SU401267A1 - Surface-barrier semiconductor device - Google Patents
Surface-barrier semiconductor deviceInfo
- Publication number
- SU401267A1 SU401267A1 SU7001497260A SU1497260A SU401267A1 SU 401267 A1 SU401267 A1 SU 401267A1 SU 7001497260 A SU7001497260 A SU 7001497260A SU 1497260 A SU1497260 A SU 1497260A SU 401267 A1 SU401267 A1 SU 401267A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- semiconductor device
- contact
- semiconductor
- barrier semiconductor
- barrier
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
1one
, ./ ../.
изобретение относитс к полупроводниковым приборам, а именно к приборам с поверхностным барьером.The invention relates to semiconductor devices, namely devices with a surface barrier.
В насто щее врем начинают широко примен тьс поверхностно-барьерные диоды бла годар И.Х высокому быстродействию по сравнению с известными полупроводниковыми приборами с р - и переходами.Nowadays surface-barrier diodes are widely used for high-performance I.C. compared to the known p-and-junction semiconductor devices.
Известны поверхностно-барьерные приборы , выполненные на осноре полупроводнико- вой пластины, расположенной между вьшр мл ющим и омическим контактами.Surface-barrier devices made on the base of a semiconductor plate located between the expander and ohmic contacts are known.
Однако известные конструкции не позвол ют получить. одновременно высокое напр жение пробо выпр мл ющего -контакта и низкое сопротивление омического контакта, так как оба контакта изготовлены на одном и том же однородно легированном полупроводниковом материале. Если полупроводник слабо легирован, прибор имеет высокое сопротивление омического Контакта, если сильно легирован, то у прибора очень низкое напр жение пробо .However, the known constructions do not allow to obtain. at the same time, the high voltage of the rectifying contact and the low resistance of the ohmic contact, since both contacts are made on the same uniformly doped semiconductor material. If the semiconductor is lightly doped, the device has a high ohmic-contact resistance; if it is heavily doped, then the device has a very low breakdown voltage.
С целью повышени быстродействи прибора и его фоточувствительности предложено изготавливать пржбор на основе полупроводниковой пластины с плавно измен ющейс , шириной запрещенной зоны и/или концентрацией носител тока в направлении, перпендикул рном плоскост м контактов. Выпр мл ющий контакт в такой :конструкции расположен на стороне сло с большей шириной запрещенной зоны и с меньшей концентрацией носителей тока, а омический на противоположной стороне. Так как напр жение пробо выпр мл ющего контакта повышаетс с увеличением ширины запрещенной зоны и уменьшением концентрации носителей ,тока в полупроводнике, то такой прибор обладает высоким напр жением пробо . В св зи с тем, что сопротивление омического контакта понижаетс с уменьшением ширины .запрещенной зоны полупроводникового материала и увеличением концентрации носителей тока, прибор имеет малое сопротивление омического контакта.In order to increase the speed of the device and its photosensitivity, it has been proposed to make a device based on a semiconductor wafer with a smoothly varying band gap and / or current carrier concentration in the direction perpendicular to the contact planes. The rectifying contact in such a structure is located on the side of the layer with a larger width of the forbidden zone and with a lower concentration of current carriers, and the ohmic one on the opposite side. Since the voltage of the breakdown contact increases with increasing band gap and decreasing carrier concentration, the current in the semiconductor, such an instrument has a high breakdown voltage. Due to the fact that the resistance of the ohmic contact decreases with decreasing width of the forbidden zone of the semiconductor material and an increase in the concentration of current carriers, the device has a low resistance of the ohmic contact.
На фиг. 1 схематически изображен поверхностно-барьерный прибор; на фиг. 2 показана зависимость ширины запрещенной зоны (Е-, ) и концентрации ..носителей тока в покFIG. 1 schematically shows a surface barrier device; in fig. 2 shows the dependence of the band gap (E-,) and the concentration of current carriers in
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7001497260A SU401267A1 (en) | 1970-11-20 | 1970-11-20 | Surface-barrier semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7001497260A SU401267A1 (en) | 1970-11-20 | 1970-11-20 | Surface-barrier semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU401267A1 true SU401267A1 (en) | 1977-10-25 |
Family
ID=20460690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU7001497260A SU401267A1 (en) | 1970-11-20 | 1970-11-20 | Surface-barrier semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU401267A1 (en) |
-
1970
- 1970-11-20 SU SU7001497260A patent/SU401267A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SE7900337L (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| GB1396896A (en) | Semiconductor devices including field effect and bipolar transistors | |
| DE3786076D1 (en) | SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH AN ANODE-SIDED P-ZONE AND A LOW-DOPED N-BASE ZONE. | |
| SE8403852D0 (en) | Semiconductor overvoltage attenuators with a power output voltage that can be accurately predetermined | |
| IT7922902A0 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICES WITH AN OHMIC CONTACT WITH N-TYPE SEMICONDUCTORS OF GROUPS III-V. | |
| US2993155A (en) | Semiconductor device having a voltage dependent capacitance | |
| GB1060208A (en) | Avalanche transistor | |
| GB1000058A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| GB1078798A (en) | Improvements in or relating to field effect transistor devices | |
| SE8007199L (en) | Zener diode | |
| GB1320778A (en) | Semiconductor devices | |
| GB1152708A (en) | Improvements in or relating to Semiconductor Devices. | |
| US3201664A (en) | Semiconductor diode having multiple regions of different conductivities | |
| SU401267A1 (en) | Surface-barrier semiconductor device | |
| US3483443A (en) | Diode having large capacitance change related to minimal applied voltage | |
| FR2434487A1 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FLAT SURFACE COMPRISING A FIELD EFFECT TRANSISTOR OF A NEW STRUCTURE | |
| GB1503300A (en) | Schottky barrier diode memory devices | |
| US3693055A (en) | Field effect transistor | |
| KR860008625A (en) | Insulated Gate Semiconductor Device | |
| FR2356276A1 (en) | Semiconductor device with two layers of opposite conductivity - has one layer with zone of reduced thickness peripherally surrounding semiconductor device (NL 23.12.77) | |
| KR860002878A (en) | Semiconductor devices | |
| FR2363897A1 (en) | Darlington amplifier with heavily doped buried regions - forming a diode with high breakdown voltage | |
| GB1232837A (en) | ||
| JPS56150862A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5591874A (en) | V-groove structure mosfet |