Изобретение относитс к аналоговой вычислительной технике. Известны диодные функциональные преобразователи , содержащие дифференциальный операционный усилитель с резистором в цепи отрицательной обратной св зи и диодно-резисторными элементами, подключенными к источнику входного сигнала и отрицательному зажиму источника двухпол рного опорного напр жени . Недостатком известных схем вл етс низка точность работы, обусловленна температурным изменением характеристик полупроводниковых диодов. В предлагаемый диодный функциональный преобразователь дл повышени точности введены диоды и входные резисторы, первый и второй из которых включены последовательно между источником отрицательного опорного напр жени и первым входом дифференциального усилител , а их обща точка через третий входной резистор соединена со вторым входом дифференциального усилител и катодом первого из последовательно и согласно включенных диодов, анод последнего из которых через четвертый входной резистор подключей к источнику положительного опорного напр жени преобразовател . Схема устройства приведена на чертеже. К первому входу дифференциального операционного усилител У подключены выходы диодно-резисторных элементов , содержащих последовательно соединенные резисторы 3i-3„ и 4i-4„ , точки соединени которых подключены к анодам диодов 5i-Е„ . Выходами диодно-резисторных элементов вл ютс катоды диодов 5i-5„. Выход дифференциального операционного усилител 1 через резистор отрицательной обратной св зи 6 соединен с первым входом. Второй вход усилител 1 через дополнительный резистор 7 соединен с шиной нулевого потенциала. Преобразователь содержит также входные резисторы 5-10. Анод диода 11 подключен к катоду диода 12, а анод диода 12 через четвертый входной резистор 13 подключен к источнику положительного опорного напр жени 14. В преобразователе имеютс также источники отрицательного опорного и входного напр жений 15 и 16. Схема работает следующим образом. Предположим, что диоды 5i-5„, используемые в диодных элементах 2i-2 , имеют одинаковый температурный коэффициент напр жени и одинаковую температуру с диодами 11 и 12, что, например, справедливо дл интегральных диодных матриц. Тепловые влени в полупроводниковых диодах привод т к сдвигу вольт-амперной характеристики диода по оси напр жений. Так как современные твердосхемные интегральные дифференциальные onepaiJH.oHifHie усилители обладают малым Ьходйым токой (50-500 на) большим коэффици е.нтрм усилени дифференциального сдандл (. . высокой степенью относительно ослаблени синфазного сигнала (до 120 дб), то входным током можно пренебречь, а разность гг атенциалов между входами дифференциального усшще обхваченного; от13;ицатель;най..о. св зью, считать пренебрежимо малой. Допустим , что при расчетной температуре потенциалы входов дифференциального операционного усилител / и точки соединени катода диода // со входными резисторами 8-10 ранны нулю. Дл того чтобы при изменении температурта токи через дйодь 5i-5 остались неизментнгыми необходимо компенсировать изменение падений напр жений на этих ДйоДах, что осуществл етс изменением потенциала второТО входа (а следовательно, и первого) дифференциального операционного усилите л 1. Номиналы сопротивлений резисторов 7 и 9 выбираютс из соотношени где Rj, Дд - сопротивлени резисторов 7 и 5; S - температурный коэффициент напр жени точки соединени катода диода 11 со входными резисторами 8-10. При выполнении услови (1) токи, протекающие через диоды 5i-5„, не будут зависеть от изменений температуры. Изменение потенциала первого входа дифференйиального операционного усилител п; |ИвШйгт к изменению выходного напр жени 7 yV которое компенсируетс с помощью вхоДнрго резистора 5. Сопротивление этого резиЬтр а выб ираётс таким, чтобы выполн лось соотношёние At;У (АГ) 81 АГ- (62- ei)Ar| О, () где АС/У (АГ) - изменение выходного напр жени в зависимости от изменени температ.,ь}; 6, 8 - сопрртивленМрезйстордв 6, . х Лабораторные исследовани показьщ ют, что, надр жение; на выходе дйрдногд- (функционального преобразовател , п%рамет;ры схемь1 KOTopbix вь1браны такими, чтобы выполн лисьуслови (1) и (2), не зависит от изменени температуры диодов 5i-5„. Предмет изобретени Диодный функциональный преобразователь , содержащий дифференциальный усилитель с резистором в Цепи обратной св зи, к первому входу которого подсоединен, выходы двухвходовых диодно-резисторных элементов , подключенныхсвоими входами к источнику напр жени и источнику отрицательного опорного напр жени преобразовател , а его второй вход соединен через дополнительный резистор с шиной нулевого потенциала, отличающийс тем, что, с целью повышени точности работы, он содержит диоды и входные резисторы, первый и второй из которых включены последовательно между источником отрицательного опорного напр жени преобразовател и первым входом дифференциального усилител , а их обща точка через третий входной резистор соединена со вторым входом дифференциальногб усилител и катодом первого из последовательно и Ьогласно включённых диоДов, анод последнего диода через четвертый 1Входной резистор подклймщ к источнику положительного опорногонапрйжени преобразовател . - . ;.
Г
4
/