SU498647A1 - Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства - Google Patents

Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства

Info

Publication number
SU498647A1
SU498647A1 SU2034225A SU2034225A SU498647A1 SU 498647 A1 SU498647 A1 SU 498647A1 SU 2034225 A SU2034225 A SU 2034225A SU 2034225 A SU2034225 A SU 2034225A SU 498647 A1 SU498647 A1 SU 498647A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
matrices
bit
register
storage device
random access
Prior art date
Application number
SU2034225A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Павлович Балашов
Борис Петрович Орлов
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8662
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8662 filed Critical Предприятие П/Я В-8662
Priority to SU2034225A priority Critical patent/SU498647A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU498647A1 publication Critical patent/SU498647A1/ru

Links

Description

1
Изобретение относитс  к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранени  дискретной информации.
Известен накопитель МОЗУ, содержащий блок запоминающих матриц на ферритовых сердечниках, прошитых координатными шинами j; и г/ и разр дными шинами записи и считывани , и диодные переключающие матрицы.
Недостатком известного накопител   вл етс  большое количество электронного оборудовани  и, как следствие, больша  потребл ема  MOui,HOCTb и низка  надежность работы.
Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности и повышение надежности работы накопител .
Поставленна  цель достигаетс  путем того, что блок запоминающих матриц выполнен из m групп, состо щих из п запоминающих матриц . Координатные шины л; и i/ и одноименные разр дные шины записи всех групп запоминающих матриц соединены соответственно с выходами диодных переключающих матриц и У и выходами одноименных разр дных переключающих матриц, а одноименные разр дные шины считывани  всех групп запоминающих матриц соединено последовательно.
Па чертеже представлен один разр д МОЗУ с предложенным накопителем, где обозначены
регистр адреса 1; дещифраторы адреса по координатам X и у соответственно 2 и 3; формирователи координатных токов хну соответственно 4, 5; блок синхронизации 6; диодные переключающие матрицы X и Y соответственно 7 и 8; разр дные запоминающие матрицы 9- 12 накопител ; усилитель считывани  13; разр д регистра 14; разр дна  переключающа  матрица 15; формирователи разр дного тока
16 и разр дный дешифратор 17.
Выходы регистра адреса соединены с входами дешифраторов 2 и 3, выходы которых подключены к входам формирователей токов
4 и 5, выходами св занных с входами матриц 7 и 8. Выходы последних соединены с одноименными координатными шинамп матриц 9- 12. Разр дные шины считывани  матриц соединены последовательно и подключены к
входу усилител  считывани  13, выход которого св зан со входом разр да регистра 14. Разр дные шины записи матриц соединены с выходами матрицы 15, входы которой св заны с формировател ми разр дных токов. Выход
разр да регистра числа 14 подключен ко входам дешифратора 17. Блок синхронизации 6 выдает управл ющие сигналы в регистр адреса 1, дешифраторы 2, 3 и 17, а также на усилитель 13 и разр д регистра 14. В запоминающем устройстве на п разр дов должно быть в « раз большее число усилителей считывани , разр дных нереключающих матриц, разр дных дешифраторов, формирователей разр дных токов, и требуетс  гг-разр дный регистр числа. Наконитель работает следуюш,им образом. Режим считывани  информации В регистр адреса 1 вводитс  адрес, по которому необходимо считать информацию. Далее в блок синхронизации из устройства управлени , например ЦВМ, поступает сигнал, по которому блок вырабатывает импульсы считывани , строба и записи. При поступлении импульса считывани  на входы формирователей токов 4 и 5 срабатывают выбранные дешифраторами 2 и 3 формирователи, и на одном из выходов дешифраторов 2 и 3 формируютс  импульсы тока. При прохождении этих токов в координатных шинах х и г/ одной из матриц в выбранном адресе в результате сложени  этих токов сердечник может перемагнититьс  из состо ни  «1, если в выбранном адресе была записана «1, в состо ние «О. При этом в шине считывани  этой матрицы по вл етс  сигнал, который через шины считывани  других матриц поступает на вход усилител  считывани . Поскольку на вход управлени  усилител  из блока синхронизации поступает импульс строба, то сигнал усиливаетс  и с выхода усилител  поступает на вход разр да регистра числа 14, где запоминаетс  на необходимое врем . При поступлении импульса записи на входы формирователей 2 и 3 на тех же выходах матриц 7 и 8 формируютс  импульсы тока противоположной пол рности, которые при прохождении но координатным шинам л: и г/ возвращают сердечник в выбранном адресе в исходное состо ние, так как в разр дной шине записи ток запрета отсутствует. В случае когда в выбранном адресе записан «О, при прохождении токов в шинах к w. у в шине считывани  сигнал отсутствует и в разр де регистра числа 14 записываетс  «О. В результате при поступлении импульса записи на входы разр дного дешифратора срабатывают выбранные дешифратором формирователи разр дных токов, в разр дной шине записи выбранной матрицы формируетс  импульс тока запрета, который компенсирует половину адресного тока, и сердечник остаетс  в состо нии «О. Режим записи информации В регистр адреса 1 вводитс  код адреса, по которому нужно записать информацию, поступившую, например, из ЦВМ, а информаци  запоминаетс  в разр де регистра числа. Блок синхронизации вырабатывает только импульсы считывани  и записи. Поскольку импульс строба в этом случае не вырабатываетс , при считывании информаци , записанна  в выбранном адресе, тер етс , а записываетс  информаци , котора  поступила в разр д регистра числа. Запись информации осуществл етс  так же, как в режиме считывани  информации. Предложенный накопитель позвол ет обеспечить большое отношение сигнал/помеха при считывании информации, уменьшить нагрузку на формирователи координатных и разр дных токов; не требует применени  большого количества многоканальных коммутаторов импульсных сигналов низкого уровн , представл ющих собой достаточно сложные схемы. Кроме того, за счет уменьшени  нагрузки на формирователи координатных и разр дных токов позвол ет увеличить скорость работы устройства (т. е. более нолно использовать скоростные возможности сердечников), а также уменьшить мощность, необходимую дл  управлени  работой накопител  информации. Накопитель имеет меньшее количество электронного оборудовани  и большую надежность . Предмет изобретени  Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства, содержащий блок запоминающих матриц на ферритовых сердечниках , прошитых координатными шинами х и у и разр дными шинами записи и считывани , и диодные переключающие матрицы, отлиающийс  тем, что, с целью уменьшени  отребл емой мощности и повышени  надежости работы накопител , блок запоминаюих матриц выполнен из т групп, состо щих з п запоминающих матриц; координатные ины л; и i/ и одноименные разр дные шины аписи всех групп запоминающих матриц соединены соответственно с выходами диодых переключающих матриц X и У и выходаи одноименных разр дных переключающих атриц, а одноименные разр дные шины счиывани  всех групп запоминающих матриц оединены последовательно.
SU2034225A 1974-06-12 1974-06-12 Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства SU498647A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2034225A SU498647A1 (ru) 1974-06-12 1974-06-12 Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2034225A SU498647A1 (ru) 1974-06-12 1974-06-12 Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU498647A1 true SU498647A1 (ru) 1976-01-05

Family

ID=20587832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2034225A SU498647A1 (ru) 1974-06-12 1974-06-12 Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU498647A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU498647A1 (ru) Накопитель магнитного оперативного запоминающего устройства
US3191163A (en) Magnetic memory noise reduction system
SU809350A1 (ru) Запоминающее устройство
SU1022216A1 (ru) Устройство дл контрол доменной пам ти
SU507897A1 (ru) Запоминающее устройство
SU1129654A1 (ru) Магнитное оперативное запоминающее устройство
US3278912A (en) Sectorized memory with parallel sector operation
SU799001A1 (ru) Запоминающее устройство
SU151119A1 (ru) Устройство выборки команд из долговременного запоминающего устройства
SU497634A1 (ru) Буферное запоминающее устройство
SU841040A1 (ru) Запоминающее устройство на ферри-ТОВыХ СЕРдЕчНиКАХ C МОдул циЕй МАг-НиТНОгО СОпРОТиВлЕНи
SU377876A1 (ru) Ферритовое запоминающее устройство с линейной
SU427380A1 (ru) Запоминающее устройство типа зд
SU1010731A1 (ru) Счетное устройство,сохран ющее информацию при отключении питани
SU517935A1 (ru) Запоминающее устройство
SU487417A1 (ru) Запоминающее устройство
US3241128A (en) Magnetic systems
SU378948A1 (ru) Запоминающее устройство
SU733020A1 (ru) Запоминающее устройство
SU942140A1 (ru) Оперативное запоминающее устройство
US3462748A (en) Memory using sense amplifiers with gated feedback
SU446108A1 (ru) Запоминающее устройство
SU898503A1 (ru) Запоминающее устройство
SU980161A1 (ru) Магнитное оперативное запоминающее устройство
SU858094A1 (ru) Запоминающее устройство