SU364078A1 - Ждущий мультивибратор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к импульсной технике .

Известен ждущий мультивибратор, выполненный на транзисторах одного тина проводимости с конденсатором, подсоединенным между коллектором н. з. транзистора и базой н. о. транзистора, содержащий дополнительный транзистор другого типа проводимости.

Цель .изобретени  - уменьшение потреблени  энергии устройством и обеспечение независимости длительности выходных импульсов от частоты следовани .

Цель достигаетс  тем, что база дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, подсоединена через резистор к коллектору н.з. транзистора ждущего мультивибратора.

На чертеже показана принципиальна  схема ждущего мультивибратора.

Ждущий мультивибратор построен на основе известной схемы, содержащей транзистор /, н.з. при отсутствии запускающих импульсов , и транзистор 2, н. о. при таком же условии. В коллекторную цепь транзистора / включена база дополнительного транзистора 3 другого типа проводимости. Конденсатор 4 служит врем згдающим элементом. Диоды 5 и 6 предназначены дл  компенсации остаточного падени  напр жени  на транзисторе 2. Через резистор 7 на базу транзистора / подаетс  отрицательный импульс запуска. Резистор 8 обеспечивает включение транзистора / но цени положительной обратной св зи. Резисторы 9 и 10 шунтируют переходы базаэмиттер транзистора / и дополнительного транзистора о соответственно, обеспечива  закрытое состо ние этих транзисторов в отсутствие входных запускающих импульсов. Резистор 11 служит коллекторной нагрузкой

транзистора / н ограничивает ток базы дополнительного транзистора 3. Резистор 12  вл етс  базовым сонротивлением транзистора 2. Резистор 13 служит коллекторной нагрузкой транзистора 3 и  вл етс  одновременно нагрузкой ждущего мультивибратора.

В отсутствие входных запускающих имнульсов транзистор / и дополнительный транзистор 3 закрыты, транзистор 2 открыт и конденсатор 4 зар жен до напр жени  . При

поступлении на вход схемы запускающего и.мпульса транзистор / открываетс , транзистор 2 закрываетс  на врем  формировани  /ф, определ емое посто нной времени врем задающей цепи, состо щей из конденсатора 4 и резистора 12: в это врем  конденсатор 4 разр жаетс  через открытый транзнстор / и резистор 12. В течение времени формировани  / транзистор / открыт по цепи положительной обратной св зи, соответственно дополнительный транзистор 3 также открыт. После окончани  формировани  транзистор 2 открываетс  и закрываетс  транзистор /, при этом конденсатор 4 начинает восстанавливать свое исходное состо ние и зар жаетс  через переход база-эмиттер транзистора 2, резистор И и переход база-эмиттер дополнительного транзистора 3. Величина сопротивлени  резистора 11 всегда может быть выбрана таким образом, что в течение некоторого времени в момент восстановлени  зар да конденсатора 4 дополнительный транзистор 3 открываетс  током перезар да конденсатора 4. В этом случае длительность импульса /и, формируемого на резисторе 13, составл ет:

4 Ф + в,

где ф - длительность импульса, формируемого в коллекторе транзистора 2; в - интервал времени, в течение которого дополнительный транзистор 3 поддерживаетс  в открытом состо нии током перезар да конденсатора 4 в процессе восстановлени  его исходного зар да.

Очевидно, что величина /в не зависит от частоты следовани  входных запускающих импульсов и определ ет минимальную гарантированную длительность импульса, формируемого на выходе схемы. Действительно, если частота следовани  запускающего импульса увеличиваетс  настолько, что конденсатор 4 в паузе между моментом открывани  транзистора 2 и моментом поступлени  на вход следующего импульса запуска не успевает полностью восстанавливать свой начальный зар д, то уменьщаетс  длительность составл ющей , а величина /в при этом не измен етс . Отсюда следует, что дл  любой частоты следовани  запускающего сигнала справедливо выражение

ином и (/эап) 5 Гв Д 5 ином фп Г В

где /зап - частота следовани  импульсов запуска;

Фп -длительность импульса, формируемого в коллекторе транзистора 2 при условии полного восстановлени  зар да конденсатора 4 в паузе между импульсами; А - величина, определ ема  частотными свойствами транзисторов / и 2 (предполагаетс , что величина

/в выбираетс  так, чтобы выполн лось неравенство 4 А). Если период следовани  импульсов запуска уменьшаетс  настолько, что становитс  меньще величины t - А, то на выходе схемы присутствует посто нное напр жение, равное напр жению источника питани  Е, за вычетом остаточного падени  напр жени  на дополнительном транзисторе 5.

Точно так же дополнительный транзистор ,3 открыт, если на входе устройства присутствует потенциальный сигнал, открываюи;ий транзистор 1. В этом случае устройство формирует задержку отключени  выходного напр жени ,

равную в. относительно момента отключени  открывающего входного потенциального сигнала .

Таким образом, нри соответствующем выборе величины /в, устройство служит либо дл 

формировани  временного интервала с известной минимальной длительностью, либо дл  преобразовани  импульсного сигнала в сигнал посто нного тока, либо в качестве формировател  задержки отключени  потеициального

сигнала.

Ждущий мультивибратор на транзисторах / и 2, используемый дл  построени  такого устройства, быть выполнен и по другой схеме (например, по схеме ждущего мультивибратора на транзисторах одного типа проводимости с эмиттериой св зью). При этом важно лищь, чтобы транзистор / был закрыт в отсутствие импульсов запуска и открывалс  при их поступлении, а при восстановлении схемы через коллекторную нагрузку этого транзистора протекал бы ток перезар да врем зад ающего конденсатора.

Предмет изобретени 

Ждущий мультивибратор, выполненный на транзисторах одного тина проводимости с конденсатором, подсоединенным между коллектором н.з. транзистора и базой и.о. транзистора , содержащий дополнительный транзистор другого типа проводимости, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  малого потреблени  энергии и независимости длительности выходных импульсов от частоты

следовани  входных импульсов, база дополнительного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, через резистор подсоединена к коллектору н.з. транзистора ждущего мультивибратора.

И

8 IbO i2

-о -

1. I/

.

13

-0-ff