SU427293A1 - DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF - Google Patents

DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF

Info

Publication number
SU427293A1
SU427293A1 SU1904904A SU1904904A SU427293A1 SU 427293 A1 SU427293 A1 SU 427293A1 SU 1904904 A SU1904904 A SU 1904904A SU 1904904 A SU1904904 A SU 1904904A SU 427293 A1 SU427293 A1 SU 427293A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
sensor
waveguide
measuring
electric field
tension
Prior art date
Application number
SU1904904A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
О. С. Василец К. К. Репшас Л. Е. Субачюс изобретени С. П. Ашмонтас
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1904904A priority Critical patent/SU427293A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU427293A1 publication Critical patent/SU427293A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к радиотехнике.The invention relates to radio engineering.

Известно устройство дл  измерени  напр женности электрического пол  СВЧ, содержащее отрезок волновода, полупроводниковый датчик, источник питани  и индикатор.A device for measuring the voltage of a microwave electric field is known, comprising a waveguide section, a semiconductor sensor, a power source and an indicator.

Цель изобретени  - повышение чувствительности и точности измерени . Дл  этого полупроводниковый датчик предлагаемого устройства выполнен в виде двух состыкованных вершинами конусов, расположенных в полости волновода, а контакты датчика расположены вне полости волновода.The purpose of the invention is to increase the sensitivity and accuracy of measurement. For this, the semiconductor sensor of the proposed device is made in the form of two cones joined by the vertices located in the waveguide cavity, and the sensor contacts are located outside the waveguide cavity.

На фиг. 1 схематически показан полунровод1ШКОВЫЙ датчик; на фиг. 2 представлена схема устройства дл  измерени  напр женности электрического пол  СВЧ.FIG. 1 schematically shows a semiconductor 1SCH sensor; in fig. 2 shows a diagram of a device for measuring the intensity of a microwave electric field.

Устройство содержит полупроводниковый датчик 1 с омическими контактами 2, номеш ,енный в полость отрезка волновода 3, резистор 4, источник питани  5. индикатор 6.The device contains a semiconductor sensor 1 with ohmic contacts 2, number into the cavity of the waveguide length 3, resistor 4, power source 5. indicator 6.

Датчик / в виде двух состыкованных вершинами конусов из монокристаллического полупроводникового материала помеш,ен в полость волновода 3 через отверсти  в его широких стенках параллельно электрическому вектору электромагнитного пол  так, что его контакты 2 расположены вне пЪМсти волновода. Зазор между датчиком и стенками волновода заполнен поглощающим СВЧ энергию материалом 7. Это обсто тельство, а также расположение контактов вне полости волновода способствует сведению к минимуму напр женности электрического пол  у контактов, что приводит к ослаблению паразитного сигнала и, следовательно , к повышению точности измерений.The sensor / in the form of two cone-shaped cones made of monocrystalline semiconductor material is placed into the cavity of the waveguide 3 through holes in its wide walls parallel to the electric vector of the electromagnetic field so that its contacts 2 are located outside the waveguide. The gap between the sensor and the walls of the waveguide is filled with material 7 absorbing microwave energy. This circumstance, as well as the location of the contacts outside the waveguide cavity, helps to minimize the electric field intensity at the contacts, which leads to a weakening of the parasitic signal and, consequently, to an increase in the measurement accuracy.

Чувствительность датчика определ етс  размерами датчика г, D и телесным углом а конического сужени .The sensitivity of the sensor is determined by the dimensions of the sensor g, D and the solid angle a of conical constriction.

DD

Чем больше отношение , тем больше чувствительность датчика. Однако это отношениеThe greater the ratio, the greater the sensitivity of the sensor. However this attitude

нельз  сделать бесконечно большим, поскольку наименьший радиус сужени  г определ ет механическую прочность датчика, а величина D дл  получени  минимального коэффициента сто чей волны должна быть намного меньшеcannot be made infinitely large, since the smallest taper radius g determines the mechanical strength of the sensor, and the value of D to obtain the minimum standing wave coefficient must be much less

длины волны в волноводе и толщины скн)1-сло  полупроводникового материала.wavelength in the waveguide and the thickness of the SC-1-layer semiconductor material.

Телесный угол конического сужени  выбирают приблизительно равным 90°, так как при меньших углах понижаетс  чувствительностьThe solid angle of the conical narrowing is chosen to be approximately equal to 90 °, since at smaller angles the sensitivity decreases.

датчика, а при углах, больших 90°, понижаетс  электрическа  прочность волновода.sensor, and at angles greater than 90 °, the electrical strength of the waveguide decreases.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл  измерени  нанр женности электрического нол  СВЧ, содержащее отрезок волновода, полупроводниковый датчик, источник питани  и индикатор, отличающеес  тем, что с целью повышени  чувствительности и точности измерени , датчик выполнен в виде двух состыкованных вершинами конусов- расположенных в полости волновода, а контакты датчика расположены вне полости волновода.A device for measuring the nanoparticles of an electrical microwave, containing a waveguide, a semiconductor sensor, a power source and an indicator, characterized in that in order to increase the sensitivity and accuracy of measurement, the sensor is made in the form of two cone-shaped cones located in the cavity of the waveguide, and the sensor contacts located outside the cavity of the waveguide.

//

SU1904904A 1973-04-03 1973-04-03 DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF SU427293A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1904904A SU427293A1 (en) 1973-04-03 1973-04-03 DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1904904A SU427293A1 (en) 1973-04-03 1973-04-03 DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU427293A1 true SU427293A1 (en) 1974-05-05

Family

ID=20548732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1904904A SU427293A1 (en) 1973-04-03 1973-04-03 DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU427293A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106645987A (en) * 2016-11-30 2017-05-10 中国电力科学研究院 System and method for measurement of transient state ground electric field

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106645987A (en) * 2016-11-30 2017-05-10 中国电力科学研究院 System and method for measurement of transient state ground electric field

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU427293A1 (en) DEVICE FOR MEASURING THE TENSION OF ELECTRIC FIELD UHF
US2830267A (en) Electromagnetic wave detector device
SU398896A1 (en) DEVICE FOR MEASUREMENT OF ELECTRIC
US3001134A (en) Semiconductor device
US3373357A (en) Controlled mode plasma diagnostic apparatus
SU553551A1 (en) UHF floor voltage sensor
US3001135A (en) Device for measuring electrical power
SU372518A1 (en) Sun. Union
SU1083122A1 (en) Device for measuring uhf-power
SU147242A1 (en) Method for measuring pulsed or average microwave power
US3302111A (en) Multimode waveguide harmonic power sampler
SU125910A1 (en) Level Gauge and Discrete Level Switch
SU115482A1 (en) Device for increasing the sensitivity of multi-watt meters
SU815682A1 (en) Electric field transducer
SU813211A1 (en) Dielectric flaw detector
RU2025669C1 (en) Vibration meter
SU561897A1 (en) High-frequency variable-conductance sensor
US3360725A (en) Semiconductor microwave power detector employing the bulk thermoelectric effect
SU447644A1 (en) Measuring instrument of coefficient of the running wave
SU838599A1 (en) Passing power meter
ES342568A1 (en) Device of detection and measurement of very small displacements. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
SU482691A1 (en) Device for measuring the pulse voltage of an electric microwave field
US2453533A (en) Electrostatic microwave energy measuring apparatus
SU1493939A1 (en) Device for measuring parameters of materials
SU150947A1 (en) Polycrystalline CdS X-ray Gauge