SU384156A1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- SU384156A1 SU384156A1 SU1411536A SU1411536A SU384156A1 SU 384156 A1 SU384156 A1 SU 384156A1 SU 1411536 A SU1411536 A SU 1411536A SU 1411536 A SU1411536 A SU 1411536A SU 384156 A1 SU384156 A1 SU 384156A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- target
- type
- layers
- heterojunctions
- target according
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
МИШЕНЬ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ ПЕРЕДАЮЩЕЙ ТРУВКИ
Изобретение отнюситс к области телевизионных передающих трубок.
Известные телевизионные передающие трубки с мишен ми, содержащими полупроводниковые гетеропереходы (аморфный селен - трехсерниста сурьма) при смещении мишени в запорном еаправлении обладают низким темБовым током, малой инерционностью фотоответа, достаточно высокой чувствительностью , значительной пам тью.
Однако известные видиконы имеют низкую термостабильность, что св зано с кристаллизацией аморфного селена при повыщении температуры. Спектральна характеристика таких видиконов определ етс аморфнъгм селенюм и не может сколько-нибудь существенно быть изменена, например, не может быть сдвинута в красную область спектра.
Предлагаема мищень отличаетс от известных тем, что она содержит органические полупроводники, обладающие высокой фоточувствительностью , в частности зрительные
пигменты родопсин (Ямакс 500 НМ) и ИОДОЛСИН1 (Ямакс 560 нм), которые вл ютс основой фоторецепторного сло сетчатки животпну , птиц и человека. Это позвол ет расширить область спектральной чувствительности мишени.
Мишени видиконюв с гетеропереходами работают эффективно лишь в том случае, когда
толщина фотопровод щих прослоек, образующих гетеропереход, приблизительно равна длине дрейфа носителей зар да ,т, где ц - подвижность носителей зар да, т - врем их ЖИЗН1И, Е - напр женность электрического пол . Учитыва крайне низкие значени |л (10- -10-5 слг2в- сек-1) и т ( -10- сек} в органических полупроводниках, толщину фотопровод щих прослоек делают очень малой ( см) и дл обеспечени эффективной работы (больщое поглощение падающего света, возможность поддерживать большие потенциалы при работе) используют в мишени последовательное соединение большого количества тонких гетеропереходов .
Мишевь представл ет собой нанесенные ва диэлектрическую подложку с полупрозрачной провод щей пленкой чередующиес прослойки двух органических полупроводников р и п-типов.
Толщину каждой прослойки выбирают достаточно малой, чтобы удовлетворить условию оптимальной работы гетероперехода, а
общую толщину фоточувствительного сло мищени (т. е. число гетеропереходов) выбирают достаточно больщой дл обеспечени эффективного поглощени света и удовлетворительной работы при коммутации электронным пучком.
В р де случаев весьма целесообразно использовать мишеви видиконов, в которых прослойки п-типа выполнены из высокочувствительных органических фотопроводников, например из родолсина или иодопсива, а .прослойки р-типа выполнены из неорганических стеклообразных фотонроводников, обладающих значительной фоточувствительностыо, например из материалов систем Sb-S, As-Se, As-Se-Tl, As-Sb-S и др.
В .некоторых .случа х, с целью дальнейшего уменьшени темн.ового тока, целесообразно создавать биоподобные мишени, в которых между отдельными фотопровод ш,ими прослойками расположены столь же тонкие изолирующие слои.
Все предложенные варианты многослойных мищеней .могут быть легко реализованы, например , путем последовательного испарени
соответствующих материалов в вакууме или другими способами (осаждение, выпаривание из раствора к т. д.).
Предмет изобретени
Claims (3)
1.Мишень телевизионной передающей трубки типа видиков, содержаща полупроводниковые гетеропереходы, отличающа с тем, что, с целью расширени области спектральвой чувствительности, она состоит из чередующихс тонких прослоек органических полупроводников р- и л-типов.
2.Мишень по п. 1, отличающа с тем, что в качестве материала .прослоек п-типа использован , например, родопсин.
3.Мишень по п. 1, отличающа с тем, что прослойки р-типа выполнены из неорганических стеклообразных полупроводников, вапример , системы Sb-S.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1411536A SU384156A1 (ru) | 1970-03-09 | 1970-03-09 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1411536A SU384156A1 (ru) | 1970-03-09 | 1970-03-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU384156A1 true SU384156A1 (ru) | 1973-05-23 |
Family
ID=20450581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1411536A SU384156A1 (ru) | 1970-03-09 | 1970-03-09 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU384156A1 (ru) |
-
1970
- 1970-03-09 SU SU1411536A patent/SU384156A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2687484A (en) | Photoconductive target | |
Kolomiets et al. | Photoelectric phenomena in amorphous chalcogenide semiconductors | |
US3800194A (en) | Photoconductive target of an image tube | |
US7554092B2 (en) | X-ray detector | |
US3984722A (en) | Photoconductive target of an image pickup tube and method for manufacturing the same | |
SU384156A1 (ru) | ||
US3755002A (en) | Method of making photoconductive film | |
US3922579A (en) | Photoconductive target | |
KR880001026A (ko) | 촬상관의 타기트 | |
US3423623A (en) | Image transducing system employing reverse biased junction diodes | |
US3773567A (en) | Diffused heterojunction multilayer coatings for electrostatic photography | |
US3571646A (en) | Photoconductive target with n-type layer of cadmium selenide including cadmium chloride and cuprous chloride | |
WO1985002691A1 (en) | Photosensitive member for electrophotography | |
US4307319A (en) | Semiconductor layer of oxygen depletion type cerium oxide or lead oxide | |
Kasap | Photoreceptors: the chalcogenides | |
JPH0554211B2 (ru) | ||
Shimizu et al. | Characteristics of the new vidicon-type camera tube using CdSe as a target material | |
US3252029A (en) | Pickup tube having a photoconductive target of enlarged crystal structure | |
Shidara et al. | The advanced composition of SATICON photoconductive target | |
US3182198A (en) | Semi-conductor infrared radiation detecting and converting apparatus | |
GB1043430A (en) | Radiation sensitive device | |
USH95H (en) | Heterojunction D- (or A+) millimeter and submillimeter wave detector | |
US3252030A (en) | Photoelectric camera tube with transistor-type photoanode | |
Shimizu et al. | Vidicon target of ap‐i‐n structure using a‐Si: H | |
SU364980A1 (ru) | Мишень телевизионной передающей трубки типа бидикона |