SU396726A1

SU396726A1 - RC STRUCTURE WITH DISTRIBUTED PARAMETERS

Info

Publication number: SU396726A1
Application number: SU1739885A
Authority: SU
Inventors: И. И. Гришанов витель Ю. И. Аввакумов
Original assignee: Кишиневский научно исследовательский институт электроприборостроени
Priority date: 1972-01-19
Filing date: 1972-01-19
Publication date: 1973-08-29

Description

1one

Изобретение относитс к области микроэлектроники .This invention relates to the field of microelectronics.

Известны НС-структуры с распределенными параметрами, выполневные в виде конденсатора , обкладками которого служат резистивные элементы, выполненные в виде двух параллельных 1ПОЛОС, напыленных в .плоскости подложки. Недостатками таких структур вл ютс недостаточные про;чно€ть и точность резистигВНых пленок, сложность изготовлени .Known NS-structures with distributed parameters, made in the form of a capacitor, the plates of which are resistive elements made in the form of two parallel 1-STRIP sputtered in the substrate plane. The disadvantages of such structures are the insufficient readability and accuracy of resistive films, the complexity of manufacturing.

Цель изобретени - упрощение технологии изготовлени и повышение электрической и механической прочности издели , что повысит стабильность и точность параметров КС-структуры .The purpose of the invention is to simplify the manufacturing technology and increase the electrical and mechanical strength of the product, which will increase the stability and accuracy of the parameters of the KS structure.

Это достигаетс в результате выполнени резистивных элементов в |форме двух параллельных множеств .ми1кр0проводов в стекл нной изол ции, образованных, например, намоткой на подложку и разделенных так, что возможно подсоединение каждого множества к своим электрическим выводам.This is achieved by making resistive elements in the form of two parallel sets of 1cr wires in glass insulation, formed, for example, by winding onto a substrate and separated so that each set can be connected to its own electrical leads.

На чертеже показана RC-структура с распределенными параметрами, где / - одно из параллельных множеств микропровода в стекл нной изол ции; 2 - подложка; 3 - контактные зоны площадки; 4 - лаковое покрытие .The drawing shows an RC structure with distributed parameters, where / is one of the parallel sets of microwires in glass insulation; 2 - substrate; 3 - pad contact areas; 4 - lacquer coating.

Элементами -емкости RC-структуры вл ютс параллельные множества /, расположенные по обе плоские стороны подложки 2.The elements of the -capacity RC structures are parallel sets of I located on both flat sides of the substrate 2.

Элементами сопротивлени RC-структуры вл ютс участки тех же , расположенные между контактными зонами 3. Край множества без контактной зоны закреплен лаком . Предлагаема RC-структура изготавливаетс по следующей технологии:The resistance elements of the RC structure are the same areas located between the contact zones 3. The edge of the set without the contact zone is fixed with varnish. The proposed RC structure is manufactured using the following technology:

1)намотка микропровода в стекл нной изол ции на подложку;1) winding the microwire in glass insulation onto a substrate;

2)закрепление микропровода по торцам подложки, например лаком;2) fixing the microwire along the ends of the substrate, for example with varnish;

3)сн тие стекл нной изол ции, например плавиковой кислотой, по контактным зонам;3) removing glass insulation, such as hydrofluoric acid, from the contact zones;

4) заполнение контактных зон провод щим веществом, например припоем;4) filling the contact zones with a conductive substance, such as solder;

5)закрепление участков множеств по краю подложки без контактной зоны лаком;5) securing the plots of the sets along the edge of the substrate without the contact zone with varnish;

6)сн тие микропровода и закрепл ющего вещества по торцам подложки.6) removal of the microwire and fixing substance along the ends of the substrate.

Предмет изобретени Subject invention

RC-структура с распределенными параметрами , выполненна в виде конденсатора, обкладками которого резистивные элементы , расположенные в плоскости подложки параллельно один другому, отличающа с тем, что, с целью упрощени технологии изготовлени и повышени электрической и механической прочности структуры, резистивные элементы размещены по обе стороны подложки и образованы р дами отрезков микропроводов в стекл нной изол ции, параллельных одной из сторои подложки и соединенных с контактными площадками, расположенными в той же плоскости.RC structure with distributed parameters, made in the form of a capacitor, the plates of which are resistive elements located in the substrate plane parallel to each other, characterized in that, in order to simplify the manufacturing technology and increase the electrical and mechanical strength of the structure, resistive elements are placed on both sides substrates and are formed by rows of microwire segments in glass insulation parallel to one of the substrate sides and connected to contact pads located in the same area skosti.

--J--J