SU435560A1 - Устройство считывания цилиндрических магнитных доменов - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике. Известное устройство считывани  цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) выполнено в виде магниторезисторного элемента из тонкопленочного анизотропного магнитного материала. Технологи  их изготовлени  проста , срок службы практически не ограничен. Повышение плотности записи информации в ЦМД - устройствах усложн ет регистранию ЦМД магниторезисторными датчиками. Дл  эффективной операции считывани  поле ЦМД должно превосходить размагничивающее поле магниторезисторного элемента. В противном случае вектор намагниченности магнитной пленки поворачиваетс  полем домена на угол, меньший 90, относительно своего первоначального положени , что приводит к ослаблению выходного сигнала. Величина размагничивающего пол  тонкопленочного магниторезисторного элемента пр моугольной формы может быть определена из выражени : .. где MS - намагниченность насыщени  материала пленки; b (ширина элемента) и / (длина элемента) - стороны пленки, параллельна  и перпендикул рна  намагничивающему полю ЦМД соответственно; т - толщина пленки . На практике длину магниторезистора берут равной диаметру 1ДМД, отношение длины к ширине - равное 4 или 5 и толщину пленки - 0,02-0,03 мкм. Дл  феррит-гранатовых материалов, в которых размеры ЦМД равн ютс  единицам микрон, эффективна  радиальна  составл юща  пол  рассе ни  домена имеет величину: Я-0,2.4тгЖ,(2) где Mg - намагниченность насыщени  материала домена, т. е. величину примерно до 100 ГС. Учитыва  это обсто тельство, можно видеть, что считывание ЦМД диаметрами, например, 8 мкм магниторезисторным элементом длиной / 8 мкм, шириной 2 мкм и толщиной т 0,02 мкм, выполненным на пермалло  с ГС неэффективно, поскольку размагничивающее поле элемента, как следует из выражени  (1), равно 200 э. Таким образом, известное устройство не может с успехом примен тьс  дл  регистрации ЦМД малых размеров . Цель изобретени  - расширение области эффективного применени  и повышени  уровн  выходного сигнала магниторезистора. Из выражени  (1) видно, что минимальное размагничивающее поле имеет магнитопленочный элемент с отношени-ем сторон 1:1. Таким образом, дл  снижени  размагничивающего