SU376787A1 - Бив л - Google Patents
Бив лInfo
- Publication number
- SU376787A1 SU376787A1 SU1661157A SU1661157A SU376787A1 SU 376787 A1 SU376787 A1 SU 376787A1 SU 1661157 A SU1661157 A SU 1661157A SU 1661157 A SU1661157 A SU 1661157A SU 376787 A1 SU376787 A1 SU 376787A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- resistor
- model
- thyristor
- capacitor
- voltage
- Prior art date
Links
Landscapes
- Image Analysis (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к устройствам, моделирующдам нейроны и может быть использовано в модел х нейронных сетей, служащих дл обработки иЕформац-ии, распознавани образов и автоматического управлени , а также дл изучени нейр0(физиолорических влений.
-Известны устройства дл моделиро1вани нейрона, содержащие пространственно-временной сум.матор и генератор импульсов на электронных ламлах, газоразр дных, полупроводниковых или |ферритовых пр«бор-ах. Однако такие устройства требуют наличи нескольких источников напр жени , большого числа эл-ектронных ламп, ферритовых или полупроводниковых приборов и других элементов схем.
Модели нейронов на газоразр дных приборах (более экономичные по числу элементов, требуют высокого напр жени источника пйтан .и . Кроме того, они неиостаточно надежны и быстродейственны.
;Генератор импульсов может быть выполнен на Чбтырехслойном управл емом полупроводниковом диоде с резисторно-емкостными звень ми в катодной и анодной цеп х. Это повысит экономичность и быстродействие модели . Однако такал модель не абеопечит моделирование влени торможени е аксоаксанных синапсах.
Цель изобретени заключаетс в повышении соответстви модели нейрона биологическому аналогу.
Эта цель достигаетс тем, что предложенное устройст1во содержит узел дл моделировани аксо-аксонно1го синапса, состо щий из последовательно соединенных |формирующего звена и амплит удного транзисторнаго модул тора , выход которого подключен к одному из входов пространственно-временного сумматора .,
.На чертеже дана схема устройства.
Модель аксо-аксонного синапса содержит полупроводниковый диод /, формирующее звено Еа резисторах 2, 3 vi конденсаторах 4,5 и модул тор импульсов на транзисторах 6, 7 типа п-р-п, включенных по схеме составного тр.а«зи.стора с .коллекторным резистором 8. Резистор 9 служит дл установлени рабочей точки составного транзистора. Модель нейрона включает раздел.ительные полупроводниковые диоды 10, конденсатор // дл пространственно-временной С|умма1ции. Генератор импульсов выполнен на четырехслойном управл емом полупроводниковом диоде (тиристоре ) 12 с резистором 13 и конденсатором 14 в катодной цепи и резистором 15 и конденсатором 16 в анодной. Резистор 17 служит дл установлени режима работы модели (ждущий режим или апонтанна активность).
|Пр.и поступлении положительного входного импульса в коллекторную цепь модели аксоаксонного синапса он проходит на .вход без ослаблени , так .как транзистор 6 закрыт. Если Импульс поступает через диод / в формирующий узел, на базе транзистора 6 возникает положительное напр жение, измен ющеес -в соответствии с динамикой пресинапткческого тормо1жени , и составной транзистор приоткрываетс . Амплитуда импульсов, поступающих в коллекторную цепь модели акоо-аксонного синапса, в этом случае уменьшаетс на делителе напр жени , о-бр азованном резистором 8 и транвистором 7. Положительные Импульсы на вход модели нейрона постапают через диоды 10, исключающие взаимное вл.и ние источников импульсоВ, и сум,мируютс на конденсаторе 11. Напр жение питани тиристора меньше напр жени переключени при токе управл ющего электрода , регулируемом резистором 17 (в ждущем режиме). Когда напр жение «а управл ющем электроде под воздействием входных импульсов достигнет порогового значени (при данном напр жении питани ), тиристор 12 открываетс , на резисторе 13 Образуетс выходной полОЖИтельный имп|ульс напр жени . Конденсатор 16 разр жаетс через открытый тиристор и резистор 13, наггр жение на аноде тиристора уменьшаетс , и он закрываетс . Конденсатор 14, зар дившийс во ерем открытого состо ни тиристо;ра, разр ж аетс через резистор 13, формиру задний фронт выходного импульса..
После затирани тиристора конденсатор 16 зар жаетс от источника напр жени через резистор 15 .до исхо.дного значени , моделиру фазу понижени возбудимости (относительна рвфрактерность).
Предмет изобретени
Устройство дл моделировани нейрона, содержвщее пространственно-временно.й сумматор входных сигналов, подключенный к генератору и-мпульсов, выполненному на тиристоре с резисторно-емкостеыми звень ,м.и в катодной и анодной цеп х, отличающеес тем, что, с целью повышени соответстви его биологическому нейрону, уст;ройство содержит узел моделировани аксо-аксонного синапса, состо щий из последовательно соединенных формирующего звена и амплитудного транзисторного модул тора, выход .которого подключен к одному из входов пространственновременного сумматора.
Ф 40
е
Mrj ::74 --1В
-W
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1661157A SU376787A1 (ru) | 1971-05-31 | 1971-05-31 | Бив л |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1661157A SU376787A1 (ru) | 1971-05-31 | 1971-05-31 | Бив л |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU376787A1 true SU376787A1 (ru) | 1973-04-05 |
Family
ID=20476622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1661157A SU376787A1 (ru) | 1971-05-31 | 1971-05-31 | Бив л |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU376787A1 (ru) |
-
1971
- 1971-05-31 SU SU1661157A patent/SU376787A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10078800B2 (en) | Artificial neuron comprising a resistive memory having a stochastic behavior | |
CN102610274B (zh) | 一种阻变突触权值调整电路 | |
KR102092233B1 (ko) | 뉴런 회로 | |
KR102313075B1 (ko) | 인공 뉴런 및 멤리스터를 갖는 장치 | |
CN110428050B (zh) | 一种基于忆阻器实现多样化stdp学习规则的突触仿生电路 | |
Indiveri | Neuromorphic bisable VLSI synapses with spike-timing-dependent plasticity | |
SU376787A1 (ru) | Бив л | |
US11580370B2 (en) | Artificial neuromorphic circuit and operation method | |
US5329610A (en) | Neural network employing absolute value calculating synapse | |
US5444821A (en) | Artificial neuron element with electrically programmable synaptic weight for neural networks | |
Wang et al. | A novel RRAM-based adaptive-threshold LIF neuron circuit for high recognition accuracy | |
US11977973B2 (en) | Neuron circuit and operating method thereof | |
Shin et al. | Dynamic range and sensitivity adaptation in a silicon spiking neuron | |
US3218475A (en) | Artificial neuron | |
US11551070B2 (en) | Artificial neuromorphic circuit and operation method | |
US11443177B2 (en) | Artificial neuromorphic circuit and operation method | |
Hulea | The mathematical model of a biologically inspired electronic neuron for ease the design of spiking neural networks topology | |
Camuñas-Mesa et al. | Implementation of a tunable spiking neuron for STDP with memristors in FDSOI 28nm | |
CN210924661U (zh) | 类神经电路 | |
JP4181837B2 (ja) | 演算回路およびこれを用いたニューラルネットワーク | |
US11468307B2 (en) | Artificial neuromorphic circuit and operation method | |
SU373737A1 (ru) | Устройство для моделирования нейрона | |
Gao | Study on the Modeling of a Neuromorphic Transistor Circuit System | |
SU623214A1 (ru) | Модель нейрона | |
SU448577A1 (ru) | Формирователь импульсов |