SU428537A1

SU428537A1 - PULSE GENERATOR

Info

Publication number: SU428537A1
Application number: SU1780452A
Authority: SU
Original assignee: В. А. Кешишь Минский радиотехнический институт
Priority date: 1972-05-03
Filing date: 1972-05-03
Publication date: 1974-05-15

Description

Изобретение относитс к имиульсиой технике Н может быть использовано ъ устройствах автоматики и вычислительной техники дл получени регулируемых по длительности нмпульсов с -периодом следова-ни от нескольких дес тков микросекунд до нескольких дес тков секунд € Крутыми фроатамн.The invention relates to immersion technology H can be used in automation devices and computer technology to produce adjustable pulses with a period of a trace from several tens of microseconds to several tens of seconds.

Из1вест.ны генераторы импульсов, в которых иснользуетс лолевой транзистор, работаюш ,,ий в режиме унравл емого соиротивлени , подсоединенный затвором IK обндей точке соединени конденсатора и резистора врем задаюи1 ,ей цепи, а истоком и стоком через резисторы к соответствующему .полюсу источника питани .There are pulse generators in which a lole transistor is used, operating in the unbalanced mode, connected to the connection point of the capacitor and the resistor with the gate of the power supply and through the resistor to the corresponding power source.

В описываемом генераторе с нстоковую цапь лолевого транзистора (Введен туннельный диод, что обеспечивает повышение стабильности длительности генерируемых импульсов и упрои1ение схемы.In the described generator with a nStoke DAC of a field-effect transistor (Tunnel diode is introduced, which provides increased stability of the duration of the generated pulses and circuit optimization.

На фиг. 1 Изображена схема генератора импульсов; на фиг. 2 - вольтамлерна характеристика (ВАХ) туинельного диода.FIG. 1 shows a diagram of the pulse generator; in fig. 2 - voltamler characteristic (VAC) of the diode diode.

Генератор содержит входной и выходной инверторы на транзисторах / и 2 соответственно , лолевой траизистор 3, туннельный диод 4, врем задающую цеиь иа резисторе 5 и конденсаторе 6.The generator contains input and output inverters in transistors / and 2, respectively, lo-lary traisistor 3, tunnel diode 4, time specifying the target resistor 5 and capacitor 6.

Рабоча точка А (см. фиг. 2) с ПОмощью сопротивлени лолевого транзистора выбнраетс так, чтобы лри включеини ланр женни источников нитани EI н EZ она находилась на восход щей ветви ВАХ туннельного диода. При этом транзистор 1 включен, а транзисторThe operating point A (see Fig. 2) with the help of the resistance of the field-effect transistor is chosen so that it turns on the upstream branch of the I – V curve of the tunnel diode. When this transistor 1 is on, and the transistor

2 .выключен. В момент включени нсточников EI и EZ конденсатор 6 начинает зар жатьс и напр лсеНИе на затворе полевого тралзистора соответственно увеличиваетс , что приводит к у.меиьщению угла наклона нагрузочной пр мой Б к оси напр жени .2 .disabled At the moment of switching on the sources EI and EZ, the capacitor 6 begins to charge and the voltage on the gate of the field trasistor increases accordingly, which leads to a decrease in the angle of the load direction B to the voltage axis.

При некотором напр жении на затворе сопротивление полевого транзистора увеличиваетс настолько, что нагрузочна н-р ма (лр ма В), создаваема этим сопротивлением , проходит через Миннатум ВАХ туннельного диода и рабоча точка перемещаетс в точку Г. При этом транзистО|р 2 открываетс . Конденсатор 6 начинает разр жатьс через диод 7, переменный резистор 8 и транзистор 2.At a certain voltage across the gate, the resistance of the field-effect transistor increases so much that the load voltage (LMA B) created by this resistance passes through the Minnatum VAC of the tunnel diode and the operating point moves to point G. This opens the transistor O 2. The capacitor 6 begins to discharge through the diode 7, the variable resistor 8 and the transistor 2.

Скорость разр да конденсатора регулируетс в широких пределах резистором 8.The discharge rate of the capacitor is regulated over a wide range by resistor 8.

По мере разр да конденсатора напр жение на затворе полевого транзистора улгельшаетс и уменьща1етс сопротнвленНе последнего, что приводит к увелнчению угла наклона налрузочной пр мой. Когда нанр жснле на затворе достигнет первоначальной (нуль), нагрузочна нр ма зани.мает первоначальное положение. При этом тра1нзистор 2 закрываетс , а транзистор 1 открываетс . Далее процесс повтор етс .As the capacitor is discharged, the voltage across the gate of the field-effect transistor decreases and decreases less than the latter, which leads to an increase in the inclination angle of the loading line. When the nanometer on the gate reaches the initial (zero) position, the load terminal occupies the initial position. At this time, the transistor 2 is closed, and the transistor 1 is opened. The process then repeats.

Резисторы 9 и 10 необходимы дл устранени вли ни температуры среды на изменение сопротивлени оолбвого транзистора.Resistors 9 and 10 are needed to eliminate the effect of medium temperature on the change in resistance of an oolbvo transistor.

П р е д .м е т изобретени PRED. M et inventions

Генератор импульсов, содержащий входной инвертор, нолевой т.ранзистор, подсоединенный истоком и стоком к источнику питаии , а затвором к общей точке соединени конденсатора и резистора врем задающей цени , подключенной через диод и резистор к коллектору транзистора выходного инвертора, отличающийс тем, что, с целью повыщени стабильности длительности генерируемых импульсов и его упрощени , в .истоковую цепь полевого транзистора 1введен туннельный диод, подключенный анодом к базе транзистора входного инвертора.A pulse generator containing an input inverter, a zero-voltage transistor connected by a source and a drain to a power source, and a gate to a common junction point of a capacitor and a resistor, is a reference value connected through a diode and a resistor to the collector of an output inverter transistor, characterized in that In order to increase the stability of the duration of the generated pulses and simplify it, a tunnel diode connected by an anode to the base of the transistor of the input inverter is introduced into the source circuit of the field-effect transistor 1.