SU410455A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU410455A1
SU410455A1 SU1638207A SU1638207A SU410455A1 SU 410455 A1 SU410455 A1 SU 410455A1 SU 1638207 A SU1638207 A SU 1638207A SU 1638207 A SU1638207 A SU 1638207A SU 410455 A1 SU410455 A1 SU 410455A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transformer
winding
address
discharge
output
Prior art date
Application number
SU1638207A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1638207A priority Critical patent/SU410455A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU410455A1 publication Critical patent/SU410455A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к области вычислительной техники и может быть применено при проектировании запоминающих устройств большой информационной емкости.
Известны устройства пам ти системы 2,5 Д с двум  проводами, в которых один провод использован в качестве адресного, а второй - в качестве адресно-разр дного и выходного.
В существующих устройствах пам ти совмещение адресно-разр дной и выходной обмоток осуществл етс  за счет применени  мостовых схем с дифференциальным трансформатором .
Однако в таких устройствах пам ти адресно-разр дные формирователи выдают ток, равный полному току перемагничивани  сердечников; сердечники в плечах должны быть расположены под углом 90° один относительно другого, а амплитуда помехи, возникающей от адресно-разр дных полутоков вследствие дебаланса мостовой схемы, превышает в несколько раз величину полезного сигнала.
Целью изобретени   вл етс  уменьшение помехи от адресно-разр дных полутоков записи .
Эта цель достигаетс  введением в устройство пам ти системы 2,5 Д двух трехобмоточных импульсных трансформатора. Причем перва  эбмотка первого трансформатора включена последовательно с адресно-разр дной шиной
первой секции, втора  обмотка первого трансформатора и треть  обмотка второго трансформатора соединены согласно и подключены к выходу адресно-разр дного формировател . Треть  обмотка первого трансформатора со второй обмоткой второго трансформатора соединены встречно и подключены ко входам усилител  считывани . Перва  обмотка второго трансформатора соединена последовательно с адресно-разр дной шиной второй секции.
На чертеже приведена схема одного разр да устройства пам ти системы 2,5 Д.
Ферритовые сердечники 1 расположены параллельно и прошиты адресно-разр дными шинами 2, образующими первую 3 и вторую 4 секции.
Выходной трансформатор состоит из двух трехобмоточных трансформаторов. Первый трансформатор 5 имеет первую 6, вторую 7 и третью 8 обмотки, а второй трансформатор 9 - первую 10, вторую 11 и третью 12 обмотки .
Обмотка 6 трансформатора 5 включена последовательно в первую секцию 3 шин 2, обмотка 7 трансформатора 5 и обмотка 12 трансформатора 9 включены согласно и подключены к выходу адресно-разр дного формировател  13.
Обмотка 8 трансформатора 5 и обмотка И трансформатора 9 соединены встречно и подключены ко входам усилител  считывани  14. Обмотка 10 трансформатора 9 включена последовательно во вторую секцию 4 шин 2. Устройство работает следующим образом. При возбуждении формировател  13 двухпол рные полутоки «записи-считывани  через трансформаторы 5 и 9 поступают на шины 2. При этом в каждом разр де оказываетс  выбранным один ферритовый сердечник. Во врем  такта «записи индуктированные от адресно-разр дных полутонов э.д.с. в выходных обмотках 8 и И компенсируютс . В результате на входе усилител  считывани  помехи от этих токов отсутствуют, в режиме считывани  полезные сигналы «единицы и «нул  индуктируютс  в выходной обмотке 8 или 11 в зависимости от месторасположени  выбранного сердечника в шинах 2. Таким образом, в предложенном устройстве в выходных трансформаторах совмещаютс  две ФУНКЦИИ: передача адресно-разр дного тока и считывание информации. Предмет изобретени  Устройство пам ти системы 2,5Д, состо щее из накопител , сердечники которого прошиты адресно-разр дными шинами, разделенными на две секции и подключенными к формировател м адресно-разр дных полутоков «записи - «считывани  и усилител м считывани , отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  помех от адресно-разр дных полутоков записи, оно содержит два трехобмоточных импульсных трансформатора; причем перва  обмотка первого трансформатора включена последовательно с адресно-разр дной шиной первой секции; втора  обмотка первого трансформатора и треть  обмотка второго трансформатора соединены согласно и подключены к выходу адресно-разр дного формировател ; треть  обмотка первого трансформатора со второй обмоткой, второго трансформатора соединены встречно и подключены ко входам усилител  считывани ; перва  обмотка второго трансформатора соединена последовательно с адресно-разр дной шиной второй секции.
f
-
с
SU1638207A 1971-03-22 1971-03-22 SU410455A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1638207A SU410455A1 (ru) 1971-03-22 1971-03-22

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1638207A SU410455A1 (ru) 1971-03-22 1971-03-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU410455A1 true SU410455A1 (ru) 1974-01-05

Family

ID=20470031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1638207A SU410455A1 (ru) 1971-03-22 1971-03-22

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU410455A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU410455A1 (ru)
US3293626A (en) Coincident current readout digital storage matrix
GB783918A (en) Magnetic memory system
SU402063A1 (ru) Запоминающее устройство с двумя запоминающими элементами на разряд
SU622168A2 (ru) Устройство дл выборки информации из блоков пам ти на магнитных сердечников
SU481938A1 (ru) Запоминающее устройство
SU377874A1 (ru) Матрица запоминающего устройства
SU393771A1 (ru) Долговременное запоминающее устройство трансформаторного типа с записью чисел в системе счисления с основанием р, большим двух
US3740481A (en) Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device
SU382148A1 (ru) Блок для контроля выбора адреса в запоминающем
SU377877A1 (ru) Всесоюзная
SU469990A1 (ru) Накопитель
SU378946A1 (ru) ВО^^СОгГ^ЗИАЯMlL'iHRbh. ;;:;.:';i г>&,bt'ib'Jii'i'-,^' • ?.1лА
US3518640A (en) Magnetic memory with noisecancellation sense wiring
US3456246A (en) Plated wire memory
SU375677A1 (ru) Числовая линейка запоминающего устройства
SU445078A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
SU803008A1 (ru) Накопитель
SU126660A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
SU377876A1 (ru) Ферритовое запоминающее устройство с линейной
SU532124A1 (ru) Устройство дл магнитной записи цифровой информации
SU799001A1 (ru) Запоминающее устройство
SU498647A1 (ru) Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства
SU378952A1 (ru) Запоминающее устройство
GB1410608A (en) Matrix store