SU375752A1

SU375752A1 - MICROWAVE AMPLIFIER

Info

Publication number: SU375752A1
Application number: SU1771334A
Authority: SU
Inventors: Ф. И. Елкин Г. Н. Гомзин
Priority date: 1972-04-05
Filing date: 1972-04-05
Publication date: 1973-03-23

Description

1one

Изобретение относитс к области радиотехники и может быть использовано при конструировании туннельных усилителей в садтиметровом диапазоне.The invention relates to the field of radio engineering and can be used in the design of tunnel amplifiers in the centimeter range.

Известен микроволновый усилитель, содержащий разв зывающее устройство, волноводную секцию с полупроводниковым диодом и короткозамкнутую секцию.A microwave amplifier is known, which comprises an isolating device, a waveguide section with a semiconductor diode, and a short-circuited section.

Известный микроволновый усилитель имеет большие габариты, сложную конструкцию и настройку при большом разбросе параметров диода.Known microwave amplifier has large dimensions, complex design and configuration with a large scatter of parameters of the diode.

Целью изобретени вл етс упрощение конструкции и настройки при большом разбросе параметров диода, а также уменьшение габаритов.The aim of the invention is to simplify the design and configuration with a large variation of the parameters of the diode, as well as reducing the size.

Это достигаетс тем, что в местах сочленени волноводной секции с разв зывающим устройством и с короткозамкнутой секцией фиксированной длины установлены пластиныдиафрагмы , перемещающиес между фланцами относительно сечени волновода.This is achieved by the fact that at the junction points of the waveguide section with an isolating device and with a short-circuited section of fixed length, diaphragm plates are mounted that move between the flanges relative to the waveguide section.

На чертеже показан микроволновый усилитель и разрез по А-А.The drawing shows a microwave amplifier and a section along AA.

Усилитель содержит разв зывающее устройство I и усилительную камеру, котора образована короткозамкнутой секцией 2 фиксированной длины и волноводной секцией 5 The amplifier contains an isolating device I and an amplifying chamber, which is formed by a short-circuited section 2 of fixed length and a waveguide section 5

длиной - (Хь long - (X

длина волны в волноводе) 4wavelength in the waveguide) 4

с емкостным стержнем 4, туннельным диодом 5, размещенным на краю волноводной секции 5 со стороны короткозамкнутой секции 2, и с системой стабилизации 6.with a capacitive rod 4, a tunnel diode 5 placed on the edge of the waveguide section 5 from the side of a short-circuited section 2, and with a stabilization system 6.

Емкостный стержень 4 расположен на одной оси с диодом и отстоит от него в направлении разв зывающего устройства наThe capacitive rod 4 is located on the same axis with the diode and is separated from it in the direction of the isolating device on

в вin to

6 86 8

В местах сочленени волноводной секции 3 с разв зывающим устройством / и короткозамкнутой секцией 2 размещены индуктивные пластины-диафрагмы 7, 8. При регулировке усилител с помощью подвижной пластины-диафрагмы 8 контур диода настраиваетс на частоту сигнала, и посредством пластины-диафрагмы 7 подбираетс компенсирующа реактивность дл обеспечени заданной полосы усилени . Измен положение емкостного стержн в волноводе, можно установить требуемый коэффициент усилени , а измен положение пластин-диафрагм и регулиру погружение емкостного стержн , осуществить перестройку усилител по частоте дл диодов, отличающихс по емкости перехода к пиковому току на 30%. предмет изобретений Микроволновый усилитель, содержащий разв зывающее устройство, волвоводную секцию с полупроводниковым диодом и короткозамкнутую секцию, отличающийс тем, что, с целью упрощени конструкции и настройки пр;и большом разбросе параметров диода, а также уМ:еньшен.и . габа-ритов, в местах сочленени волноводной секции с разв зывающим устройством и с короткозамкнутой секцией фиксированной длины установлены пластиныдиафрагмы , перемещающиес между фланцами относительно сечени -волновода.Inductive plates-diaphragms 7, 8 are placed at the articulation points of the waveguide section 3 with a decoupling device / and a short-circuited section 2. to provide a given gain band. By changing the position of the capacitive rod in the waveguide, you can set the required gain, and by changing the position of the plate-diaphragms and adjusting the immersion of the capacitive rod, you can tune the amplifier in frequency for diodes differing in capacitance to peak current by 30%. The subject matter of the invention is a microwave amplifier containing an isolation device, a waveguide section with a semiconductor diode and a short-circuited section, characterized in that, in order to simplify the design and tuning of the pr, and a large scatter of the parameters of the diode, and also MIN: diaphragms, in places of articulation of the waveguide section with a decoupling device and with a short-circuited section of fixed length, diaphragm plates are installed that move between the flanges relative to the waveguide section.