами штырьков 2 и 3, размещенных по двум концентрически окружност м. Полупроводниковые пластины 4 жлЕ 5 разных размеров круглой или пр моугольной формы закладываютс между штырьками ;2 и 3 наружного и внутреннего р да. При этом плоскос ти пластин могут располагатьс под различными углами к радиусам-векторам ,проведенным к опорныгл штырькам наружного р да. При вращении кассеты с полупроводниковыми пластинами 4 или 5 в реакционной камере создаетс направленный поток реактива вдоль полупроводниковых пластин происходит непрерывное удалениепродуктов реакции с поверхностей обрабатываемых полупроводниковых пластин, тем самым обеспечиваетс требуема равномерность травлени и высокое качество химической обработки их поверхности. ЕРЕдаКС ИЗОЕРЕТЕЕШЯ Кассета дл групповой химической обработки пластин,выполненна в виде диска с кольцевой проточкой и средствами удержаю л пластин, отличающа с тем, что, с целью повышени качества и интенсификации химической обработки-поверхностей пластин, она выполнена в виде диска, имещего два р да цилиндрических штырьков, расположенных по двум концентрическим окружност м.A cassette for group chemical processing of semiconductor Shgastin consists of a body I in the form of a disk with an annular conical flow-through shape, which transforms into a rectangular one, equipped with tangentially positioned grooves formed by two rows of pins 2 and 3 placed in two concentrically circumferences. Semiconductor plates 4 of 5 different sizes of round or rectangular shape are placed between the pins; 2 and 3 of the outer and inner row. In this case, the planes of the plates can be located at different angles to the radii-vectors drawn to the support pins of the outer row. When the cassette with semiconductor plates 4 or 5 is rotated, a directed reagent flow along the semiconductor plates is created in the reaction chamber, the reaction products are continuously removed from the surfaces of the processed semiconductor plates, thus providing the required etching uniformity and high quality chemical treatment of their surface. EREDAX ISOURNETABLE Cassette for group chemical processing of plates made in the form of a disk with an annular groove and means of holding the plates, characterized in that, in order to improve the quality and intensify the chemical treatment of the surfaces of the plates, it is made in the form of a disk having two rows cylindrical pins located in two concentric circles.

Фиг.1 Фиг. 2FIG. 1 FIG. 2