Изобретение может быть использовано дл измерени температуры, например, в плазменных устройствах. Известен способ измерени распределени температуры, включающий определение температуры по электрическому сопротивлению образца путем пропускани по нему электрического тока. Этот способ недостаточно точен. С целью повышени точности измерени распределени температуры измен ют последовательно во времени частоту пропуснаемого по образцу электрического тока, определ ют в каждый из выбранных моментов распределение потенциалов по длине образца и по этим данным и толщине скнн-сло суд т о распределении температуры в образце. Способ осуществл етс следующим образом . По исследуемому образцу пропускают электрический ток частотой fi от независимого источника, электрически разв занного от сиетемы электрического питани образца. Измер ют силу тока /, пропускаемого через исследуемый образец, н потенциалы V в р де точек ii, /2, ..., In по длине образца. По данным измерений стро т кривую распределени потенциалов по длине, т. е. (I) и вычисл ют ироизводные -. Удельные электрические соdl противлени участков образца li-/2, , -, In-i-In определ ют на глубине 6i по зависимости 5, dV Т rff где S - плонл,адь кольцевого поперечного сечени образца, соответствующа глубине проникновени 6i в толщу образца электрического тока частотой /i. При этом глубину нроннкновени определ ют по известным зависи/„6 ,62-10 мост м ианример, дл меди о - Дл определенн распределени температуры на другой глубине 62 провод т те же операции в указанной последовательности при другой величине частоты электрического тока /2, соответствующей величине fioПредмет изобретени Способ измерени распределени температуры , включающий определение темнературы но электрическому сопротивлению образца путем пропускани по нему электрического тока, о тл и ч а ю щ и и с тем, что, с целью повыщени точности, ток измен ют по частоте последовательно во времени, ,в каждый из выбранных моментов определ ют раснределение потенциалов по длине образца н по этим данным и толщине скнп-сло суд т о распределении температуры в образце.The invention can be used to measure temperature, for example, in plasma devices. There is a method for measuring the temperature distribution, which includes determining the temperature by the electrical resistance of the sample by passing an electric current through it. This method is not accurate enough. In order to improve the accuracy of measuring the temperature distribution, the frequency of the electric current transmitted through the sample is sequentially varied over time, the potential distribution over the sample length is determined at each of the selected points and the temperature distribution in the sample is judged from these data and the thickness of the screen layer. The method is carried out as follows. An electric current with a frequency fi from an independent source, electrically disconnected from the electrical supply network of the sample, is passed through the sample under study. The current intensity I passed through the sample under study is measured, and the potentials V at a number of points ii, / 2, ..., In along the length of the sample. According to the measurement data, the potential distribution along the length is constructed, i.e., (I) and its derivatives are calculated. Specific electrical resistivity of sample areas li- / 2,, -, In-i-In is determined at a depth of 6i according to dependence 5, dV T rff where S is a plonl, and a circular cross-section of the sample corresponding to the penetration depth of 6i current frequency / i. At the same time, the depth of the disturbance is determined by the known dependencies 6, 62-10 bridge and an impregnator, for copper o - For a certain temperature distribution at another depth 62, the same operations are performed in the specified sequence with a different value of the frequency of the electric current fio value of the invention. A method for measuring the temperature distribution including determining the temperature of a sample but the electrical resistance of the sample by passing an electric current through it, or so, in order to increase the accuracy , The current frequency is varied successively in time, in each of the selected points are determined rasnredelenie potentials along the sample length N of these data and the layer-thickness sknp judged the temperature distribution in the sample.