SU389565A1 - Зоесоюз!-^дя - Google Patents
Зоесоюз!-^дяInfo
- Publication number
- SU389565A1 SU389565A1 SU1680589A SU1680589A SU389565A1 SU 389565 A1 SU389565 A1 SU 389565A1 SU 1680589 A SU1680589 A SU 1680589A SU 1680589 A SU1680589 A SU 1680589A SU 389565 A1 SU389565 A1 SU 389565A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- metal
- active
- zoesoyuz
- dya
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к электровакуумному приборостроению и может найти применение при изготовлении кернов катодов.
Известны многослойные керны дл оксидных катодов, содержащие слой активного сплава, плакированный с одной или двух сторон нвкелем или тугоплагжлм металлом, имеющим поликристаллическую структуру.
Плакирование активного сплава слоем чистого никел или другого тугоплавкого металла осуществл етс с целью задержки миграции восстанавливающих примесей при термообработке и дл предотвращени сублимации примесей активного металла. Недостатком многослойных кернов с поликристаллической структурой плакирующего сло вл етс то, что поступление активатора осуществл етс преимущественно по границам зерен, поэтому скорость и равномерность активировани катодов на этих кернах в значительной мере определ ютс размерами зерен и состо нием их границ. Р1звестно, что наименьщий коэффициент диффузии, стабильный по величине, наблюдаетс в монокристаллах.
Целью изобретени вл етс стабилизаци скорости поступлени активных присадок в оксидный слой и устранение неравномерности его активировани .
Предлагаетс многослойный керн, содержащий активный сплав (например, сплав пикел с 0,1-0,3% кальци , стронци или бари ), плакированный с одной или двух сторон монокристаллом чистого металла (например, никелем или каким-либо другим тугоплавким металлом). Толщина плакирующего сло определ етс в зависимости от состава сплава и, например, дл сплавов никел с 0,1 -
0,3% кальци не превып ает 50-100 мкм.
Осуществл етс плакирование активного сло керна монокристаллом с выводом на поверхность керна той или иной кристаллографической плоскости (грани) монокристалла , можно добитьс изменени тока эмиссии в широком диапазоне.
Предмет изобретен1и
20
Оксидный катод, содержащий керн из активного снлава, плакированного Л1еталлом, отличающийс тем, что, с целью стабилизации скорости и повыщени равномерности поступлени активатора в оксидный слой, плакирующий металл имеет монокристаллическую структуру, причем на новерхности керна расположена плоскость, соответствующа
оптимальному току эмиссии.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1680589A SU389565A1 (ru) | 1971-07-09 | 1971-07-09 | Зоесоюз!-^дя |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1680589A SU389565A1 (ru) | 1971-07-09 | 1971-07-09 | Зоесоюз!-^дя |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU389565A1 true SU389565A1 (ru) | 1973-07-05 |
Family
ID=20482685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1680589A SU389565A1 (ru) | 1971-07-09 | 1971-07-09 | Зоесоюз!-^дя |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU389565A1 (ru) |
-
1971
- 1971-07-09 SU SU1680589A patent/SU389565A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3766041A (en) | Method of producing piezoelectric thin films by cathodic sputtering | |
| US3857705A (en) | Small grain promoting aluminum-titanium-boron mother alloy | |
| SU389565A1 (ru) | Зоесоюз!-^дя | |
| JPS6023454B2 (ja) | 電子管陰極 | |
| US20070104639A1 (en) | Method for manufacturing garnet single crystal and garnet single crystal manufactured thereby | |
| US2586768A (en) | Vacuum tube electrode element | |
| DE69223338T2 (de) | Verfahren zur Diffundierung von Bor in Halbleiterplättchen | |
| US3785891A (en) | Method of manufacturing wires consisting at least superficially of boron and wires obtained by said method | |
| US3075831A (en) | Growth of single crystals of corundum and gallium oxide | |
| Dunn et al. | On the thermal etching of silicon iron | |
| US2997410A (en) | Single crystalline alloys | |
| GB1515543A (en) | Method for producing r-plane single crystal alpha alumina | |
| US2802761A (en) | Method of making rolled ferrosilicon alloys | |
| Peev | Liquid phase epitaxy of GaAs and AlGaAs | |
| JPS6144139B2 (ru) | ||
| US3239393A (en) | Method for producing semiconductor articles | |
| JPS6417314A (en) | Thin film superconductor | |
| JPH01119595A (ja) | 単結晶育成るつぼ用材料 | |
| JP2507997B2 (ja) | 単結晶育成方法 | |
| SU413556A1 (ru) | ||
| Hida et al. | Influences of Environment in Heat Treatment and Pre-aging at Room Temperature on Age-Hardening of Ti–Mo Alloys | |
| Fujiki | Influence of B2O3 component on flux growth of baddeleyit (ZrO2) | |
| Lozovskii et al. | Isothermal liquid phase epitaxy | |
| JPS6241799A (ja) | 液相エピタキシヤルガ−ネツト膜の製造方法 | |
| SHIELDS | Mechanical properties and dislocation substructure in tantalum-rhenium-nitrogen alloys[Ph. D. Thesis] |