SU403061A1 - COMMUNICATION DEVICE - Google Patents
COMMUNICATION DEVICEInfo
- Publication number
- SU403061A1 SU403061A1 SU1665179A SU1665179A SU403061A1 SU 403061 A1 SU403061 A1 SU 403061A1 SU 1665179 A SU1665179 A SU 1665179A SU 1665179 A SU1665179 A SU 1665179A SU 403061 A1 SU403061 A1 SU 403061A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistors
- bases
- transistor
- collectors
- key device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к области рад иоэлектроники , в частности к полупроводниковым ключам, предназначенным дл использовани в устройствах автоматики и вычислительной техники при построении коммутаторов аналоговых сигналов.The invention relates to the field of radion electronics, in particular, to semiconductor switches intended for use in automation devices and computer technology in the construction of analog signal switches.
Известно коммутирующее устройство, содержащее ключевое устройство, состо щее из пары транзисторов, коллекторы и базы которых объединены, изолироваппый источник питани , схему подключени изолированного источника иитаии к ключевому устройству и схему управлени , выполненные на транзисторах .A switching device is known, which contains a key device consisting of a pair of transistors, the collectors and bases of which are combined, an isolated power source, a circuit for connecting an isolated source of power to a key device, and a control circuit made on transistors.
Однако известное устройство имеет недостаточную разв зку цепей коммутации от цепей управлени , больщие токи утечки закрытого ключа, высокие потенциалы управл ющих напр жеиий и малое быстродействие.However, the known device has insufficient isolation of control circuits from control circuits, high leakage currents of a private key, high potentials of control voltages, and low speed.
С целью уменьшени искажени коммутируемого сигнала и уменьщени токов утечки в предлагаемом коммутирующем устройстве схема подключени выполиена на двух транзисторах , эмиттеры которых подсоединены к шинам изолированного источника питани , коллектор одиого из транзисторов схемы подключени соединен через резистор с коллекторами транзисторов ключевого устройства, а коллектор другого транзистора - с- базами транзисторов ключевого устройства, базыIn order to reduce the distortion of the switched signal and reduce leakage currents in the proposed switching device, the connection circuit is made of two transistors, the emitters of which are connected to the buses of the isolated power source, the collector of one of the transistors of the connection circuit is connected via a resistor to the collectors of the transistor key device, and the collector of the other transistor is with - bases of transistors of the key device, base
22
транзисторов схемы подключени , между которыми включен резистор, подсоединены к коллекторам транзисторов схемы управлени , эмиттеры которых подсоединены к шина-м питани , а базы через резисторы соединеиы с соответствующими шинами питани и коллекторами входных транзисторов с.хемы управлени , прнче.м эмиттеры входных транзисторов схемы управлени объединены между собой, а базы подключены к шинам управлени .The transistors of the connection circuit, between which the resistor is connected, are connected to the collectors of the transistors of the control circuit, the emitters of which are connected to the power buses, and the bases through the resistors connected to the corresponding power buses and collectors of the input transistors of the control circuit, the emitters of the input transistors of the circuit The controls are interconnected, and the bases are connected to the control buses.
Дл повышени быстродействи между коллекторами и базами транзисторов ключевого зстройства включен резистор. A resistor is included to increase the speed between the collectors and the transistor bases of the key device.
На чертеже представлена принципиальна электрическа схема предложенного устройства .The drawing shows a circuit diagram of the proposed device.
Устройство содержит ключевое устройство на двух транзисторах 1 и 2, коллекторы и базы которых объединены, изолированный источник 3 питани , схему подключени на транзисторах 4 и 5 изолированного источника 3 к ключевому устройству, схему уиравлени на транзисторах 6, 7 и входных транзисторах 8 и 9, а также резисторы 10-16 и шины 17 и 18 управлени .The device contains a key device on two transistors 1 and 2, the collectors and bases of which are combined, an isolated power supply source 3, a connection circuit on transistors 4 and 5 of an isolated source 3 to a key device, a correction circuit on transistors 6, 7 and input transistors 8 and 9, as well as resistors 10-16 and control buses 17 and 18.
Э.миттер транзистора 1 вл етс входом аналогового коммутирующего сигнала, а эмиттер транзистора 2 - выходом.The emitter of transistor 1 is the input of the analog switching signal and the emitter of transistor 2 is the output.
Схема управл етс напр жением, подаваемым па базы трапзиеторов 8 и 9. В случае, когда потепциал на базе транзистора 8 выше потенциала на базе транзистора 9, эти транзисторы открыты, и ток протекает от источника через резисторы 10 и 11, транзнсторы 8 и 9, резисторы 12 и 13 на источник -EI. При этом на резисторах 10 и 13 образуетс потенциал, способный ввести транзисторы 6 и 7 в режим насыщени , и напр жени источников и почти полностью передаютс па резистор 14. Этн напр жени запирают транзисторы 1 и 5, одновременно запираютс транзисторы 1 и 2 вследствие отсутстви тока, протекающего через управл ющие коллекторно-базовые переходы этих транзисторов .The circuit is controlled by the voltage supplied to the base of the base-paths 8 and 9. In the case when the thermal on the base of transistor 8 is higher than the potential on the base of transistor 9, these transistors are open and the current flows from the source through resistors 10 and 11, transistors 8 and 9, resistors 12 and 13 to source -EI. At the same time, a potential is formed on resistors 10 and 13, capable of introducing transistors 6 and 7 into saturation mode, and the source voltages are almost completely transmitted to resistor 14. Etn voltage locks transistors 1 and 5, and transistors 1 and 2 are simultaneously locked due to the absence of current flowing through the control collector-base transitions of these transistors.
Если потенциал базы транзистора 8 ниже, чем потенциал базы транзистора 9, то эти транзисторы запираютс . Базы транзисторов 7 и 6 оказываютс св занными через резисторы 10 и 13с источниками питани -t-fi и -EI соответственно, и эти транзисторы также запираютс . В этом режиме базы транзисторовIf the base potential of the transistor 8 is lower than the base potential of the transistor 9, then these transistors are locked. The bases of the transistors 7 and 6 are connected through the resistors 10 and 13 with the power sources t-fi and -EI, respectively, and these transistors are also locked. In this mode, the base transistors
4и 5 оказываютс под нулевым потенциалом, соединенные резистором 14. Эмиттерно-базовые переходы транзисторов 4 и 5 начинают работать как диоды, смещенные в пр мом направлении по цепи: источник 3 () -эмнттер-база транзистора 4 - резистор 14, базаэмиттер транзистора 5 - -EI протекает ток, который открывает транзисторы 4 и 5. Ток от источника 3 протекает так же по цепи: - трапзистор 4 - резистор 16 - коллектор-база транзисторов 1 и 2, транзистор4 and 5 are at a zero potential, connected by a resistor 14. The emitter-base transitions of transistors 4 and 5 begin to operate as diodes shifted in the forward direction along the circuit: source 3 () -interter-base of transistor 4 - resistor 14, base of transistor 5 - -EI current flows, which opens the transistors 4 and 5. The current from the source 3 flows the same way along the circuit: - trapsistor 4 - resistor 16 - collector-base of transistors 1 and 2, transistor
5- -EZ, и транзисторы 1 и 2 открываютс . Источник 3 остаетс все вре.м изолированным от земли. В открытом состо нии ключа источник 3 изолирован от земли большим сопротивлением закрытых транзисторов 7 и б, а в открытом - сопротивлением запертых переходов база-эмиттер транзисторов 4 и 5.5- -EZ, and transistors 1 and 2 open. Source 3 remains all times isolated from earth. In the open state of the key, the source 3 is isolated from the ground by a large resistance of the closed transistors 7 and b, and in the open state - by the resistance of the locked transitions of the base-emitter of transistors 4 and 5.
Такое включение транзисторов 8 н 9 нозвол ет управл ть схемой перепадами напр жений вне зависимости от пол рности напр жений источников питани предыдущих схем, а также делает ее не критичной к амплитудам управл ющих импульсов.Such switching-on of transistors 8 and 9 allows to control the voltage drop across the circuit, regardless of the polarity of the voltage of the power supply sources of the previous circuits, and also makes it not critical to the amplitudes of the control pulses.
Предмет изобретени Subject invention
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1665179A SU403061A1 (en) | 1971-06-07 | 1971-06-07 | COMMUNICATION DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1665179A SU403061A1 (en) | 1971-06-07 | 1971-06-07 | COMMUNICATION DEVICE |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU403061A1 true SU403061A1 (en) | 1973-10-19 |
Family
ID=20477792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1665179A SU403061A1 (en) | 1971-06-07 | 1971-06-07 | COMMUNICATION DEVICE |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU403061A1 (en) |
-
1971
- 1971-06-07 SU SU1665179A patent/SU403061A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3394268A (en) | Logic switching circuit | |
US2850647A (en) | "exclusive or" logical circuits | |
US3872323A (en) | Differential to single ended converter circuit | |
US3639787A (en) | Integrated buffer circuits for coupling low-output impedance driver to high-input impedance load | |
US3825774A (en) | Device for converting an input voltage into an output current or vice versa | |
US3912950A (en) | Bistable multivibrator circuit | |
JPH0473806B2 (en) | ||
IE33068B1 (en) | Monolithic integrated circuit | |
US3253161A (en) | Electronic switch control circuit | |
US4256984A (en) | Interlevel interface for series powered IIL or SITL | |
SU403061A1 (en) | COMMUNICATION DEVICE | |
KR970028930A (en) | Bi-Mouse Constant Voltage Generation Circuit | |
US3526786A (en) | Control apparatus | |
WO1985001164A1 (en) | Ttl flip-flop | |
US3175100A (en) | Transistorized high-speed reversing double-pole-double-throw switching circuit | |
US3184609A (en) | Transistor gated switching circuit having high input impedance and low attenuation | |
US3609398A (en) | High-speed integrated logic circuit | |
US3325653A (en) | Current mode logic circuit | |
GB845371A (en) | Improved semi-conductor logic units and networks composed thereof | |
US2979625A (en) | Semi-conductor gating circuit | |
US3446987A (en) | Variable resistance circuit | |
US3619643A (en) | Low-power high-frequency divider | |
SU428554A1 (en) | DIODE-TRANSISTOR KEY | |
SU403060A1 (en) | TRANSISTOR SWITCHING DEVICE | |
SU1732460A1 (en) | Logic gate |