SU376787A1 - Бив л - Google Patents

Бив л

Info

Publication number
SU376787A1
SU376787A1 SU1661157A SU1661157A SU376787A1 SU 376787 A1 SU376787 A1 SU 376787A1 SU 1661157 A SU1661157 A SU 1661157A SU 1661157 A SU1661157 A SU 1661157A SU 376787 A1 SU376787 A1 SU 376787A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resistor
model
thyristor
capacitor
voltage
Prior art date
Application number
SU1661157A
Other languages
English (en)
Inventor
Е. М. Снежно витель
Original Assignee
Днепропетровский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет имени ЭОО лети воссоединени Украины Россией
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Днепропетровский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет имени ЭОО лети воссоединени Украины Россией filed Critical Днепропетровский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет имени ЭОО лети воссоединени Украины Россией
Priority to SU1661157A priority Critical patent/SU376787A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU376787A1 publication Critical patent/SU376787A1/ru

Links

Landscapes

  • Image Analysis (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к устройствам, моделирующдам нейроны и может быть использовано в модел х нейронных сетей, служащих дл  обработки иЕформац-ии, распознавани  образов и автоматического управлени , а также дл  изучени  нейр0(физиолорических  влений.
-Известны устройства дл  моделиро1вани  нейрона, содержащие пространственно-временной сум.матор и генератор импульсов на электронных ламлах, газоразр дных, полупроводниковых или |ферритовых пр«бор-ах. Однако такие устройства требуют наличи  нескольких источников напр жени , большого числа эл-ектронных ламп, ферритовых или полупроводниковых приборов и других элементов схем.
Модели нейронов на газоразр дных приборах (более экономичные по числу элементов, требуют высокого напр жени  источника пйтан .и . Кроме того, они неиостаточно надежны и быстродейственны.
;Генератор импульсов может быть выполнен на Чбтырехслойном управл емом полупроводниковом диоде с резисторно-емкостными звень ми в катодной и анодной цеп х. Это повысит экономичность и быстродействие модели . Однако такал модель не абеопечит моделирование  влени  торможени  е аксоаксанных синапсах.
Цель изобретени  заключаетс  в повышении соответстви  модели нейрона биологическому аналогу.
Эта цель достигаетс  тем, что предложенное устройст1во содержит узел дл  моделировани  аксо-аксонно1го синапса, состо щий из последовательно соединенных |формирующего звена и амплит удного транзисторнаго модул тора , выход которого подключен к одному из входов пространственно-временного сумматора .,
.На чертеже дана схема устройства.
Модель аксо-аксонного синапса содержит полупроводниковый диод /, формирующее звено Еа резисторах 2, 3 vi конденсаторах 4,5 и модул тор импульсов на транзисторах 6, 7 типа п-р-п, включенных по схеме составного тр.а«зи.стора с .коллекторным резистором 8. Резистор 9 служит дл  установлени  рабочей точки составного транзистора. Модель нейрона включает раздел.ительные полупроводниковые диоды 10, конденсатор // дл  пространственно-временной С|умма1ции. Генератор импульсов выполнен на четырехслойном управл емом полупроводниковом диоде (тиристоре ) 12 с резистором 13 и конденсатором 14 в катодной цепи и резистором 15 и конденсатором 16 в анодной. Резистор 17 служит дл  установлени  режима работы модели (ждущий режим или апонтанна  активность).
|Пр.и поступлении положительного входного импульса в коллекторную цепь модели аксоаксонного синапса он проходит на .вход без ослаблени , так .как транзистор 6 закрыт. Если Импульс поступает через диод / в формирующий узел, на базе транзистора 6 возникает положительное напр жение, измен ющеес  -в соответствии с динамикой пресинапткческого тормо1жени , и составной транзистор приоткрываетс . Амплитуда импульсов, поступающих в коллекторную цепь модели акоо-аксонного синапса, в этом случае уменьшаетс  на делителе напр жени , о-бр азованном резистором 8 и транвистором 7. Положительные Импульсы на вход модели нейрона постапают через диоды 10, исключающие взаимное вл.и ние источников импульсоВ, и сум,мируютс  на конденсаторе 11. Напр жение питани  тиристора меньше напр жени  переключени  при токе управл ющего электрода , регулируемом резистором 17 (в ждущем режиме). Когда напр жение «а управл ющем электроде под воздействием входных импульсов достигнет порогового значени  (при данном напр жении питани ), тиристор 12 открываетс , на резисторе 13 Образуетс  выходной полОЖИтельный имп|ульс напр жени . Конденсатор 16 разр жаетс  через открытый тиристор и резистор 13, наггр жение на аноде тиристора уменьшаетс , и он закрываетс . Конденсатор 14, зар дившийс  во ерем  открытого состо ни  тиристо;ра, разр ж аетс  через резистор 13, формиру  задний фронт выходного импульса..
После затирани  тиристора конденсатор 16 зар жаетс  от источника напр жени  через резистор 15 .до исхо.дного значени , моделиру  фазу понижени  возбудимости (относительна  рвфрактерность).
Предмет изобретени 
Устройство дл  моделировани  нейрона, содержвщее пространственно-временно.й сумматор входных сигналов, подключенный к генератору и-мпульсов, выполненному на тиристоре с резисторно-емкостеыми звень ,м.и в катодной и анодной цеп х, отличающеес  тем, что, с целью повышени  соответстви  его биологическому нейрону, уст;ройство содержит узел моделировани  аксо-аксонного синапса, состо щий из последовательно соединенных формирующего звена и амплитудного транзисторного модул тора, выход .которого подключен к одному из входов пространственновременного сумматора.
Ф 40
е
Mrj ::74 --1В
-W
SU1661157A 1971-05-31 1971-05-31 Бив л SU376787A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1661157A SU376787A1 (ru) 1971-05-31 1971-05-31 Бив л

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1661157A SU376787A1 (ru) 1971-05-31 1971-05-31 Бив л

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU376787A1 true SU376787A1 (ru) 1973-04-05

Family

ID=20476622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1661157A SU376787A1 (ru) 1971-05-31 1971-05-31 Бив л

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU376787A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10078800B2 (en) Artificial neuron comprising a resistive memory having a stochastic behavior
CN102610274B (zh) 一种阻变突触权值调整电路
KR102092233B1 (ko) 뉴런 회로
KR102313075B1 (ko) 인공 뉴런 및 멤리스터를 갖는 장치
CN110428050B (zh) 一种基于忆阻器实现多样化stdp学习规则的突触仿生电路
Indiveri Neuromorphic bisable VLSI synapses with spike-timing-dependent plasticity
SU376787A1 (ru) Бив л
US11580370B2 (en) Artificial neuromorphic circuit and operation method
US5329610A (en) Neural network employing absolute value calculating synapse
US5444821A (en) Artificial neuron element with electrically programmable synaptic weight for neural networks
Wang et al. A novel RRAM-based adaptive-threshold LIF neuron circuit for high recognition accuracy
US11977973B2 (en) Neuron circuit and operating method thereof
Shin et al. Dynamic range and sensitivity adaptation in a silicon spiking neuron
US3218475A (en) Artificial neuron
US11551070B2 (en) Artificial neuromorphic circuit and operation method
US11443177B2 (en) Artificial neuromorphic circuit and operation method
Hulea The mathematical model of a biologically inspired electronic neuron for ease the design of spiking neural networks topology
Camuñas-Mesa et al. Implementation of a tunable spiking neuron for STDP with memristors in FDSOI 28nm
CN210924661U (zh) 类神经电路
JP4181837B2 (ja) 演算回路およびこれを用いたニューラルネットワーク
US11468307B2 (en) Artificial neuromorphic circuit and operation method
SU373737A1 (ru) Устройство для моделирования нейрона
Gao Study on the Modeling of a Neuromorphic Transistor Circuit System
SU623214A1 (ru) Модель нейрона
SU448577A1 (ru) Формирователь импульсов