SU384156A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU384156A1
SU384156A1 SU1411536A SU1411536A SU384156A1 SU 384156 A1 SU384156 A1 SU 384156A1 SU 1411536 A SU1411536 A SU 1411536A SU 1411536 A SU1411536 A SU 1411536A SU 384156 A1 SU384156 A1 SU 384156A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
target
type
layers
heterojunctions
target according
Prior art date
Application number
SU1411536A
Other languages
English (en)
Inventor
изобретени Авторы
Original Assignee
Г. Г. Демирчогл , В. М. Любин Лаборатори зрительной рецепции Арм нской ССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Г. Г. Демирчогл , В. М. Любин Лаборатори зрительной рецепции Арм нской ССР filed Critical Г. Г. Демирчогл , В. М. Любин Лаборатори зрительной рецепции Арм нской ССР
Priority to SU1411536A priority Critical patent/SU384156A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU384156A1 publication Critical patent/SU384156A1/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

МИШЕНЬ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮЩЕЙ ТРУВКИ
Изобретение отнюситс  к области телевизионных передающих трубок.
Известные телевизионные передающие трубки с мишен ми, содержащими полупроводниковые гетеропереходы (аморфный селен - трехсерниста  сурьма) при смещении мишени в запорном еаправлении обладают низким темБовым током, малой инерционностью фотоответа, достаточно высокой чувствительностью , значительной пам тью.
Однако известные видиконы имеют низкую термостабильность, что св зано с кристаллизацией аморфного селена при повыщении температуры. Спектральна  характеристика таких видиконов определ етс  аморфнъгм селенюм и не может сколько-нибудь существенно быть изменена, например, не может быть сдвинута в красную область спектра.
Предлагаема  мищень отличаетс  от известных тем, что она содержит органические полупроводники, обладающие высокой фоточувствительностью , в частности зрительные
пигменты родопсин (Ямакс 500 НМ) и ИОДОЛСИН1 (Ямакс 560 нм), которые  вл ютс  основой фоторецепторного сло  сетчатки животпну , птиц и человека. Это позвол ет расширить область спектральной чувствительности мишени.
Мишени видиконюв с гетеропереходами работают эффективно лишь в том случае, когда
толщина фотопровод щих прослоек, образующих гетеропереход, приблизительно равна длине дрейфа носителей зар да ,т, где ц - подвижность носителей зар да, т - врем  их ЖИЗН1И, Е - напр женность электрического пол . Учитыва  крайне низкие значени  |л (10- -10-5 слг2в- сек-1) и т ( -10- сек} в органических полупроводниках, толщину фотопровод щих прослоек делают очень малой ( см) и дл  обеспечени  эффективной работы (больщое поглощение падающего света, возможность поддерживать большие потенциалы при работе) используют в мишени последовательное соединение большого количества тонких гетеропереходов .
Мишевь представл ет собой нанесенные ва диэлектрическую подложку с полупрозрачной провод щей пленкой чередующиес  прослойки двух органических полупроводников р и п-типов.
Толщину каждой прослойки выбирают достаточно малой, чтобы удовлетворить условию оптимальной работы гетероперехода, а
общую толщину фоточувствительного сло  мищени (т. е. число гетеропереходов) выбирают достаточно больщой дл  обеспечени  эффективного поглощени  света и удовлетворительной работы при коммутации электронным пучком.
В р де случаев весьма целесообразно использовать мишеви видиконов, в которых прослойки п-типа выполнены из высокочувствительных органических фотопроводников, например из родолсина или иодопсива, а .прослойки р-типа выполнены из неорганических стеклообразных фотонроводников, обладающих значительной фоточувствительностыо, например из материалов систем Sb-S, As-Se, As-Se-Tl, As-Sb-S и др.
В .некоторых .случа х, с целью дальнейшего уменьшени  темн.ового тока, целесообразно создавать биоподобные мишени, в которых между отдельными фотопровод ш,ими прослойками расположены столь же тонкие изолирующие слои.
Все предложенные варианты многослойных мищеней .могут быть легко реализованы, например , путем последовательного испарени 
соответствующих материалов в вакууме или другими способами (осаждение, выпаривание из раствора к т. д.).
Предмет изобретени 

Claims (3)

1.Мишень телевизионной передающей трубки типа видиков, содержаща  полупроводниковые гетеропереходы, отличающа с  тем, что, с целью расширени  области спектральвой чувствительности, она состоит из чередующихс  тонких прослоек органических полупроводников р- и л-типов.
2.Мишень по п. 1, отличающа с  тем, что в качестве материала .прослоек п-типа использован , например, родопсин.
3.Мишень по п. 1, отличающа с  тем, что прослойки р-типа выполнены из неорганических стеклообразных полупроводников, вапример , системы Sb-S.
SU1411536A 1970-03-09 1970-03-09 SU384156A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1411536A SU384156A1 (ru) 1970-03-09 1970-03-09

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1411536A SU384156A1 (ru) 1970-03-09 1970-03-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU384156A1 true SU384156A1 (ru) 1973-05-23

Family

ID=20450581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1411536A SU384156A1 (ru) 1970-03-09 1970-03-09

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU384156A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2687484A (en) Photoconductive target
Kolomiets et al. Photoelectric phenomena in amorphous chalcogenide semiconductors
US3800194A (en) Photoconductive target of an image tube
US7554092B2 (en) X-ray detector
US3984722A (en) Photoconductive target of an image pickup tube and method for manufacturing the same
SU384156A1 (ru)
US3755002A (en) Method of making photoconductive film
US3922579A (en) Photoconductive target
KR880001026A (ko) 촬상관의 타기트
US3423623A (en) Image transducing system employing reverse biased junction diodes
US3773567A (en) Diffused heterojunction multilayer coatings for electrostatic photography
US3571646A (en) Photoconductive target with n-type layer of cadmium selenide including cadmium chloride and cuprous chloride
WO1985002691A1 (en) Photosensitive member for electrophotography
US4307319A (en) Semiconductor layer of oxygen depletion type cerium oxide or lead oxide
Kasap Photoreceptors: the chalcogenides
JPH0554211B2 (ru)
Shimizu et al. Characteristics of the new vidicon-type camera tube using CdSe as a target material
US3252029A (en) Pickup tube having a photoconductive target of enlarged crystal structure
Shidara et al. The advanced composition of SATICON photoconductive target
US3182198A (en) Semi-conductor infrared radiation detecting and converting apparatus
GB1043430A (en) Radiation sensitive device
USH95H (en) Heterojunction D- (or A+) millimeter and submillimeter wave detector
US3252030A (en) Photoelectric camera tube with transistor-type photoanode
Shimizu et al. Vidicon target of ap‐i‐n structure using a‐Si: H
SU364980A1 (ru) Мишень телевизионной передающей трубки типа бидикона