SU413565A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU413565A1
SU413565A1 SU1744295A SU1744295A SU413565A1 SU 413565 A1 SU413565 A1 SU 413565A1 SU 1744295 A SU1744295 A SU 1744295A SU 1744295 A SU1744295 A SU 1744295A SU 413565 A1 SU413565 A1 SU 413565A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
circuit
amplifier
resistor
transistors
Prior art date
Application number
SU1744295A
Other languages
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1744295A priority Critical patent/SU413565A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU413565A1 publication Critical patent/SU413565A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

1one

Изобретение относитс  к области радиотехники , в частности к усилител м мощности с защитой.The invention relates to the field of radio engineering, in particular to power amplifiers with protection.

Известиые усилители мощности с защитой, содержащие входной каскад, каскад предварительиого усилени , выполнеииый по двухтактной схеме па транзисторах разного тина проводимости и выходной каскад, выполненный по двухтактной схеме на транзисторах одного типа проводимости, в котором транзистор одиого плеча включен по схеме с общим коллектором, а другого - по схеме с общим эмиттером, не обеспечивают защиты выходпых трапзисторов даже при кратковременном замыкарши одного из плеч усилител , а также при тепловом перегреве транзисторов и при использовапии пизкочастотных выходных трапзисторов па высокой частоте.Led power amplifiers with protection, containing an input cascade, a preamplifier cascade, performed in a push-pull circuit on transistors of different conductance and an output cascade performed in a push-pull circuit on transistors of the same conductivity type, in which the transistor of one arm is connected in a circuit with a common collector, and on the other side of the circuit with a common emitter, they do not provide protection for output trapsistors even with a short-term circuit of one of the amplifier arms, as well as with thermal overheating of transistors and use of pizkofrequency output trapsistors PA high frequency.

Цель изобретени -улучщить защиту транзисторов усилител . Это достигаетс  путем подключени  коллектора транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, выходного каскада через резистор к унравл юнхему электроду тиристора, катод которого через диод подключен к эмиттеру траизистора соответствуюигего плеча каскада предварительного усилени , и через резистор-к базе транзистора другого плеча каскада предварительного усилени . Место соединени  упом нутогоThe purpose of the invention is to improve the protection of the transistors of the amplifier. This is achieved by connecting the collector of the transistor connected according to the common emitter circuit, the output stage through the resistor to the unirror of the thyristor electrode, the cathode of which is connected to the emitter of the transistor through the diode of the preliminary amplification cascade, and through the resistor to the base of the other transistor of the preliminary amplification cascade . The junction of the said

резистора и базы через другой диод подключено к выходу усилител .A resistor and base through another diode connected to the output of the amplifier.

На чертеже представлепа схема усилител . При нормальном режиме работы усилител In the drawing, an amplifier circuit. In normal operation, the amplifier

тиристор 1 закрыт, так как напр жени  на его катоде и на управл ющем электроде мало отличаютс  по величине друг от друга. Диоды 2 и 3 также закрыты, так как напр жение емещени  на базе инвертирующего ,р-п-рthyristor 1 is closed, since the voltages on its cathode and on the control electrode differ little in magnitude from each other. Diodes 2 and 3 are also closed, as the voltage on the base of the inverting, pnp

траизистора 4 направлено встречно проводимости этих диодов, а резистор 5 должен быть выбран такой величины, чтобы при максимальной выходной мощности усилител  падение напр жени  на нем, вызванное токомthe traysistor 4 is directed against the conductivity of these diodes, and the resistor 5 must be chosen such that at the maximum output power of the amplifier the voltage drop across it caused by the current

эмиттера инвертирующего п-р-п транзистора 6, плюс напр жение на его переходе база- эмиттер было меньше суммы напр жени  открывани  диода 2 и нанр жени  смещени  инвертирующих транзисторов 4 и 6, создаваемого током коллектора транзистора 7 на двухполюснике 8.The emitter of the inverting pnp transistor 6, plus the voltage on its base-emitter junction was less than the sum of the opening voltage of diode 2 and the bias voltage of the inverting transistors 4 and 6 generated by the collector current of transistor 7 on the bipolar 8.

При коротком замыкании плеча усилител  с инвертирующим р-п-р транзистором 4 ток через другое плечо с инвертирующим п-р-пIn the event of a short circuit of an amplifier arm with an inverting pp transistor 4, the current through the other arm with an inverting pp p

транзистором 6 возрастает и благодар  падению напр жепи  на резисторе 9 включаетс  тиристор 1.the transistor 6 increases and, due to the fall of the voltage across the resistor 9, the thyristor 1 is turned on.

Резистор 10, включенный последовательно в цепь управл юи1его электрода, ограничиResistor 10 connected in series to the control electrode circuit is limited

SU1744295A 1972-02-08 1972-02-08 SU413565A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1744295A SU413565A1 (en) 1972-02-08 1972-02-08

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1744295A SU413565A1 (en) 1972-02-08 1972-02-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU413565A1 true SU413565A1 (en) 1974-01-30

Family

ID=20502081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1744295A SU413565A1 (en) 1972-02-08 1972-02-08

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU413565A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB770200A (en) Temperature controlled semi-conductor bias circuit
SE7908475L (en) ELECTRIC CIRCUIT FOR GENERATING A DIFFERENTIAL OUTPUT SIGNAL FROM AN INPUT SIGNAL
GB1264187A (en)
GB1238950A (en)
GB1365856A (en) Signal control circuits
GB1493472A (en) Composite transistor circuit
KR840004328A (en) Gain Distribution Control Amplifier
GB1408985A (en) Constant current circuits
US4369380A (en) Circuit for controlling a transistor static switch for d.c. loads with high turn-on current
US2877310A (en) Semiconductor amplifiers
GB1446068A (en) Stabilization of quiescent collector potential of current-mode biased transistors-
SU413565A1 (en)
GB1297867A (en)
EP0196131A1 (en) Amplifier arrangement
US3500219A (en) Audio amplifier
US3099802A (en) D.c. coupled amplifier using complementary transistors
US3153153A (en) Isolated high efficiency interstage coupling circuit
US2842624A (en) Transistor amplifier circuit
GB1215324A (en) A transistor a.c. amplifier circuit
GB1399899A (en) Amplifier circuits using complementary-symmetry transistors
GB1318709A (en) Current amplifier circuits
US3458828A (en) Semiconductor amplifier
SU463221A1 (en) DC output amplifier stage
SU364071A1 (en) AMPLIFIER
SU570978A1 (en) Amplifier with dynamic loading